一种存储器抗腐蚀抛光液的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种存储器抗腐蚀抛光液，其特征在于，包括下列重量份数的物质：烷基芳基磺酸钠7-16份，磷酸三钠9-11份，氯化铝5-8份，氯化钾9-13份，双酚A型聚碳酸酯14-23份，苯甲酸甲酯8-14份，聚乙烯醇11-14份，酒石酸5-7份，氯化钠6-13份，锌粉7-14份，氧化铅1-2份，羟乙基纤维素2-6份，氯化钙3-7份，助溶剂1-3份，润湿剂2-5份，十二烷基苯磺酸钠1-2份。本发明的抛光液性能稳定，抛光效果好，可满足制备纳电子相变存储器中工艺的需要。
【专利说明】一种存储器抗腐蚀抛光液
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及一种存储器抗腐蚀抛光液。
【背景技术】
[0002]相变存储器因具有高速读取、高可擦写次数、非易失性、元件尺寸小、功耗低、抗强震动和抗辐射、成本具有竞争力等优点，而被国际半导体行业协会认为是最有可能取代目前的闪存存储器的下一代非易失性存储器。相变存储器技术的基本原理是以硫系化合物为存储介质，利用电能使材料在晶态与非晶态(高阻)之间相互转换实现信息的写入与擦除，信息的读出则靠测量电阻的变化实现。存储单元包括由电介质材料定义的细孔，相变材料沉积在细孔中，相变材料在细孔的一端上连接电极。电极接触使电流通过该通道产生焦耳热对该单元进行编程，或者读取该单元的电阻状态。
[0003]目前，在构建相变存储单元时，通行的做法是:先通过磁控溅射的方法沉积相变材料在由电介质材料定义的细孔中，然后通过反应离子刻蚀CRIE)或者化学机械抛光的方法，将细空上方的相变材料进行去除。
【发明内容】
[0004]本发明所要解决的技术问题是提供一种存储器抗腐蚀抛光液。
[0005]为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是:
一种存储器抗腐蚀抛光液，其特征在于，包括下列重量份数的物质:烷基芳基磺酸钠7-16份，磷酸三钠9-11份，氯化铝5-8份，氯化钾9-13份，双酚A型聚碳酸酯14-23份，苯甲酸甲酯8-14份，聚乙烯醇11-14份，酒石酸5-7份，氯化钠6-13份，锌粉7-14份，氧化铅1-2份，羟乙基纤维素2-6份，氯化钙3-7份，助溶剂1-3份，润湿剂2-5份，十二烷基苯磺酸钠1-2份。
[0006]本发明的抛光液性能稳定，抛光效果好，可满足制备纳电子相变存储器中工艺的需要。
【具体实施方式】
[0007]实施例1
一种存储器抗腐蚀抛光液，其特征在于，包括下列重量份数的物质:烷基芳基磺酸钠7-16份，磷酸三钠9-11份，氯化铝5-8份，氯化钾9-13份，双酚A型聚碳酸酯14-23份，苯甲酸甲酯8-14份，聚乙烯醇11-14份，酒石酸5-7份，氯化钠6-13份，锌粉7-14份，氧化铅1-2份，羟乙基纤维素2-6份，氯化钙3-7份，助溶剂1-3份，润湿剂2-5份，十二烷基苯磺酸钠1-2份。
【权利要求】
1.一种存储器抗腐蚀抛光液，其特征在于，包括下列重量份数的物质:烷基芳基磺酸钠7-16份，磷酸三钠9-11份，氯化铝5-8份，氯化钾9-13份，双酚A型聚碳酸酯14-23份，苯甲酸甲酯8-14份，聚乙烯醇11-14份，酒石酸5-7份，氯化钠6-13份，锌粉7-14份，氧化铅1-2份，羟乙基纤维素2-6份，氯化钙3-7份，助溶剂1-3份，润湿剂2-5份，十二烷基苯磺酸钠1-2 份。
【文档编号】C09G1/02GK104046263SQ201410291901
【公开日】2014年9月17日 申请日期:2014年6月26日 优先权日:2014年6月26日
【发明者】范向奎 申请人:青岛宝泰新能源科技有限公司