清除硅基板切割后残留的硅碎片的方法

文档序号:4832358阅读:315来源:国知局
专利名称:清除硅基板切割后残留的硅碎片的方法
技术领域
本发明关于一种清除硅基板上粘附的碎片的方法,且特别是一种在硅基液 晶显示器制造过程中,清除硅基板切割后残留的硅碎片的方法。
背景技术
硅基液晶(Liquid Crystal on Silicon, LCOS)是制作在单晶硅或多晶硅上 的一种液晶显示器件,与传统的显示技术相比具有尺寸小、分辨率高的特点, 因而受到广大消费者的欢迎。
硅基液晶显示器在制造过程中,通常都需要用到硅片切割机来切割硅基 板,传统的硅基板切割工序用到一片圆形切割刀,高速地切开硅基板,在这个 过程中会产生大量硅碎片,部分硅碎片在切割过程中被水冲洗掉,部分硅碎片 会粘附在灌液晶口的附近,这些粘附在灌液晶口附近的硅碎片有的是因静电而 牢牢的粘附在硅基板上的,有些则是比较松动的卡在粗糙的表面。那些比较松 动的卡在硅基板表面的硅碎片会在后续灌液晶的过程中,掉入液晶里,并随着 液晶自由漂流, 一些厚度比盒厚还要小的硅碎片还会随着液晶进入芯片内。
灌满液晶后的芯片会装上光机进行测试,光机上面的单色光照射在芯片 上,然后折射到一块较远的白幕上。单色光的偏振方向可以控制到白幕上的画 面变得全黑,然后观看全黑的画面有没有受到干扰。如果芯片内存在硅碎片, 就会破坏偏振方向从而使该硅碎片位置上的光走漏了出来而成为光点,进而影 响成品硅基液晶显示器的质量。

发明内容
因此本发明的目的在于提供一种清除硅基板切割后残留的硅碎片的方法, 其通过使用低纯水与高频超声波可有效清除硅基板灌液晶口附近的松动的硅 碎片,从而避免后续灌液晶的过程中硅碎片随液晶进入芯片内,保证硅基液晶显示器的质量。
根据本发明的上述目的,提出一种清除硅基板切割后残留的硅碎片的方 法,包括以下步骤
步骤l:用高频超声波加低纯水喷洒清洗硅基板灌液晶口附近位置;
步骤2:用高压喷水将振松的硅碎片冲走;
步骤3:干燥硅基板。
本发明通过以上步骤,硅基板灌液晶口附近松动的硅碎片被有效清除,使 后续芯片在灌液晶时,不会因硅碎片掉进液晶而使芯片在光机测试中产生光 点,进而保证硅基液晶显示器的成品质量。


下面结合附图,通过对本发明的具体实施方式
详细描述,将使本发明的 技术方案及其他有益效果显而易见。
附图中,
图l为本发明清除硅基板切割后残留的硅碎片的方法的流程图。
具体实施例方式
参阅图1 ,其为本发明清除硅基板切割后残留的硅碎片的方法的流程图。 该方法包括以下步骤
步骤l:用高频超声波加低纯水喷洒清洗硅基板灌液晶口附近位置;
该步骤中,高频超声波可将微米以下的硅碎片振松,低纯水可避免喷洒过 程中产生静电。此过程至少持续l分钟,更佳的是至少1.5分钟。
此过程中所用低纯水可采用如下的制备流程得到普通水——粗过滤一 —活性碳过滤——电渗析离子交换(离子交换树脂)——紫外光杀菌——微过 滤——低纯水。在制备低纯水过程中每一步骤的实现均可采用现有技术。
步骤2:用高压喷水将振松的硅碎片冲走;
经过步骤l之后,卡在硅基板表面的硅碎片被振松,此时再用高压喷水将 振松的硅碎片冲走。这个过程需要至少l分钟,更佳的是至少1.5分钟。
步骤3:干燥硅基板。
该步骤中,采用旋转的方式来干燥硅基板, 一方面是通过旋转将硅基板上残余的水珠甩掉,达到干燥的目的,另一方面是通过旋转使硅基板上残余的硅 碎片也一并随水珠甩掉,达到更进一步清除硅基板上粘附的硅碎片的目的。
通过本发明上述步骤,硅基板灌液晶口附近松动的硅碎片被有效清除,因 此,后续在灌液晶时,就不会因硅基板表面的硅碎片掉进液晶而给芯片在光机 测试中产生光点。
以上所述,对于本领域的普通技术人员来说,可以根据本发明的技术方案 和技术构思作出其他各种相应的改变和变形,而所有这些改变和变形都应属于 本发明所保护的范围。
权利要求
1、一种清除硅基板切割后残留的硅碎片的方法,其特征在于,包括以下步骤步骤1用高频超声波加低纯水喷洒清洗硅基板灌液晶口附近位置;步骤2用高压喷水将振松的硅碎片冲走;步骤3干燥硅基板。
2、 如权利要求l所述的清除硅基板切割后残留的硅碎片的方法,其特征在 于,步骤l至少持续l分钟。
3、 如权利要求l所述的清除硅基板切割后残留的硅碎片的方法,其特征在 于,步骤1至少持续1.5分钟。
4、 如权利要求l所述的清除硅基板切割后残留的硅碎片的方法,其特征在 于,步骤2至少持续1分钟。
5、 如权利要求l所述的清除硅基板切割后残留的硅碎片的方法,其特征在 于,步骤2至少持续1.5分钟。
6、 如权利要求l所述的清除硅基板切割后残留的硅碎片的方法,其特征在 于,步骤3采用旋转的方式干燥硅基板。
7、 如权利要求1所述的清除硅基板切割后残留的硅碎片的方法,其特征 在于,低纯水采用如下的制备流程得到普通7k——粗过滤——活性碳过滤一 一电渗析离子交换——紫外光杀菌——微过滤——低纯水。
全文摘要
一种清除硅基板切割后残留的硅碎片的方法,其包含步骤用高频超声波加低纯水喷洒清洗硅基板灌液晶口附近位置;用高压喷水将振松的硅碎片冲走;用旋转的方式干燥硅基板。通过以上步骤,硅基板灌液晶口附近松动的硅碎片被有效清除,使后续芯片在灌液晶时,不会因硅碎片掉进液晶而使芯片在光机测试中产生光点,进而保证硅基液晶显示器的成品质量。
文档编号C02F9/00GK101342535SQ20071007597
公开日2009年1月14日 申请日期2007年7月12日 优先权日2007年7月12日
发明者李方红 申请人:深圳市科创数字显示技术有限公司
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