一种硅晶片抛光液的制作方法

文档序号:11539885阅读:471来源:国知局

本发明涉及精细化工的技术领域,特别涉及一种硅晶片抛光液。



背景技术:

硅晶片抛光液主要用于硅晶片的抛光,需求量巨大。因此,本行业内需要开发一款抛光效果好的化学抛光剂。



技术实现要素:

本发明的目的是提供一种硅晶片抛光液,解决上述现有技术问题中的一个或者多个。

本发明提供一种硅晶片抛光液,按质量份数计包括以下组分:20份的硅溶胶磨料、0.1份的六羟丙基丙二胺、2份的四羟乙基乙二胺、0.1份的烷基醇酰胺、80份的去离子水。

具体实施方式

下面的实施案例,对本发明进行进一步详细的说明。

实施案例:

一种硅晶片抛光液,按质量份数计包括以下组分:20份的硅溶胶磨料、0.1份的六羟丙基丙二胺、2份的四羟乙基乙二胺、0.1份的烷基醇酰胺、80份的去离子水。

本发明实施案例的硅晶片抛光液,不腐蚀污染设备,容易清洗,且抛光速率快,平整性好,表面质量好。

以上表述仅为本发明的优选方式,应当指出,对本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明创造构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些也应视为发明的保护范围之内。



技术特征:

技术总结
本发明公开一种硅晶片抛光液,按质量份数计包括以下组分:20份的硅溶胶磨料、0.1份的六羟丙基丙二胺、2份的四羟乙基乙二胺、0.1份的烷基醇酰胺、80份的去离子水。该硅晶片抛光液,不腐蚀污染设备,容易清洗,且抛光速率快,平整性好,表面质量好。

技术研发人员:沈水平
受保护的技术使用者:沈水平
技术研发日:2017.06.18
技术公布日:2017.08.15
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