专利名称：真空炉防漏保护装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种真空炉防漏保护装置。
技术背景 真空炉主要用于提炼某种特定高纯度的金属或非金属单质，如提炼高纯度的黄金 或高纯度的硅等。但是在提炼过程中、在密封的炉体内一般炉温都高达170(TC以上，在如此 高的温度下，真空炉中盛放原料液的坩埚容易产生破裂而造成原料液渗漏，高达170(TC以 上的料液渗漏而滴落到真空炉的炉体底部后，由于炉体底部无法承受如此的高温，而使炉 体被击穿，造成炉体夹层中的冷却水，瞬间遇高温而被分解产生大量的气体，使炉体内瞬间 产生高压气体而发生爆炸。但是国内外至今还无法解决因坩埚破裂而产生的料液击穿真空 炉底而产生的爆炸问题
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术存在的上述缺陷，提供一种安全可靠、即使
坩埚破裂、也不会因料液渗漏而击穿真空炉底而造成爆炸的真空炉防漏保护装置。
本实用新型的技术方案如下它是与真空炉底形状相吻合的容器。 该容器采用下列重量分数比的物质配方混合制成电极糊80 95%，碳化硅2
8%，三氧化二铝1 9%，氧化镁2 7%，碳酸钠溶液1 9%，水1 8%为主成分，构成
100%的混合比；以硅酸钠粉剂为粘胶剂，添加量为主成分总量的10 20%。 本实用新型具有硬度高、可耐受240(TC高温和真空高压的优点，能够确保在真空
炉内熔炼坩埚破裂、被熔炼的液态原料渗漏的情况下，真空炉体不发生爆炸，并且成本低使
用寿命长。
图1是本实用新型的一种结构的示意图。 图2是本实用新型另一种结构的示意图。 标号说明1容器、2轴孔、3内边沿、4外边沿。
具体实施方式
如图l所示，本发明为中间设有轴孔、底部为偏平形(如图l所示)的或圆弧形 (如图2所示)、在轴孔边和外侧边分别设有向上凸起的内边沿和外边沿的环形容器。外边 沿的外径与高压真空炉内壁面的内径相吻合。 实施例1 :本实用新型的真空炉防漏保护装置是由下列重量分数比的物质混合制 成电极糊80 % ，碳化硅5 % ，三氧化二铝5 % ，氧化镁5 % ，碳酸钠溶液(浓度为95 % ) 3 % ， 水2 %;其中，碳化硅5 % ，三氧化二铝5 % ，氧化镁5 %均为粉末。以电极糊、碳化硅、三氧化 二铝、氧化镁为主要原料，以硅酸钠粉剂(俗称水玻璃)为粘合剂，采用超纯水将上述物质进行混合搅拌均匀后，铸模成型，然后通过高温煅烧、压型等工序加工而成，在煅烧过程中 由于水分不断蒸发，导致煅烧的模型不断縮小，所以需要不断往模具中填充模型的上述混 合材料，并压实，以保证整体密度一致、受热均匀不易开裂。煅烧过程需要持续6小时左右， 并经过自然冷却后方可从模具中取出模型。
权利要求一种真空炉防漏保护装置，其特征在于它是与真空炉底形状相吻合的容器。
2. 根据权利要求1所述的真空炉防漏保护装置，其特征在于所述的容器为中间设有 轴孔、底部为偏平形的或圆弧形、在轴孔边和外侧边均设有向上凸起的外边沿的环形容器； 外边沿的外径与高压真空炉内壁面的内径相吻合。
专利摘要本实用新型涉及一种真空炉防漏保护装置。本实用新型的技术方案如下它是与真空炉底形状相吻合的容器。本实用新型具有硬度高、可耐受2400℃高温和真空高压的优点，能够确保在真空炉内熔炼坩埚破裂、被熔炼的液态原料渗漏的情况下，真空炉体不发生爆炸，并且成本低使用寿命长。
文档编号F27B14/10GK201476550SQ200920306380
公开日2010年5月19日 申请日期2009年7月17日 优先权日2009年7月17日
发明者吴雄 申请人:龙岩市龙创硅业有限公司;吴雄