一种半导体致冷器驱动电路的制作方法

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一种半导体致冷器驱动电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种半导体致冷器驱动电路。
【背景技术】
[0002]在半导体致冷器控温电路中,经常使用继电器控制半导体致冷器的温度,继电器的使用寿命只有10万次,在连续使用的场合,继电器很快就会失效,而且继电器响应速度慢,不能在半导体致冷器精密控温电路中使用。功率M0S管具有响应速度快、使用寿命长、可靠性高的特点,使用功率M0S管驱动半导体致冷器,可以实现半导体致冷器致冷温度的精密控制。

【发明内容】

[0003]为了解决上述问题,本实用新型提供一种半导体致冷器驱动电路,用于解决半导体致冷器致冷温度精密控制的驱动问题。
[0004]本实用新型所采用的技术如下:一种半导体致冷器驱动电路,包括光电池的控制驱动电路,驱动M0S管的光电池电路,驱动半导体致冷器的M0S管电路和半导体致冷电路。
[0005]光电池的控制驱动电路包括第一电阻,第二电阻,第三电阻和晶体三极管,第一电阻的一端与控制电压连接,第一电阻的另一端与第二电阻的一端、晶体三极管的基极连接,第二电阻的另一端与第三电阻的一端、晶体三极管发射极连接,晶体管的集电极与电源V+连接。
[0006]驱动M0S管的光电池电路包括光电池,二极管和第四电阻,光电池的第一脚与第三电阻的另一端、二极管的阴极连接,光电池的第二脚与二极管的阳极连接并接地,光电池的第五脚与M0S管栅极、第四电阻的一端连接,光电池的第八脚与M0S管源极、第四电阻的另一端、半导体致冷器的一端连接。
[0007]驱动半导体致冷器的M0S管电路包括功率M0S管,M0S管栅极与光电池的第五脚、第四电阻的一端连接,M0S管漏极与电源VL连接,M0S管源极与光电池的第八脚、第四电阻的另一端、半导体致冷器的一端连接。
[0008]半导体致冷电路包括半导体致冷器和第五电阻,半导体致冷器的一端与M0S管源极、光电池的第八脚、第四电阻的另一端连接,半导体致冷器的另一端与第五电阻的一端连接,第五电阻的另一端接地。
[0009]本实用新型使用光电池驱动功率M0S管可以实现控制电路与执行电路的隔离,提高了控温精度,光电池可以输出较高的电压驱动功率M0S管,简化了 M0S管驱动电路,同时温控电路可以长期连续工作,提高了系统的可靠性,降低了维修成本。
【附图说明】
[0010]图1是本实用新型半导体致冷器驱动电路的实施例1电原理框图。
[0011]图2是本实用新型半导体致冷器驱动电路的实施例1电原理图。
【具体实施方式】
[0012]下面根据附图举例对本实用新型作进一步的说明:
[0013]实施例1
[0014]—种半导体致冷器驱动电路,包括光电池的控制驱动电路,驱动M0S管的光电池电路,驱动半导体致冷器的M0S管电路和半导体致冷器。
[0015]光电池的控制驱动电路包括第一电阻R1,第二电阻R2,第三电阻R3和晶体三极管Q1,第一电阻R1的一端与控制电压连接,第一电阻R1的另一端与第二电阻R2的一端、晶体三极管Q1的基极连接,第二电阻R2的另一端与第三电阻R3的一端、晶体三极管Q1发射极连接,晶体管Q1的集电极与电源V+连接。
[0016]驱动M0S管的光电池电路包括光电池U1,二极管D1和第四电阻R4,光电池U1的第一脚与第三电阻R3的另一端、二极管D1的阴极连接,光电池U1的第二脚与二极管D1的阳极连接并接地,光电池U1的第五脚与M0S管Q2栅极、第四电阻R4的一端连接,光电池U1的第八脚与M0S管Q2源极、第四电阻R4的另一端、半导体致冷器ZLQ的一端连接。
[0017]驱动半导体致冷器的M0S管电路包括功率M0S管Q2,M0S管Q2栅极与光电池U1的第五脚、第四电阻R4的一端连接,M0S管Q2漏极与电源VL连接,M0S管Q2源极与光电池U1的第八脚、第四电阻R4的另一端、半导体致冷器ZLQ的一端连接。
[0018]半导体致冷电路包括半导体致冷器ZLQ和第五电阻R5,半导体致冷器ZLQ的一端与M0S管Q2源极、光电池U1的第八脚、第四电阻R4的另一端连接,半导体致冷器ZLQ的另一端与第五电阻R5的一端连接,第五电阻R5的另一端接地;
[0019]第一电阻R1的阻值大小为1千欧,第二电阻R2的阻值大小为430千欧,第三电阻R3的阻值大小为430欧,第四电阻R4的阻值大小为10兆欧,第五电阻R5的阻值大小为0.1欧,二极管D1为1N4148 二极管,晶体三极管Q1采用S9013,功率M0S管Q2采用IRFP044,光电池U1采用LH1262,输出电压14V的光电池,半导体致冷器ZLQ为三级致冷,最大致冷电流为1A,控制电路供电电源V+为12V,制冷电源VL为7V。
[0020]本实用新型的半导体致冷器驱动电路,采用分立电子元器件搭建,第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3,三极管Q1组成光电池驱动电路,控制信号VK为高电平时,该驱动电路为光电池提供10毫安的驱动电流,激活光电池,光电池输出电压为14V,功率M0S管导通,半导体致冷器致冷,控制信号为低电平时,驱动光电池的电流为零,光电池输出电压为零,功率M0S管截止,半导体致冷器停止致冷,实现了半导体致冷器的温度控制,第四电阻R4是功率M0S管Q2的栅极电阻,第五电阻R5是采样电阻,系统可以根据R5两端电压换算成的致冷电流值,供给致冷电流限流保护电路使用。
【主权项】
1.一种半导体致冷器驱动电路,包括光电池的控制驱动电路,驱动MOS管的光电池电路,驱动半导体致冷器的MOS管电路和半导体致冷电路,其特征在于: 所述的光电池的控制驱动电路包括第一电阻(R1),第二电阻(R2),第三电阻(R3)和晶体三极管(Q1),第一电阻(R1)的一端与控制电压连接,第一电阻(R1)的另一端与第二电阻(R2)的一端、晶体三极管(Q1)的基极连接,第二电阻(R2)的另一端与第三电阻(R3)的一端、晶体三极管(Q1)发射极连接,晶体管(Q1)的集电极与电源V+连接; 所述的驱动MOS管的光电池电路包括光电池(U1),二极管(D1)和第四电阻(R4),光电池(U1)的第一脚与第三电阻(R3)的另一端、二极管(D1)的阴极连接,光电池(U1)的第二脚与二极管(D1)的阳极连接并接地,光电池(U1)的第五脚与MOS管(Q2)栅极、第四电阻(R4)的一端连接,光电池(U1)的第八脚与MOS管(Q2)源极、第四电阻(R4)的另一端、半导体致冷器(ZLQ)的一端连接; 所述的驱动半导体致冷器的MOS管电路包括功率MOS管(Q2),M0S管(Q2)栅极与光电池(U1)的第五脚、第四电阻(R4 )的一端连接,MOS管(Q2 )漏极与电源VL连接,MOS管(Q2 )源极与光电池(U1)的第八脚、第四电阻(R4)的另一端、半导体致冷器(ZLQ)的一端连接;所述的半导体致冷电路包括半导体致冷器(ZLQ)和第五电阻(R5),半导体致冷器(ZLQ)的一端与MOS管(Q2)源极、光电池(U1)的第八脚、第四电阻(R4)的另一端连接,半导体致冷器(ZLQ)的另一端与第五电阻(R5)的一端连接,第五电阻(R5)的另一端接地。
【专利摘要】一种半导体致冷器驱动电路,包括晶体三极管,MOS管,第一、二、三、四、五电阻,二极管,光电池,半导体致冷器;第一电阻一端与控制电压连接,另一端与第二电阻一端、晶体三极管基极连接,第二电阻另一端与第三电阻一端、晶体三极管发射极连接,晶体三极管集电极与电源V+连接,第三电阻另一端与二极管阴极、光电池第一脚连接,二极管阳极、光电池第二脚接地,光电池第五脚与第四电阻一端、MOS管栅极连接,光电池第八脚与第四电阻另一端、MOS管源极和半导体致冷器一端连接,MOS管漏极与电源VL连接,半导体致冷器另一端与第五电阻一端连接,第五电阻第二端接地。本实用新型提高了控温精度。
【IPC分类】F25B49/00, F25B21/02
【公开号】CN205026989
【申请号】CN201520761059
【发明人】王明波
【申请人】哈尔滨新世科技有限责任公司
【公开日】2016年2月10日
【申请日】2015年9月29日
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