一种半导体硅片清洗机双头清洗枪的制作方法

文档序号:9853691阅读:470来源:国知局
一种半导体硅片清洗机双头清洗枪的制作方法
【技术领域】
[0001 ]本发明涉及一种双头清洗枪,更确切地说,是一种半导体硅片清洗机双头清洗枪。
【背景技术】
[0002]半导体硅片清洗机是一种在工业生产上使用比较普遍的工业设备,具有较为广阔的应用前景。但是,目前普遍使用的半导体硅片清洗机的清洗枪清洗效率不高。

【发明内容】

[0003]本发明主要是解决现有技术所存在的技术问题,从而提供一种具有较高清洗效率的半导体硅片清洗机双头清洗枪。
[0004]本发明的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的:
一种半导体硅片清洗机双头清洗枪,包含一固定底座,在所述的固定底座上设有一加压缸,在所述的加压缸上设有一第一喷射口和一第二喷射口,在所述的第一喷射口和第二喷射口上设有一控制压片。
[0005]作为本发明较佳的实施例,所述的第一喷射口为线形喷射口。
[0006]作为本发明较佳的实施例,所述的第二喷射口为雾化喷射口。
[0007]由于本发明的半导体硅片清洗机双头清洗枪在本体上设置了一个固定底座,在这个固定底座上设置了一个加压缸,加压缸上设置了两个喷射口,一个喷射口为直线喷射口,另外一个喷射口为雾化喷射口,两个喷射口相互配合,从而大大提高了半导体硅片清洗机双头清洗枪的清洗效率。
[0008]
【附图说明】
[0009]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0010]图1为本发明的半导体硅片清洗机双头清洗枪的立体结构示意图;
图2为图1中的半导体硅片清洗机双头清洗枪的立体结构示意图,此时为另一视角。
[0011]
【具体实施方式】
[0012]下面结合附图对本发明的优选实施例进行详细阐述,以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解,从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
[0013]本发明提供了一种具有较高清洗效率的半导体硅片清洗机双头清洗枪。
[0014]如图1、图2所示,一种半导体硅片清洗机双头清洗枪I,包含一固定底座2,在所述的固定底座2上设有一加压缸3,在所述的加压缸3上设有一第一喷射口 41和一第二喷射口42,在所述的第一喷射口 41和第二喷射口 42上设有一控制压片5。
[0015]如图1、图2所示,所述的第一喷射口41为线形喷射口。
[0016]如图1、图2所示,所述的第二喷射口42为雾化喷射口。
[0017]该发明的半导体硅片清洗机双头清洗枪在本体上设置了一个固定底座,在这个固定底座上设置了一个加压缸,加压缸上设置了两个喷射口,一个喷射口为直线喷射口,另外一个喷射口为雾化喷射口,两个喷射口相互配合,从而大大提高了半导体硅片清洗机双头清洗枪的清洗效率。
[0018]以上仅仅以一个实施方式来说明本发明的设计思路,在系统允许的情况下,本发明可以扩展为同时外接更多的功能模块,从而最大限度扩展其功能。
[0019]以上所述,仅为本发明的【具体实施方式】,但本发明的保护范围并不局限于此,任何不经过创造性劳动想到的变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应该以权利要求书所限定的保护范围为准。
【主权项】
1.一种半导体硅片清洗机双头清洗枪(1),包含一固定底座(2),其特征在于,在所述的固定底座(2)上设有一加压缸(3),在所述的加压缸(3)上设有一第一喷射口(41)和一第二喷射口(42),在所述的第一喷射口(41)和第二喷射口(42)上设有一控制压片(5)。2.根据权利要求1所述的半导体硅片清洗机双头清洗枪,其特征在于,所述的第一喷射口(41)为线形喷射口。3.根据权利要求2所述的半导体硅片清洗机双头清洗枪,其特征在于,所述的第二喷射口(42)为雾化喷射口。
【专利摘要】本发明公开了一种半导体硅片清洗机双头清洗枪,包含一固定底座,在所述的固定底座上设有一加压缸,在所述的加压缸上设有一第一喷射口和一第二喷射口,在所述的第一喷射口和第二喷射口上设有一控制压片,所述的第一喷射口为线形喷射口,所述的第二喷射口为雾化喷射口。由于本发明的半导体硅片清洗机双头清洗枪在本体上设置了一个固定底座,在这个固定底座上设置了一个加压缸,加压缸上设置了两个喷射口,一个喷射口为直线喷射口,另外一个喷射口为雾化喷射口,两个喷射口相互配合,从而大大提高了半导体硅片清洗机双头清洗枪的清洗效率。
【IPC分类】B05B12/04, B08B3/02, B05B9/04, B05B9/03
【公开号】CN105618414
【申请号】CN201610145371
【发明人】李赵和
【申请人】李赵和
【公开日】2016年6月1日
【申请日】2016年3月15日
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