超薄硅胶膜的制备工艺及超薄硅胶膜的制作方法
【专利摘要】本发明涉及硅胶制备技术领域，具体涉及一种超薄硅胶膜的制备工艺及一种由该制备工艺制备的超薄硅胶膜。该制备工艺包括将硅胶制备原料均匀混合形成的硅胶混合物通过挤出成型机的狭缝挤出至气垫悬浮式烘干通道中进行烘烤得到成型的超薄硅胶膜的步骤，所述超薄硅胶膜的厚度为10μm～500μm，所述烘干通道中热空气形成气垫层。本发明的超薄硅胶膜的制备工艺采用狭缝挤出再悬浮烘干的方式，制备的硅胶膜厚度范围广，厚度易调节，硅胶膜无气孔，并且大大提高了生产效率，能够实现大规模生产；封闭式狭缝挤出成型，污染问题少；热空气垫悬浮烘烤，使薄膜均匀受热。
【专利说明】
超薄硅胶膜的制备工艺及超薄硅胶膜
技术领域
[0001]本发明涉及硅胶制备技术领域，具体涉及一种超薄硅胶膜的制备工艺及一种由该制备工艺制备的超薄硅胶膜。
【背景技术】
[0002]硅胶，具有极好的耐热与耐寒性能，可在-60?250°(:长期使用，优良的电气性能，是一种无毒材料，现广泛用于汽车、航天、电子、机器、生活用品、医用等方面。目前硅胶使用注塑或点胶方式，用于电子行业，芯片绝缘保护封装、导热防震等，厚度均在Imm左右，且效率低，应用受限。
[0003]鉴于此，克服以上现有技术中的缺陷，提供一种新的超薄硅胶膜的制备工艺成为本领域亟待解决的技术问题。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于针对现有技术的上述缺陷，提供一种新的超薄硅胶膜的制备工
-H-
O
[0005]本发明的目的可通过以下的技术措施来实现:
[0006]—种超薄硅胶膜的制备工艺，与现有技术相比，其不同之处在于，该制备工艺包括将硅胶制备原料均匀混合形成的硅胶混合物通过挤出成型机的狭缝挤出至气垫悬浮式烘干通道中进行烘干得到成型的超薄硅胶膜的步骤，所述超薄硅胶膜的厚度为ΙΟμπι?500μπι，所述烘干通道中热空气形成气垫层。
[0007]优选地，所述硅胶混合物由10?95%的乙烯基硅油、O?95%的含氢硅油，O?60%的填料以及催化剂均匀混合形成，其中，催化剂的浓度为I?lOOppm。
[0008]优选地，所述填料选自二氧化硅、二氧化钛、三氧化铝或氧化锆。
[0009]优选地，所述催化剂选自2，4-二氯过氧化苯甲酰(DCBP)、2，5_二甲基_2，5-双(过氧化叔丁基)己烧、过氧化二异丙苯(BP)、过氧化苯甲酰(DCP)、双叔丁基过氧化异丙基苯(BIPB)、或铂金。
[0010]优选地，硅胶混合物从挤出成型机的狭缝中挤出时挤出速度为I?50米/分钟。
[0011]优选地，挤出后的硅胶混合物在烘干通道中烘干温度为50°C?250 °C。
[0012]优选地，该制备工艺还包括如下步骤:
[0013]在所得超薄硅胶膜的前后两个表面分别贴合一层保护膜。
[0014]优选地，所述保护膜为PE膜、PET膜、PP膜、PEEK膜、PC膜、PI膜、PVC膜、BOPP膜、PS膜、CPP膜、格拉辛或牛皮纸。
[0015]本发明还提供了一种超薄硅胶膜，该超薄硅胶膜包括依次接合的第一保护膜、超薄硅胶膜和第二保护膜，其中，所述超薄硅胶膜的厚度为ΙΟμπι?500μπι，所述超薄硅胶膜由硅胶制备原料均匀混合形成的硅胶混合物通过挤出成型机的狭缝挤出至气垫悬浮式烘干通道中烘干形成。
[0016]优选地，所述硅胶混合物由10?95%的乙烯基硅油、O?95%的含氢硅油，O?60%的填料以及催化剂均匀混合形成，其中，催化剂的浓度为I?lOOppm。
[0017]本发明的超薄硅胶膜的制备工艺采用狭缝挤出再悬浮烘干的方式，制备的硅胶膜厚度范围广，厚度易调节，硅胶膜无气孔，并且大大提高了生产效率，能够实现大规模生产；封闭式狭缝挤出成型，污染问题少;热空气垫悬浮烘烤，使薄膜均匀受热。
【附图说明】
[0018]图1是本发明的超薄硅胶膜的结构示意图。
【具体实施方式】
[0019]为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0020]本实施例提供了一种超薄硅胶膜的制备工艺，其包括将硅胶制备原料均匀混合形成的硅胶混合物通过挤出成型机的狭缝挤出至气垫悬浮式烘干通道中进行烘干得到成型的超薄硅胶膜的步骤，所述超薄硅胶膜的厚度为ΙΟμπι?500μπι，所述烘干通道中热空气形成气垫层。
[0021]具体地，上述制备工艺采用狭缝挤出再悬浮烘干的方式，制备的硅胶膜厚度范围广(ΙΟμπι?500μπι)，厚度易调节，硅胶膜无气孔，并且大大提高了生产效率，能够实现大规模生产;封闭式狭缝挤出成型，污染问题少;热空气垫悬浮烘烤，使薄膜均匀受热。
[0022]在一个优选实施方式中，为了进一步提高超薄硅胶膜的成型性能，使得制备出的超薄硅胶模适合用于制备弹性器件，例如，应用于医疗产品或体育用品中，对硅胶制备原料及其配比进行了调整，所述硅胶混合物由10?95%的乙烯基硅油、O?95%的含氢硅油，O?60 %的填料以及催化剂均勾混合形成，其中，催化剂的浓度为I?10ppm。
[0023]在更进一步地优选方案中，填料选自二氧化硅、二氧化钛、三氧化铝或氧化锆；催化剂选2，4-二氯过氧化苯甲酰(DCBP)、2，5-二甲基-2，5-双(过氧化叔丁基)己烷、过氧化二异丙苯(BP)、过氧化苯甲酰(DCP)、双叔丁基过氧化异丙基苯(BIPB)、铂金。
[0024]硅胶混合物从挤出成型机的狭缝中挤出时挤出速度、以及挤出后的硅胶混合物在烘干通道中烘干温度与硅胶膜的厚度有关，具体参见下述实施例1至实施例7的数据。
[0025]在一个优选实施方式中，硅胶混合物从挤出成型机的狭缝中挤出时挤出速度为I?50米/分钟;挤出后的硅胶混合物在烘干通道中烘干温度为500C?2500C。
[0026]在所得超薄硅胶膜的前后两个表面分别贴合一层保护膜，得到图1所示的超薄硅胶膜，该超薄硅胶膜10包括依次接合的第一保护膜101、超薄硅胶膜102和第二保护膜103，其中，所述超薄娃胶膜102的厚度为ΙΟμπι?500μηι，所述超薄娃胶膜102由娃胶制备原料均勾混合形成的硅胶混合物通过挤出成型机的狭缝挤出至气垫悬浮式烘干通道中烘干形成。所述第一保护膜101、第二保护膜103为PE膜、PET膜、PP膜、PEEK膜、PC膜、PI膜、PVC膜、BOPP膜、PS膜、CPP膜、格拉辛或牛皮纸。
[0027]实施例1:
[0028]本实施例提供了一种超薄硅胶膜的制备工艺，依次包括如下步骤:
[0029]步骤I:将100份的乙烯基含量0.15且分子量60000的硅油，3份含氢量0.2的硅油，20份的气相白炭黑以及催化剂均匀混合，得到硅胶混合物，其中，催化剂为铂金，催化剂的浓度为I Oppm。
[0030]步骤2:将硅胶混合物通过挤出成型机的狭缝挤出至气垫悬浮式烘干通道中烘干，得到超薄硅胶膜。
[0031]步骤I中的填料和催化剂参见以上内容。步骤2中硅胶混合物从挤出成型机的狭缝中挤出时挤出速度为I米/分钟，挤出后的硅胶混合物在烘干通道中烘干温度为50 0C。
[0032]制成硅胶膜厚度为1ym，制成硅胶膜拉伸形变率为100%。
[0033]实施例2:
[0034]本实施例提供了一种超薄硅胶膜的制备工艺，依次包括如下步骤:
[0035]步骤I:将200份的乙烯基含量0.15且分子量50000的硅油、I份含氢量0.2的硅油，35份的气相白炭黑以及铂金催化剂均匀混合，得到硅胶混合物，其中，催化剂的浓度为12ppm。
[0036]步骤2:将硅胶混合物通过挤出成型机的狭缝挤出至气垫悬浮式烘干通道中烘干，得到超薄硅胶膜。
[0037]步骤I中的填料和催化剂参见以上内容。步骤2中硅胶混合物从挤出成型机的狭缝中挤出时挤出速度为7米/分钟，挤出后的硅胶混合物在烘干通道中烘干温度为120 0C。
[0038]制成硅胶膜厚度为35μπι，制成硅胶膜拉伸形变率为240%。
[0039]实施例3:
[0040]本实施例提供了一种超薄硅胶膜的制备工艺，依次包括如下步骤:
[0041 ] 步骤1:将300份的乙烯基含量0.15且分子量70000的硅油，40份的沉淀白炭黑以及催化剂均匀混合，得到硅胶混合物，其中，催化剂为2，4_二氯过氧化苯甲酰，催化剂的浓度为20ppm。
[0042]步骤2:将硅胶混合物通过挤出成型机的狭缝挤出至气垫悬浮式烘干通道中烘干，得到超薄硅胶膜。
[0043]步骤I中的填料和催化剂参见以上内容。步骤2中硅胶混合物从挤出成型机的狭缝中挤出时挤出速度为8米/分钟，挤出后的硅胶混合物在烘干通道中烘干温度为110 °C。
[0044]制成硅胶膜厚度为40μπι，制成硅胶膜拉伸形变率为250%。
[0045]实施例4:
[0046]本实施例提供了一种超薄硅胶膜的制备工艺，依次包括如下步骤:
[0047]步骤I:将100份的乙烯基含量0.15且分子量70000的硅油，3份含氢量0.2的硅油，20份的气相白炭黑以及催化剂均匀混合，得到硅胶混合物，其中，催化剂为铂金，催化剂的浓度为I Oppm。
[0048]步骤2:将硅胶混合物通过挤出成型机的狭缝挤出至气垫悬浮式烘干通道中烘干，得到超薄硅胶膜。
[0049]步骤I中的填料和催化剂参见以上内容。步骤2中硅胶混合物从挤出成型机的狭缝中挤出时挤出速度为1米/分钟，挤出后的硅胶混合物在烘干通道中烘干温度为120 0C。
[0050]制成硅胶膜厚度为50μπι，制成硅胶膜拉伸形变率为300%。
[0051 ] 实施例5:
[0052]本实施例提供了一种超薄硅胶膜的制备工艺，依次包括如下步骤:
[0053]步骤1:将300份的乙烯基含量0.15的硅油，40份的沉淀白炭黑以及催化剂均匀混合，得到硅胶混合物，其中，催化剂为过氧化苯甲酰，催化剂的浓度为20ppm。
[0054]步骤2:将硅胶混合物通过挤出成型机的狭缝挤出至气垫悬浮式烘干通道中烘干，得到超薄硅胶膜。
[0055]步骤I中的填料和催化剂参见以上内容。步骤2中硅胶混合物从挤出成型机的狭缝中挤出时挤出速度为12米/分钟，挤出后的硅胶混合物在烘干通道中烘干温度为125 °C。
[0056]制成硅胶膜厚度为60μπι，制成硅胶膜拉伸形变率为350%。
[0057]实施例6:
[0058]本实施例提供了一种超薄硅胶膜的制备工艺，依次包括如下步骤:
[0059]步骤1:将300份的乙烯基含量0.15且分子量80000的硅油、9份含氢量0.2的硅油，40份的沉淀白炭黑以及催化剂均匀混合，得到硅胶混合物，其中，催化剂为铂金，催化剂的浓度为I Oppm。
[0060]步骤2:将硅胶混合物通过挤出成型机的狭缝挤出至气垫悬浮式烘干通道中烘干，得到超薄硅胶膜。
[0061]步骤I中的填料和催化剂参见以上内容。步骤2中硅胶混合物从挤出成型机的狭缝中挤出时挤出速度为15米/分钟，挤出后的硅胶混合物在烘干通道中烘干温度为130 0C。
[0062]制成硅胶膜厚度为75μπι，制成硅胶膜拉伸形变率为400%。
[0063]实施例7:
[0064]本实施例提供了一种超薄硅胶膜的制备工艺，依次包括如下步骤:
[0065]步骤1:将200份的乙烯基含量0.15且分子量60000的硅油，35份的气相白炭黑以及过氧化苯甲酰催化剂均匀混合，得到硅胶混合物，其中，催化剂的浓度为22ppm。
[0066]步骤2:将硅胶混合物通过挤出成型机的狭缝挤出至气垫悬浮式烘干通道中烘干，得到超薄硅胶膜。
[0067]步骤I中的填料和催化剂参见以上内容。步骤2中硅胶混合物从挤出成型机的狭缝中挤出时挤出速度为50米/分钟，挤出后的硅胶混合物在烘干通道中烘干温度为150 0C。
[0068]制成硅胶膜厚度为ΙΟΟμπι，制成硅胶膜拉伸形变率为500%。
[0069]以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种超薄硅胶膜的制备工艺，其特征在于，该制备工艺包括将硅胶制备原料均匀混合形成的硅胶混合物通过挤出成型机的狭缝挤出至气垫悬浮式烘烤通道中进行烘烤得到成型的超薄硅胶膜的步骤，所述超薄硅胶膜的厚度为ΙΟμπι?500μπι，所述烘干通道中热空气形成气垫层。2.根据权利要求1所述的超薄硅胶膜的制备工艺，其特征在于，所述硅胶混合物由10?95%的乙烯基硅油、O?95%的含氢硅油，O?60 %的填料以及催化剂均匀混合形成，其中，催化剂的浓度为I?I OOppm。3.根据权利要求2所述的超薄硅胶膜的制备工艺，其特征在于，所述填料选自二氧化娃、二氧化钛、三氧化铝或氧化错。4.根据权利要求2所述的超薄硅胶膜的制备工艺，其特征在于，所述催化剂选自2，4-二氯过氧化苯甲酰、2，5-二甲基-2，5-双(过氧化叔丁基)己烷、过氧化二异丙苯、过氧化苯甲酰、双叔丁基过氧化异丙基苯或铂金。5.根据权利要求1所述的超薄硅胶膜的制备工艺，其特征在于，硅胶混合物从挤出成型机的狭缝中挤出时挤出速度为I?50米/分钟。6.根据权利要求1所述的超薄硅胶膜的制备工艺，其特征在于，挤出后的硅胶混合物在烘干通道中烘干温度为50 °C?250 °C。7.根据权利要求1至6任一所述的超薄娃胶膜的制备工艺，其特征在于，该制备工艺还包括如下步骤: 在所得超薄硅胶膜的前后两个表面分别贴合一层保护膜。8.根据权利要求7所述的超薄硅胶膜的制备工艺，其特征在于，所述保护膜为PE膜、PET膜、PP膜、PEEK膜、PC膜、PI膜、PVC膜、BOPP膜、PS膜、CPP膜、格拉辛或牛皮纸。9.一种超薄硅胶膜，其特征在于，该超薄硅胶膜包括依次接合的第一保护膜、超薄硅胶膜和第二保护膜，其中，所述超薄硅胶膜的厚度为ΙΟμπι?500μπι，所述超薄硅胶膜由硅胶制备原料均匀混合形成的硅胶混合物通过挤出成型机的狭缝挤出至气垫悬浮式烘干通道中烘干形成。10.根据权利要求9所述的超薄硅胶膜，其特征在于，所述硅胶混合物由10?95%的乙烯基硅油、O?95 %的含氢硅油、O?60 %的填料以及催化剂均匀混合形成，其中，催化剂的浓度为I?lOOppm。
【文档编号】B65B33/00GK106003641SQ201610304324
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年5月10日
【发明人】许彩霞, 陈春元, 孙金永
【申请人】深圳市摩码克来沃化学科技有限公司