专利名称：旋转清洗干式槽的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种旋转清洗干式槽，特别涉及一种可改善洗净效率与洁净度的旋转清洗干 式槽。
背景技术：
在半导体工艺中，化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing , CMP)是一个必要的 步骤，而CMP后晶片清洗则是CMP工艺中不可分割的一部份。晶片洗净的技术与洁净度 (Cleanliness)是影响工艺成品率(Yield)及组件质量重要的因素之一，在CMP工艺之后， 晶片必须立刻彻底地清洗，否则会在晶片表面上产生很多缺陷。CMP后晶片清洗的目的，在于清洁移除晶片表面的脏污与残余的研磨浆粒子以及其它在 CMP工艺期间因研磨浆、衬垫以及调整工具所引起的化学污染物。而自旋干燥是在晶片旋转清 洗干燥中最常釆用的技术，自旋所引起的离心力会驱赶洗涤水膜流向晶片边缘及离开晶片。 因为晶片中心的离心力比较低，所以并配合空气过滤器所喷出极清洁的干燥空气或是氮气气 流都可以从晶片中心协助驱赶和蒸发干残留的水分与微粒。但当旋转清洗干燥程序完成时，因为上盖的设计不良，晶片上仍然发生水痕污染(Water mark)。请参阅图1，现有技术中一垂直晶片载具02承载固定住一晶片04，在垂直晶片载具 02的一侧有一平行于其的上盖06，当垂直晶片载具02旋转清洗干燥过程中，晶片04表面的 洗涤水10就因为离心力的关系，被抛甩至上盖06边缘部分的一朝向垂直晶片载具02方向倾 斜且靠近垂直晶片载具02方向弯折形成的一弯折部08,加上上盖06为亲水性材质，常造成 弯折部08处累积水珠。因此，旋转清洗干燥过程后，当上盖06开关时，附着于弯折部08上 的洗涤水10水珠就会被震落而沿着洗涤水的流向12滴至晶片04表面而形成水痕污染。因此，本发明针对上述的问题，提出一种旋转清洗干式槽，以解决上述问题。 发明内容本发明的一目的在于，提供一种旋转清洗干式槽，它可以避免洗搽水滴落至晶片上，以 改善因现有上盖设计不良所造成的水痕污染。本发明的另一目的在于，提供一种旋转清洗干式槽，它提供的弯折部内侧可设有一利用
毛细现象可将该洗錄水导离的材质，可使水珠不容易附着于弯折部内侧。本发明的再一目的在于，提供一种旋转清洗干式槽之改良装置，它提供的弯折部内侧可 设有至少一导沟，可将洗涤水导离，减少水珠的累积量。为达上述目的，本发明提供一种旋转清洗干式槽，包括一垂直晶片载具承载固定住一晶 片，且利用高速旋转下产生的离心力，将晶片上因清洗研磨剂所引起的污染物的洗涤水甩离 旋干； 一上盖是在垂直晶片载具的一侧，且平行于垂直晶片载具，此上盖的边缘部份是朝向 垂直晶片载具方向倾斜且远离垂直晶片载具方向弯折形成一弯折部，其可以在晶片进行旋转 清洗干燥过程中将洗涤水导离于一方向流出。本发明提供的旋转清洗干式槽，当旋转清洗干燥过程中，洗涤水会沿着倾斜流向流出而 不会累积在弯折部，且于旋转清洗干燥过程后，开关上盖时洗涤水也不会滴落至晶片表面而 形成水痕污染，改善了洗净的效率与洁净度，进而达到降低成本、提升工艺成品率以及组件 质量的功效。以下结合附图及实施例进一步说明本发明。
图1为现有旋转清洗干式槽部份结构示意图；图2为本发明的结构示意图；图3为本发明的上盖示意图。标号说明02垂直晶片载具04晶片06上盖08弯折部10洗涤水12洗涤水之流向14垂直晶片载具16晶片18上盖20弯折部
22洗涤水24洗涤水的流向26 导沟具体实施方式
一种旋转清洗干式槽，应用于晶片化学机械抛光中的旋转清洗干燥过程，首先请同时参 阅图2，本发明系包括一垂直晶片载具14和一上盖18,垂直晶片载具14承载固定住一晶片 16，在垂直晶片载具14的一侧有一平行于垂直晶片载具14的上盖18,而上盖18的边缘部份 是朝向垂直晶片载具14方向倾斜且远离垂直晶片载具14方向弯折形成一弯折部20，当垂直 晶片载具14于旋转清洗干燥过程中，晶片16表面的洗涤水22就因离心力的关系，被抛甩至 上盖18的弯折部20，洗涤水22会沿着洗涤水之流向24流出而不会累积在弯折部20。上述 弯折部20内侧还可设有一利用毛细现象可将洗涤水22导离的材质，或是如图3所示的导沟 26。因此，当上盖18开关时，附着于弯折部20内侧的洗涤水22水珠就算被震落也会沿着洗 涤水的流向24流出，而不会流至晶片16表面而形成水痕污染，可以大幅减少水痕污染的机会。综上，本发明提供的旋转清洗干式槽，主要包括一用以承载固定住一晶片的垂直晶片载 具和一平行于垂直晶片载具的上盖，其上盖边缘部分的弯折部是朝向垂直晶片载具方向倾斜 且远离垂直晶片载具方向，当旋转清洗干燥过程中，洗涤水会沿着倾斜流向流出而不会累积 在弯折部，且于旋转清洗干燥过程后，开关上盖时洗涤水也不会滴落至晶片表面而形成水痕 污染，改善了洗净的效率与洁净度，进而达到降低成本、提升工艺成品率以及组件质量的功 效。以上所述的仅为本发明一较佳实施例而已，并非用来限定本发明实施的范围，因此凡依 照本发明申请专利范围所述的形状、构造、特征及精神所作的等同变化与修饰，均应涵盖在 本发明的专利保护范围内。
权利要求
1、一种旋转清洗干式槽，其特征在于包括用来承载固定住一晶片的一垂直晶片载具，且该垂直晶片载为一利用高速旋转下产生的离心力将该晶片上因清洗研磨剂所引起的污染物之洗涤水甩离旋干的载具；以及位于该垂直晶片载具一侧的一上盖，，且该上盖平行于该垂直晶片载具，该上盖的边缘部份朝向该垂直晶片载具方向倾斜且远离该垂直晶片载具方向弯折形成一可在该晶片进行旋转清洗干燥过程中将该洗涤水导离于一方向流出的弯折部。
2、 如权利要求1所述的旋转清洗干式槽，其特征在于该上盖的弯折部内侧设有一利用毛细 现象将该洗涤水导离的材质。
3、 如权利要求1所述的旋转清洗干式槽，其特征在于该上盖的弯折部内侧至少设有一导沟。
全文摘要
本发明提供一种旋转清洗干式槽，其包括一用以承载固定住一晶片的垂直晶片载具和一平行于垂直晶片载具的上盖，上盖边缘部分的弯折部是朝向垂直晶片载具方向倾斜且远离垂直晶片载具方向，当旋转清洗干燥过程中，洗涤水会沿着倾斜流向流出而不会累积在弯折部，且于旋转清洗干燥过程后，开关上盖时洗涤水也不会滴落至晶片表面而形成水痕污染，改善了洗净的效率与洁净度，进而达到降低成本、提升工艺成品率以及组件质量的功效。
文档编号F26B7/00GK101158539SQ20061011692
公开日2008年4月9日 申请日期2006年10月8日 优先权日2006年10月8日
发明者江志峯, 黄文忠 申请人:上海宏力半导体制造有限公司