用于cmp后去除的组合物及使用方法

用于cmp后去除的组合物及使用方法
【专利摘要】本发明涉及从在其上具有化学机械抛光(CMP)后残留物和污染物的微电子器件上清洁所述残留物和污染物的无胺组合物和方法。所述无胺组合物优选包含至少一种氧化剂、至少一种络合剂、至少一种碱性化合物和水，且具有在约2.5～约11.5范围内的pH。所述组合物实现了从所述微电子器件的表面高度有效地清洁所述CMP后残留物和污染材料，而不损害低-k介电材料或铜互连材料。
【专利说明】用于CMP后去除的组合物及使用方法
[0001] 相关申请的交叉引用
[0002] 本申请要求 2012 年 2 月 15 日以JunLiu、JeffreyBarnes、EmanuelI.Cooper、 LaishengSun、StevenMedcUJiehHwaShyu、LucyDai和ZacharyWan之名提交的题为"改 善的化学机械抛光后制剂及其使用方法（ImprovedPost-ChemicalMechanicalPolishing FormulationsandMethodsofUsingSame)"的美国临时专利申请 61/599, 162 号；2012 年5 月 24 日以JunLiu、JeffreyA.Barnes、LaishengSun和ElizabethThomas之名提交 的题为"低pHCMP后残留物去除组合物及使用方法（LowpHPost-CMPResidueRemoval CompositionandMethodofUse)"的美国临时专利申请61/651,287 号；2012年6月 7 日 以JunLiu、JeffreyA.Barnes、LaishengSun和ElizabethThomas之名提交的题为"低 pHCMP后残留物去除组合物及使用方法（LowpHPost-CMPResidueRemovalComposition andMethodofUse)"的美国临时专利申请61/656, 992号；和2012年6月18日以JunLiu、 JeffreyA.Barnes>EmanuelI.Cooper、LaishengSun、ElizabethThomas和JasonChang 之名提交的题为"使用包含表面活性剂的组合物的CMP后去除（Post-CMPRemovalUsing CompositionsComprisingSurfactant)"的美国临时专利申请61/661，160号的优先权，其 各自通过引用全部并入本文中。

【技术领域】
[0003] 本发明涉及从在其上具有残留物和/或污染物的微电子器件上实质且有效地清 洁残留物和/或污染物的无胺组合物。

【背景技术】
[0004] 众所周知，对于先进的微电子应用，集成电路（1C)生产商已经用铜来替换铝和铝 合金，因为铜具有较高的导电性，这转变成在互连性能方面的显著改善。另外，铜基互连提 供比铝好的抗电迁移性，由此改善了互连可靠性。尽管如此，铜的实施面临着某些挑战。例 如，铜（Cu)对二氧化硅（Si02)和对其它介电材料的粘着性通常不良。不良粘着性导致在 制造过程期间铜从邻接的薄膜剥离。并且，铜离子在电偏压下易于扩散到Si02中，且即使 在电介质内非常低的CU浓度下也增加在铜线之间的介电漏电。另外，如果铜扩散到定位有 源器件的下伏硅中，器件性能则会劣化。
[0005] 铜在二氧化硅（Si02)中及在其它金属间电介质（MD)/层间电介质（ILD)中的高 扩散率的问题仍然备受关注。为了解决这个问题，必须将集成电路衬底用封装铜且阻断铜 原子的扩散的合适阻隔层涂布。包含导电材料和非导电材料两者的阻隔层通常在图案化介 电层以上且在沉积铜之前形成。用于该阻隔层的典型材料包括钽（Ta)、氮化钽（TaNx)、钨 (W)、钛（Ti)、氮化钛（TiN)、钌（Ru)、钴（Co)、钥（Mo)、铼（Rh)及其合金。
[0006] 在深亚微米半导体的制造中，使用铜镶嵌法以在低_k介电层中形成导电铜线和 通孔。该镶嵌法的一个重要步骤是铜化学机械抛光（CMP)，以便除去在介电层表面之上的过 量的铜。CMP工艺包括在受控制的压力和温度下在CMP浆料存在下相对于湿式抛光垫固持 并旋转半导体器件的薄的平坦衬底。对于具体的CMP过程和需求，所述浆料视情况含有研 磨材料和化学添加剂。在该CMP工艺之后，由来自抛光浆料的颗粒、加到浆料中的化学品和 抛光浆料的反应副产物组成的污染物留在晶片表面上。所有污染物必须在微电子器件制造 过程中的任何进一步的步骤之前除去，以避免器件可靠性劣化及将缺陷引入器件中。这些 污染物的颗粒常小于〇. 3iim。
[0007] 在这方面的一个特定问题是在CMP加工之后留在微电子器件衬底上的残留物。这 类残留物包含CMP材料和腐蚀抑制剂化合物如苯并三唑（BTA)。如果未被除去，这些残留物 则可能引起铜线损坏或使铜金属化严重粗糙，以及引起CMP后施加在器件衬底上的层的不 良粘着。铜金属化的严重粗糙特别成问题，因为过度粗糙的铜可以引起微电子器件产品的 不良电学性能。为此，已经研发了CMP后去除组合物以除去CMP后残留物和污染物。
[0008] 常规清洁技术使用清洁溶液如基于氢氧化铵的碱性溶液流体流经晶片表面以及 超声波震动、喷射或刷涂以除去污染物。所述清洁溶液通过攻击晶片表面或与污染物反应， 随后从晶片除去逐出的污染物来除去污染物。不利地，一些污染物对于在清洁溶液中的化 学成分可能是化学惰性的。另外，本领域已知的含胺清洁溶液发出气味并释放胺蒸气到加 工处（fab)，其可使光致抗蚀剂中毒。
[0009] 提供用于CMP后清洁微电子器件、用于从所述器件的表面基本无缺陷且基本无刮 痕地除去CMP残留物和污染物的改善的无胺组合物，将是本领域中的显著进步。所述水性 组合物实现了在不损坏暴露的低_k介电材料及互连和通孔材料如含铜和/或铝的材料的 情况下从器件的表面基本去除残留物和污染物。


【发明内容】

[0010] 本发明总体上涉及从在其上具有残留物和污染物的微电子器件上清洁所述残留 物和/或污染物的无胺组合物和方法。一方面，本文所述的组合物包含以下各物、由以下 各物组成或基本上由以下各物组成：至少一种氧化剂、至少一种络合剂、至少一种碱性化合 物、至少一种缓冲剂和水，其中所述组合物基本不含胺、季碱、含有氟化物的来源和在化学 机械抛光过程中通常使用的研磨材料。任选地，所述清洁组合物还可包含至少一种溶剂化 齐U、至少一种表面活性剂或这两者。所述残留物可包括CMP后残留物。
[0011] 另一方面，本发明涉及试剂盒，其包含在一个或多个容器中的用于形成无胺组合 物的以下试剂中的一种或多种，所述一种或多种试剂选自至少一种氧化剂、至少一种络合 齐IJ、至少一种碱性化合物、至少一种缓冲剂和水，其中所述组合物基本不含胺、季碱、含有氟 化物的来源和在化学机械抛光过程中通常使用的研磨材料，且其中所述试剂盒用以形成适 合从在其上具有CMP后残留物和污染物的微电子器件上清洁所述残留物和污染物的无胺 组合物。所述至少一种氧化剂可在清洁装置处或在所述清洁装置上游加到所述无胺组合物 中。
[0012] 又一方面，本发明涉及从在其上具有残留物和污染物的微电子器件上清洁所述残 留物和污染物的方法，所述方法包括使所述微电子器件与无胺组合物接触历时足以从所述 微电子器件上至少部分地清洁所述残留物和污染物的时间，其中所述无胺组合物包含至少 一种氧化剂、至少一种络合剂、至少一种碱性化合物、至少一种缓冲剂和水，其中所述组合 物基本不含胺、季碱、含有氟化物的来源和在化学机械抛光过程中通常使用的研磨材料。所 述残留物可包括CMP后残留物。
[0013] 另一方面，本发明涉及从在其上具有CMP后残留物和污染物的微电子器件上除去 所述CMP后残留物和污染物的方法，所述方法包括：
[0014] 用CMP浆料抛光所述微电子器件；
[0015] 使所述微电子器件与包含至少一种氧化剂、至少一种络合剂、至少一种碱性化合 物、至少一种缓冲剂和水的无胺组合物接触历时足以从所述微电子器件上基本除去CMP后 残留物和污染物的时间，其中所述组合物基本不含胺、季碱、含有氟化物的来源和在化学机 械抛光过程中通常使用的研磨材料。
[0016] 又一方面，本发明涉及清洁在其上具有残留物和污染物的微电子器件的方法，所 述方法包括使所述微电子器件与无胺组合物接触历时足以从在其上具有残留物和污染物 的所述微电子器件上除去所述残留物和污染物的时间，其中所述组合物包含至少一种氧化 齐IJ、至少一种络合剂、至少一种碱性化合物、至少一种缓冲剂和水，其中所述组合物基本不 含胺、季碱、含有氟化物的来源和在化学机械抛光过程中通常使用的研磨材料。
[0017] 又一方面，本发明涉及清洁在其上具有CMP后残留物和污染物的微电子器件的方 法，所述方法包括使所述微电子器件与无胺组合物接触历时足以从在其上具有CMP后残留 物和污染物的所述微电子器件上除去所述CMP后残留物和污染物的时间，其中所述组合物 包含至少一种氧化剂、至少一种络合剂、至少一种碱性化合物、至少一种缓冲剂和水，其中 所述组合物基本不含胺、季碱、含有氟化物的来源和在化学机械抛光过程中通常使用的研 磨材料。
[0018] 另一方面，本发明涉及制造微电子器件的方法，所述方法包括使所述微电子器件 与本文所述的无胺清洁组合物接触历时足以从在其上具有CMP后残留物和污染物的所述 微电子器件上至少部分地清洁所述残留物和污染物的时间。
[0019] 本发明的又一方面涉及改进的微电子器件和合并其的产品，其使用包括从在其上 具有CMP后残留物和污染物的所述微电子器件上清洁所述残留物和污染物的本发明的方 法、使用本文所述的方法和/或组合物及任选将所述微电子器件合并成产物来制造。
[0020] 本发明的另一方面涉及包括无胺清洁组合物、微电子器件晶片和CMP后残留物及 污染物的生产制品，其中所述无胺清洁组合物包含至少一种氧化剂、至少一种络合剂、至少 一种碱性化合物、至少一种缓冲剂和水，其中所述组合物基本不含胺、季碱、含有氟化物的 来源和在化学机械抛光过程中通常使用的研磨材料。
[0021] 本发明的其它方面、特点和优点从继续的公开内容和随附权利要求书中将更加显 而易见。

【具体实施方式】
[0022] 本发明总体上涉及从在其上具有CMP后残留物和污染物的微电子器件上清洁所 述残留物和污染物的无胺组合物。所述清洁组合物与暴露的材料相容，同时从所述微电子 器件的表面上基本除去所述CMP后残留物和污染物。
[0023] 为了便于提及，"微电子器件"对应于被生产用于微电子、集成电路或计算机芯片 应用的半导体衬底、平板显示器、相变储存装置、太阳能电池板及包含太阳能衬底、光电池 和微型机电系统（MEMS)的其它产品。应理解术语"微电子器件"并非想要以任何方式加以 限制，而是包括最后将成为微电子器件或微电子组件的任何衬底。
[0024] 在本文中使用时，"残留物"对应于在包括但不限于等离子体蚀刻、灰化、化学机械 抛光、湿式蚀刻及其组合的微电子器件生产期间产生的颗粒。
[0025] 在本文中使用时，"污染物"对应于在CMP浆料中存在的化学品如苯并三唑（BTA)、 抛光浆料的反应副产物、在湿式蚀刻组合物中存在的化学品、湿式蚀刻组合物的反应副产 物和作为CMP过程、湿式蚀刻、等离子体蚀刻或等离子体灰化过程的副产物的任何其它材 料。
[0026] 在本文中使用时，"CMP后残留物"对应于来自抛光浆料的颗粒如含有氧化硅的颗 粒、在该浆料中存在的化学品、该抛光浆料的反应副产物、富碳颗粒、抛光垫颗粒、刷涂减载 (brushdeloading)颗粒、设备构造材料的颗粒、铜、氧化铜、有机残留物和作为CMP过程的 副产物的任何其它材料。
[0027] 如在本文中定义，"低_k介电材料"对应于在层状微电子器件中作为介电材料使用 的任何材料，其中所述材料具有小于约3. 5的介电常数。优选所述低-k介电材料包括低极 性材料，诸如含硅有机聚合物、含硅杂化有机/无机材料、有机硅酸盐玻璃（〇SG)、TE0S、氟 代硅酸盐玻璃（FSG)、二氧化硅、碳掺杂的氧化物（CD0)玻璃、来自NovellusSystems,Inc. 的CORAL?、来自AppliedMaterials,Inc?的BLACKDIAMOND?、来自DowCorning,Inc?的 SiLK?和Nanopore，Inc的NANOGLASS?等。应了解所述低-k介电材料可以具有不同的密 度和不同的孔隙度。
[0028] 如在本文中定义，"清洁的无胺组合物"对应于在与在其上具有CMP后和/或污染 物的微电子器件接触之前的无胺组合物。
[0029] 如在本文中定义，"络合剂"包含本领域技术员人员理解为络合剂、螯合剂和/或掩 蔽剂的那些化合物。络合剂将与欲使用本发明的组合物除去的金属原子和/或金属离子化 学结合或物理固留住所述金属原子和/或金属离子。
[0030] 如在本文中定义，术语"阻隔材料"对应于在本领域中用于密封金属线如铜互连以 使所述金属如铜向介电材料的扩散最少化的任何材料。常规阻隔层材料包括钽或钛、它们 的氮化物和娃化物及它们的合金。可用作可直接电镀（directlyplateable)的扩散阻隔 层的候选材料包括钌（Ru)、钴（Co)、钨（W)、钥（Mo)、铼（Rh)及它们的合金。
[0031] 在本文中使用时，"约"旨在对应于所述值的±5%。
[0032] "基本不含"在本文中定义为小于2重量％、优选小于1重量％、更优选小于0. 5重 量％、甚至更优选小于0. 1重量％且最优选为0重量％。
[0033] 如在本文中定义，"蚀刻后残留物"对应于在气相等离子体蚀刻过程如BE0L双重金 属镶嵌加工之后残留的材料。所述蚀刻后残留物在性质上可以为有机、有机金属、有机硅或 无机的，例如含硅材料、碳基有机材料和蚀刻气体残留物，包括但不限于氧和氟。在本文中 使用时，"灰化后残留物"对应于在氧化或还原等离子体灰化以除去硬化的光致抗蚀剂和/ 或底部抗反射涂层（BARC)材料之后残留的材料。所述灰化后残留物在性质上可以为有机、 有机金属、有机娃或无机的。
[0034] 技术人员应当理解的是，当所述组合物为水性时，氢氧化铵（NH40H)可以与氨 (NH3)互换使用。
[0035] 对于本发明的目的，"胺"定义为至少一种伯胺、仲胺或叔胺，条件是（i)酰胺基、 (ii)包含羧酸基和胺基两者的物质（例如，氨基酸）、（iii)氨、（iv)包含胺基的表面活性 剂和（V)胺-N-氧化物不被视为根据该定义的"胺"。胺式可由NRiR2R3表示，其中Ri、R2和 R3可彼此相同或不同，且选自氢、直链或支链的(^-(：6烷基（例如，甲基、乙基、丙基、丁基、戊 基、己基）、C6-C1(I芳基（例如，苄基）、直链或支链的Q-C；烷醇（例如，甲醇、乙醇、丙醇、丁 醇、戊醇、己醇）及其组合。
[0036]在本文中使用时，从在其上具有残留物和污染物的微电子器件清洁所述残留物和 污染物的"适合性"对应于从该微电子器件至少部分地除去所述残留物/污染物。清洁效 率通过微电子器件上目标物的减少来进行评价。例如，清洁前和清洁后分析可以使用原子 力显微镜进行。在样品上的颗粒可以被登记为一系列像素。可以应用直方图（例如，Sigma ScanPro)以某一强度如231?235过滤像素并计数颗粒数目。颗粒减少可以使用下式计 算：

【权利要求】
1. 一种用于从表面上清洁残留物和污染物的组合物，所述组合物包含至少一种氧化 齐IJ、至少一种络合剂、至少一种碱性化合物、至少一种缓冲剂和水，其中所述组合物基本不 含胺、季碱、含有氟化物的来源和在化学机械抛光过程中通常使用的研磨材料。
2. 根据权利要求1所述的组合物，其中pH在7?约12的范围内。
3. 根据权利要求1或2所述的组合物，其中所述至少一种碱性化合物包括选自KOH、 CsOH、氢氧化铵及其组合的物质。
4. 根据权利要求1或2所述的组合物，其中所述至少一种碱性化合物包括K0H。
5. 根据前述权利要求中任一项所述的组合物，其中所述至少一种络合剂包括选自以下 的物质：乳酸、马来酸、抗坏血酸、苹果酸、柠檬酸、苯甲酸、富马酸、琥珀酸、乙二酸、丙二酸、 扁桃酸、马来酸酐、邻苯二甲酸、天门冬氨酸、谷氨酸、戊二酸、乙醇酸、乙醛酸、苯基乙酸、奎 尼酸、均苯四酸、酒石酸、对苯二甲酸、偏苯三酸、苯均三酸、葡糖酸、甘油酸、甲酸、乙酸、丙 酸、丙烯酸、己二酸、衣康酸、葡糖醛酸、甘氨酸、赖氨酸、3 -丙氨酸、组氨酸、苯丙氨酸、半 胱氨酸、亮氨酸、丝氨酸、8-羟基喹啉、2, 4-戊二酮、苯四羧酸、丙酮酸、鞣酸、磺胺酸、2-羟 基膦酰基羧酸（HPAA)、邻苯二酚、焦掊酚、五倍子酸、鞣酸、乙二胺四乙酸（EDTA)、二乙烯 三胺五乙酸（DTPA)、（1，2-环己烯二次氮基）四乙酸（⑶TA)、亚氨基二乙酸、2-膦酰基丁 烷_1，2,4_三羧酸（PBTCA)、膦酸、羟基亚乙基二膦酸（HEDP)、1-羟基乙烷-1，1-二膦酸、次 氮基-三（亚甲基膦酸）、水杨酸、对甲苯磺酸、磺基水杨酸及其衍生物，及其任意组合。
6. 根据前述权利要求中任一项所述的组合物，其中所述至少一种络合剂包括柠檬酸、 膦酸衍生物、磺基水杨酸或其衍生物，及其任意组合。
7. 根据前述权利要求中任一项所述的组合物，其中所述至少一种氧化剂包括选自 以下的物质：臭氧、硝酸、鼓泡空气、环己基氨基磺酸、过氧化氢、FeCl3、过硫酸氢钾制剂 (2KHS05 ? KHS04 ? K2S04)、过氧单硫酸铵、亚氯酸铵、氯酸铵、碘酸铵、过硼酸铵、高氯酸铵、高 碘酸铵、过硫酸铵、次氯酸铵、高硼酸钠、过硫酸钠、次氯酸钠、碘酸钾、高锰酸钾、过硫酸钾、 过硫酸钾、次氯酸钾、亚氯酸四甲基铵、氯酸四甲基铵、碘酸四甲基铵、过硼酸四甲基铵、高 氯酸四甲基铵、高碘酸四甲基铵、过硫酸四甲基铵、过氧单硫酸四丁基铵、过氧单亚硫酸、硝 酸铁、N-甲基吗啉-N-氧化物、三甲胺-N-氧化物、三乙胺-N-氧化物、吡啶-N-氧化物、 N-乙基吗啉-N-氧化物、N-甲基吡咯烷-N-氧化物、N-乙基吡咯烷-N-氧化物、过氧化脲、 过氧乙酸、高碘酸、重铬酸钾、氯酸钾、2-硝基苯酚、1，4-苯醌、过苯甲酸、过苯二甲酸盐、氧 化钒、偏钒酸铵、钨酸铵、硝酸钠、硝酸钾、硝酸铵、硝酸锶、硫酸及其组合。
8. 根据前述权利要求中任一项所述的组合物，其中所述至少一种氧化剂包括选自过氧 化氢、NMM0、过氧化脲及其组合的物质。
9. 根据前述权利要求中任一项所述的组合物，其中所述至少一种缓冲剂包括选自以下 的物质：磷酸氢二钾、碳酸钾、硼酸、赖氨酸、脯氨酸、￠-丙氨酸、乙二胺四乙酸（EDTA)、二 乙烯三胺五乙酸（DTPA)、二甲基乙二肟、二碱式磷酸盐（K2HP04)、三碱式磷酸盐（K 3P04)、二 碱式磷酸盐与三碱式磷酸盐的混合物、二碱式碳酸盐与三碱式碳酸盐的混合物、羟基亚乙 基二膦酸及其组合。
10. 根据前述权利要求中任一项所述的组合物，其中所述至少一种缓冲剂包括选自以 下的物质：二碱式磷酸盐（K2HP04)、三碱式磷酸盐（K3P0 4)、二碱式磷酸盐与三碱式磷酸盐的 混合物、ffiDP及其组合。
11. 根据前述权利要求中任一项所述的组合物，其中，基于所述组合物的总重量计算， 至少一种氧化剂的量为约〇. 1重量％?约1重量％，至少一种络合剂的量为约1重量％? 约25重量％，至少一种碱性化合物的量为约0. 01重量％?约5重量％，至少一种缓冲剂的 量为约0. 1重量％?约5重量％，且水为约66. 5重量％?约95重量％。
12. 根据前述权利要求中任一项所述的组合物，其还包含至少一种溶剂化剂，所述溶剂 化剂包括选自以下的物质：2_吡咯烷酮、1-(2-羟基乙基）-2-吡咯烷酮、甘油、1，4- 丁二 醇、四亚甲基砜（环丁砜）、二甲基砜、乙二醇、丙二醇、二丙二醇、二乙二醇单甲醚、三乙二 醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、三乙二醇单乙醚、乙二醇单丙醚、乙二醇单丁醚、二乙二醇单丁 醚、三乙二醇单丁醚、乙二醇单己醚、二乙二醇单己醚、乙二醇苯基醚、丙二醇甲基醚、二丙 二醇甲基醚（DPGME)、三丙二醇甲基醚（TPGME)、二丙二醇二甲醚、二丙二醇乙基醚、丙二醇 正丙基醚、二丙二醇正丙基醚（DPGPE)、三丙二醇正丙基醚、丙二醇正丁基醚、二丙二醇正丁 基醚、三丙二醇正丁基醚、丙二醇苯基醚及其组合。
13. 根据前述权利要求中任一项所述的组合物，其还包含至少一种溶剂化剂，所述溶剂 化剂包括环丁砜、1-(2-羟基乙基）-2-吡咯烷酮及其组合。
14. 根据权利要求12或13所述的组合物，其中，基于所述组合物的总重量计，至少一种 溶剂化剂的量为约5重量％?约20重量％。
15. 根据前述权利要求中任一项所述的组合物，其还包含至少一种表面活性剂，所述表 面活性剂选自十二烷基苯磺酸（DDBSA)、聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙二醇醚或聚丙二醇醚、基 于环氧乙烷和环氧丙烷的嵌段共聚物、聚氧乙烯（40)壬基苯基醚（支链的）、二壬基苯基聚 氧乙烯、壬基酚烷氧化物、聚乙二醇去水山梨糖醇单油酸酯、去水山梨糖醇单油酸酯、乙氧 基化含氟表面活性剂、聚氧乙烯（16)牛油乙基铵乙基硫酸盐、聚丙烯酸铵、含氟表面活性 齐U、聚丙烯酸酯及其组合。
16. 根据权利要求15所述的组合物，其中，基于所述组合物的总重量计，所述至少一种 表面活性剂的量为约0. 001重量％?约1重量％。
17. 根据前述权利要求中任一项所述的组合物，其中所述组合物包括过氧化脲、KOH、 KH2P04、HEDP、至少一种溶剂化剂和水，且所述pH在约7?约12范围内。
18. 根据前述权利要求中任一项所述的组合物，其中所述组合物包含过氧化脲、KOH、 KH2P04、5-磺基水杨酸、至少一种溶剂化剂和水，且所述pH在约7?约12范围内。
19. 根据前述权利要求中任一项所述的组合物，其中所述残留物和污染物包括CMP后 残留物和污染物，所述CMP后残留物和污染物选自来自CMP抛光浆料的颗粒、在所述CMP抛 光浆料中存在的化学品、所述CMP抛光浆料的反应副产物、富碳颗粒、抛光垫颗粒、铜和氧 化铜。
20. 根据前述权利要求中任一项所述的组合物，其还包含CMP后残留物和污染物。
21. -种从在其上具有残留物和污染物的微电子器件上清洁所述残留物和污染物的方 法，所述方法包括使所述微电子器件与根据权利要求1?20中任一项所述的组合物接触历 时足以从所述微电子器件上至少部分地清洁所述残留物和污染物的时间。
22. 根据权利要求21所述的方法，其中所述残留物和污染物包括CMP后残留物和污染 物。
23. 根据权利要求21或22所述的方法，其中所述接触包括选自以下的条件：时间为约 15秒?约5分钟；温度在约20°C?约50°C范围内；及其组合。
【文档编号】C09K3/14GK104508072SQ201380018815
【公开日】2015年4月8日 申请日期:2013年2月15日 优先权日:2012年2月15日
【发明者】刘俊, 杰弗里·A·巴尼斯, 埃马纽尔·I·库珀, 孙来生, 伊丽莎白·托马斯, 杰森·张 申请人:安格斯公司