一种陶瓷圆顶的清洗装置及清洗方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种陶瓷圆顶的清洗装置及清洗方法。
【背景技术】
[0002] 陶瓷圆顶（以下统称Do me)的外观呈一碗型造型，其中陶瓷圆顶的内部为粗糙设 计，产品功能是捉取、附着集成电路制程中所产生的不纯物质，避免不纯物质影响生产设备 稳走度。
[0003] Dome材质本体为工业陶瓷。陶瓷材质经由发大镜观察可发现到表面呈现类似蜂 槽状，布满许多毛细孔。集成电路制程中所产生的不纯物质，便是藉由这些毛细孔，将不纯 物吸附、捕捉于表免，避免影响生产设备稳定度。
[0004] 陶瓷圆顶的传统清洗处理方式为采用研磨方式将不纯物磨除即可，但集成电路制 程跨路微米世代后，不纯物质也相应缩小。研磨方式以无法有效将微米大小的不纯物刷除， 进而产生残留。这些残留将严重影响集成电路生产设备的稳定度。
【发明内容】
[0005] 本发明的目的，就是为了解决上述现有技术存在的问题，而提供一种陶瓷圆顶的 清洗装置，可以有效去除陶瓷圆顶表面不纯物，符合微米等级集成电路生产需求，成功地开 发利用超纯水的洗净工艺，有效去除微米等级附著物，提供优良品质的陶瓷圆顶。
[0006] 实现上述目的的一种技术方案是：一种陶瓷圆顶的清洗装置，包括清洗箱体，所述 清洗箱体的内部设置一隔板，所述隔板与所述清洗箱体的左侧壁平行，且所述隔板的高度 小于所述清洗箱体的左侧壁的高度，所述隔板与所述清洗箱体的左侧壁之间形成溢流口；
[0007] 所述清洗箱体的底部设置一超音波机，所述超音波机位于所述隔板和所述清洗箱 体的右侧壁之间；
[0008] 所述陶瓷圆顶放置在所述清洗箱体内，且位于所述隔板和所述清洗箱体的右侧壁 之间；
[0009] 所述清洗箱体内盛放有超纯水，且所述陶瓷圆顶浸没在所述超纯水中。
[0010] 上述的一种陶瓷圆顶的清洗装置，其中，所述超音波机的频率40kHz、功率 3000kW。
[0011] 上述的一种陶瓷圆顶的清洗装置，其中，所述超纯水的比阻抗值至少为18MQ. cm。
[0012] 本发明提供的另外一种技术方案是：一种陶瓷圆顶的清洗方法，其是采用根据权 利要求1所述的一种陶瓷圆顶的清洗装置进行的，包括下列步骤：
[0013] S1，在清洗箱体中注入超纯水，超纯水的温度控制在40°C ;
[0014] S2,将陶瓷圆顶放入清洗箱体内的超纯水中；
[0015] S3,开启超音波机，对陶瓷圆顶进行清洗，清洗时间至少为45分钟。
[0016] 上述的一种陶瓷圆顶的清洗方法，其中，所述超音波机的频率为40kHz，功率为 3000kW。
[0017] 上述的一种陶瓷圆顶的清洗方法，其中，所述超纯水的比阻抗值至少为18MQ. cm。
[0018] 本发明的陶瓷圆顶的清洗装置的技术方案和陶瓷圆顶的清洗方法的技术方案，与 现有技术相比的有益效果是：
[0019] (1)洗净过程采用超纯水洗净，利用高洁净度的水质洗净，提供更加优良的品质；
[0020] (2)排除传统的研磨洗净方式，减少研磨动作可有效减少陶瓷圆顶因研磨所带来 的损耗，将可有效延长零件使用寿命，给客户在零件的采购与维修费用上带来实质的节约。
【附图说明】
[0021] 图1是本发明的陶瓷圆顶的清洗装置的结构示意图。
【具体实施方式】
[0022] 为了使本技术领域的技术人员能更好地理解本发明的技术方案，下面将结合附图 对本发明作进一步说明。
[0023] 请参阅图1，本发明的实施例，一种陶瓷圆顶10的清洗装置，包括清洗箱体1，清洗 箱体1的内部设置一隔板2,隔板2与清洗箱体1的左侧壁11平行，且隔板2的高度小于清 洗箱体1的左侧壁11的高度，隔板1与清洗箱体1的左侧壁11之间形成溢流口 3 ;清洗箱 体1的底部设置一超音波机4,超音波机4位于隔板2和清洗箱体1的右侧壁12之间，超音 波机4的频率为40kHz，功率为3000kW ;陶瓷圆顶10放置在清洗箱体1内，且位于隔板2和 清洗箱体1的右侧壁12之间；清洗箱体1内盛放有超纯水（图中未显示），且陶瓷圆顶10 浸没在超纯水中，超纯水的比阻抗值至少为18M Q . cm。
[0024] 一种陶瓷圆顶的清洗方法，其是采用本发明的一种陶瓷圆顶的清洗装置进行的， 包括下列步骤：
[0025] S1，在清洗箱体1中注入超纯水，超纯水的温度控制在40°C，超纯水的比阻抗值至 少为 18MQ. cm ;
[0026] S2,将陶瓷圆顶10放入清洗箱体1内的超纯水中；
[0027] S3,开启超音波机4,对陶瓷圆顶10进行清洗，清洗时间至少为45分钟；超音波机 4的频率40kHz、功率3000kW。
[0028] 本发明的陶瓷圆顶的清洗方法的清洗效果检测过程为：
[0029] 开启超音波机4,对陶瓷圆顶10进行清洗时，每清洗5分钟后，对陶瓷圆顶10进行 微尘粒子检测，并记录实验数据，具体结果如表所示：
[0030]
[0032] 表 1
[0033] 由表1的实验数据观察得到：
[0034] (1).前10分钟，陶瓷圆顶10表面不洁明显，微尘粒子含量测试都超出设备能力， 无法测出；
[0035] (2).第15分钟到第40分钟，在不同粒径下的微尘粒子数，测试值明显下降，陶瓷 圆顶10朝向越来越洁净方向迈进；
[0036] (3).第45分钟后，微尘粒子颗粒数以达到集成电路生产等级，并维持稳定。
[0037] 本发明的陶瓷圆顶的清洗方法，洗净过程采用超纯水洗净，利用高洁净度的水质 洗净，提供更加优良的品质；排除传统的研磨洗净方式，减少研磨动作可有效减少陶瓷圆顶 因研磨所带来的损耗，将可有效延长零件使用寿命，给客户在零件的采购与维修费用上带 来实质的节约。
[0038] 以上实施例仅供说明本发明之用，而非对本发明的限制，有关技术领域的技术人 员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，还可以做出各种变换或变型，因此所有等同的 技术方案也应该属于本发明的范畴，应由各权利要求所限定。
【主权项】
1. 一种陶瓷圆顶的清洗装置，其特征在于，包括清洗箱体，所述清洗箱体的内部设置一 隔板，所述隔板与所述清洗箱体的左侧壁平行，且所述隔板的高度小于所述清洗箱体的左 侧壁的高度，所述隔板与所述清洗箱体的左侧壁之间形成溢流口； 所述清洗箱体的底部设置一超音波机，所述超音波机位于所述隔板和所述清洗箱体的 右侧壁之间； 所述陶瓷圆顶放置在所述清洗箱体内，且位于所述隔板和所述清洗箱体的右侧壁之 间； 所述清洗箱体内盛放有超纯水，且所述陶瓷圆顶浸没在所述超纯水中。2. 根据权利要求1所述的一种陶瓷圆顶的清洗装置，其特征在于，所述超音波机的频 率为40kHz，功率为3000kW。3. 根据权利要求1所述的一种陶瓷圆顶的清洗装置，其特征在于，所述超纯水的比阻 抗值至少为18MD.cm。4. 一种陶瓷圆顶的清洗方法，其是采用根据权利要求1所述的一种陶瓷圆顶的清洗装 置进行的，其特征在于，包括下列步骤： Sl，在清洗箱体中注入超纯水，超纯水的温度控制在40°C; 52, 将陶瓷圆顶放入清洗箱体内的超纯水中； 53, 开启超音波机，对陶瓷圆顶进行清洗，清洗时间至少为45分钟。5. 根据权利要求4所述的一种陶瓷圆顶的清洗方法，其特征在于，所述超音波机的频 率 40kHz、功率 3000kW。6. 根据权利要求4所述的一种陶瓷圆顶的清洗方法，其特征在于，所述超纯水的比阻 抗值至少为18MD.cm。
【专利摘要】本发明涉及一种陶瓷圆顶的清洗装置，包括清洗箱体，所述清洗箱体的内部设置一隔板，所述隔板与所述清洗箱体的左侧壁平行，且所述隔板的高度小于所述清洗箱体的左侧壁的高度，所述隔板与所述清洗箱体的左侧壁之间形成溢流口；所述清洗箱体的底部设置一超音波机，所述超音波机位于所述隔板和所述清洗箱体的右侧壁之间。本发明还公开了一种的陶瓷圆顶的清洗方法，可以有效去除陶瓷圆顶表面不纯物，符合微米等级集成电路生产需求，成功地开发利用超纯水的洗净工艺，有效去除微米等级附著物，提供优良品质的陶瓷圆顶。
【IPC分类】B08B3/12
【公开号】CN104907281
【申请号】CN201510380967
【发明人】杨苏圣
【申请人】上海科秉电子科技有限公司
【公开日】2015年9月16日
【申请日】2015年6月30日