专利名称：：用于流体分析仪的三晶片通道结构的制作方法用于流体分析仪的三晶片通道结构本申请要求享有于2005年5月17日提交的美国临时申请No.60/681,776的权益。本申请要求享有于2006年3月15日提交的美国临时申请No.60/743,486的权益。美国政府可具有本发明的某些权益。本发明涉及流体分析仪结构，且尤其是涉及微量流体分析仪。更具体地说，本发明涉及分析仪的流体携带结构。由U.Bonne等人于2006年5月16日提交的代理人巻号为No.H0008131(1100.1371101),题名为"AnOpticalMicro-Spectrometer"的美国专利申请No.11/383,723,通过引用而结合在本文中。由U.Bonne等人于2006年5月16日提交的代理人巻号为No.H0009333(1100.1410101),题名为"ChemicalImpedanceDetectorsforFluidAnalyzers"的美国专利申请No.l1/383,728，通过引用而结合在本文中。由U.Bonne等人于2006年5月16日提交的代理人巻号为No.HOO10160(1100.1412101),题名为"AThermalPump"的美国专利申请No.11/383,663,通过引用而结合在本文中。由N.Iwamoto等人于题名为"StationaryPhaseforaMicroFluidAnalyzer"的美国专利申"i青No.l1/383,650,通过引用而结合在本文中。于2005年5月17日提交的美国临时申请No.60/681,776,通过引用而结合在本文中。于2006年3月15日提交的美国临时申请No.60/743,486，通过引用而结合在本文中。于2004年7月30日提交的美国专利申请No.10/909,071，通过引用而结合在本文中。于2002年5月28日颁布的美国专利No.6，393,894,通过引用而结合在本文中。于2005年1月4日颁布的美国专利No.6,837,118，通过引用而结合在本文中。于2006年2月21日颁布的美国专利7,000,452，通过引用而结合在本文中。这些申请和美国专利可能公开了有关流体分析仪的结构和工艺的各个方面。概要本发明是一种用于分析仪的流体携带通道、柱状体或毛细管的结构，其具有位于通道膜片上的间隙或开口等。这种结构可提高位于这种通道中的热导检测器的灵敏度。附图简要说明图1是示例性的用于增强检测的相控加热器阵列结构的流体分析仪的系统视图，该分析仪可包含本通道和热导4企测器；图2显示了相控加热器装置的顶视图3是加热器装置和相关交互式元件的截面图4显示了相控加热器装置操作的图表；图5a和图5b分别是分析仪中的通道示例的截面图和顶视图6是分析仪中的通道另一示例的截面图7a和图7b分别是附接在分析仪通道上的毛细管示例的截面图和顶一见描述本发明可包括供样品沿着膜片流动的通道或多条通道，该膜片支承加热器和用于样品分析的固定相。通道或多条通道可以是^1量流体分析仪的组成部分。分析仪可具有预浓缩器(PC)(即浓缩器)和包含该通道或多条通道的色谱分离器(CS)。图1是流体分析仪的系统视图，该分析仪可以是一种用于增强检测的相控加热器阵列结构(PHASED)的微量气体分析仪(MGA)IO。它揭示了这种微量气体仪器10的一些细节，其可包含这里所述的特别设计的通道。PHASEDMGA10及其变体可用于各种色谱应用。样品流11可进入输入口12通向微分型热导检测器(TCD)(或其它装置)15的第一管脚。泵16可经由管道17而影响流体11经过仪器10的流动。该泵可以是热泵，或非热泵，并且可集成到浓缩器21和/或分离器23中，或者处于浓缩器或分离器的外部。在图1中可能有更多或更少的泵，以及各种用于系统10的管道或管子装置或构造。流体11可移动经过TCD15、浓缩器21、流量传感器22、分离器23和TCD18。控制器19可管理流体流量，以及浓缩器21和分离器23的动作。控制器19可连接到TCD15、浓缩器21、流量传感器22、分离器23、TCD18以及泵16上。来自检测器15和18以及传感器22的数据可发送给控制器19,而该控制器19则可处理这些数据。术语"流体"可指气体或液体或两者。图2是传感器仪器IO—部分的示意图，代表了图1中的浓缩器21和/或分离器23的加热器部分。这部分的传感器仪器10可包括衬底或保持器24和控制器19。控制器19可并入或不并入到衬底24中。衬底24可具有许多定位在其上面的薄膜加热元件25,26,27和28。虽然只显示了四个加热元件，但是可提供任一数目的加热元件，例如在两个和一千个之间，但通常在20-100范围内。加热元件25,26,27和28可由4壬何合适的电导体、稳态金属、合金薄膜或其它材料制成。如图2和图3中所示，加热元件25,26,27和28可设于薄的低热质量的低面内热导的膜片、衬底或支承部件24上。在图3中，衬底30可具有界限明确的单通道相控加热器机构和通道结构31，其具有用于接收样品流体流11的通道32。该通道可通过有选4奪地蚀刻与支承部件24相邻的珪通道晶片衬底30而制成。该通道可包括入口33和排出口34。使其曝露于流动的样品流体11中。各个交互式元件均可定位成与相应的加热元件相邻，即形成可能的最4妾近热*接触。例如，在图3中，交互式元件35,36,37和38可设于通道32中的支承部件24的表面上，并分别与加热元件25,26,27和28相邻。在通道32的末端可具有一企测器15和18。在支承部件24的另一侧可具有通道或空间46，通过该通道或空间还可存在样品流体11。该通道或空间46可具有由晶片或底盖41所阻塞的末端(入口33和出口34位于此处)，以^^得空间46类似于一种密封的容积。样品11在通道或空间46内的进出可通过支承部件或膜片24中的穿孔45，如图5a、图5b和图6中所示。机构31的晶片41和相关构件的结构构造可能不同于图3中所示的那些示例。可能还有其它通道，这些通道具有未在本示例中示出的交互式薄膜元件。交互式元件可以是由许多通常用于液相或气相色谱法的物质所形成的薄膜。此外，交互式物质可通过合适的掺杂剂进行改性，以实现不同程度的极性和/或疏水性，从而实现对目标分析物的最佳吸附和/或分离。35,36...，37和38，从而获得一种预置的浓缩器模式，并且分离器元件被覆有不同的吸附剂材料A,B,C...(在气相色谱法(GC)文献中称之为固定相)。不仅可以选择浓缩器21/分离器23元件的比率，而且还可确定(利用选定的解吸温度)哪些元件#皮1_有A,B，C...等等，以有助于浓缩和分离过程。元件温度爬升速率的选择可对于与B,C...元件不同的A元件进行选择。在某种程度上，可增加该系统的通用性，即在从"A"元件组中分离出气体之后，可从"B"元件组中分离出另一组气体，等等。控制器19可电气地连接到各个加热元件25,26，27，28以及^^测器15和18上，如图2中所示。控制器19可以按时相顺序(参见图4的底部)激励加热元件25,26,27和28,以使得各个相应的交互式元件935,36,37和38变热，并且当由一个或多个上游的交互式元件所产生的上游浓度脉冲到达交互式元件时，将选定的成分解吸到流动的样品流体11中。在该浓度脉冲中，可使用许多交互式元件来获得所需的成分气体的浓度。最后所得到的浓度脉沖可由检测器18来检测，以便由控制器19进行分析。图4为显示了示例性的相关的加热器温度连同各个加热元件上所产生的相应的浓度脉沖一起的图表。如此处所示，控制器19可按时相顺序利用电压信号50来激励加热元件25,26,27和28。温度曲线或线条51,52,53和54可分别显示用于加热元件25,26,27和28的时相加热器的相关温度。在所示示例中，控制器19(图2)可首先激励加热元件25，以提高其温度，如图4中线51处所示。因为第一加热元件25热联接在第一交互式元件35(图3)上，所以第一交互式元件将选定的成分解吸到流动的样品流体11中，以产生第一浓度脉沖61(图4)，而其它加热元件仍没有得到脉沖激励。流动的样品流体11携带第一浓度脉冲61向下游朝向第二加热元件26移动，如箭头62所示。接下来，控制器19可激励第二加热元件26以提高其温度，如线52处所示，起始于元件25上的能量脉冲已经停止时或在此之前。因为第二加热元件26热联接在第二交互式元件36上，所以第二交互式元件也将选定的成分解吸到流动的样品流体11中，以产生第二浓度脉沖。控制器19可以这种方式激励第二加热元件26，使得第二浓度脉沖基本上重叠在第一浓度脉沖61上，以产生更高的浓度脉冲63，如图4中所示。流动的样品流体11可携带更大的浓度脉冲63向下游朝向第三加热元件27移动，如箭头64所示。然后，控制器19可激励第三加热元件27以提高其温度，如图4中的线53处所示。因为第三加热元件27热联:接在第三交互式元件37上，所以第三交互式元件可将选定的成分解吸到流动的样品流体中，以产生第三浓度脉冲。控制器19可激励第三加热元件27,使得第三浓度脉冲基本上重叠在由第一加热元件25和第二加热元件26所提供的更大的浓度脉沖63上，从而产生甚至更大的浓度脉冲65。流动的样品流体11可携带这个更大的浓度脉沖65朝向第N个加热元件28向下游移动，如箭头66所示。然后，控制器19可激励第N个加热元件28以提高其温度，如线54处所示。因为第"N"个加热元件28热联接在第"N"个交互式元件38上，所以第"N"个交互式元件38可将选定的成分解吸到流动的样品流体11中，以产生第"N"个浓度脉冲。控制器19可以这种方式激励第"N"个加热元件28，使得第"N"个浓度脉沖基本上重叠在由之前N-l个交互式元件所提供的大的浓度脉沖65上，以产生更大的浓度脉冲67。流动的样品流体11可将合成的第"N"个浓度脉沖67携带至分离器23和/或检测器18。图5a和图6显示了分析仪10的相控加热器机构31的截面端视图。通道相控加热器机构可并入到膜片或支承部件24中。支承部件24可附接在结构、晶片或衬底30上。锚固件43可将支承部件30相对于结构30和内部通道32保持在合适位置上。支承部件24可位于衬底或晶片42上，该衬底或晶片42可具有接近或位于支承部件24下方且处于结构、载体或晶片41和支承部件24之间的空间、通道或开口46。在底盖或晶片41上可具有用于支承膜片或支承部件24的晶片42,如图5a和图6中所示。图5a可代表一种结构，其带有削薄的(削薄至与所需的底部通道高度相等的水平)中间晶片，该中间晶片还支承带开口的膜片。图6可实现相同的顶部和底部通道，但非削薄中间晶片，而是底部晶片具有部分地"插"在底部通道直至所需高度的"柱栓"。图5a和图6中的单位体32和46可视作为两条通道，例如上通道和下通道。在结构31中，膜片中的开口可使上通道和下通道(第一通道和第二通道)中的压力达到平纟lf，并且抑制在受热膜片和一个或多个通道的一个或多个壁之间的热传导。该结构可具有位于膜片中的检测器，并且该检测器可具有面向第一通道和面向第二通道的^r测区域。上晶片、中间晶片、下晶片(从图5a和图6中的方位看去)和膜片的这种结构，其至少一个元件可具有比硅更低的热导率的材料。图5a中的结构31可具有底盖晶片41，其具有与晶片42的顶部相齐的表面。图6中的结构31可具有位于底盖晶片41上的部分，其隆起而高于晶片42的空间46的底部部分。在某些情况下可能需要最大限度地减小空间46。图5a、图5b和图6中的结构31可具有位于膜片或支承部件24中并处于通道或空间32和46之间的切口、穿孔或端口45,以使得样品流体可在这些通道或空间中移动。除了设计上具有被覆吸附剂的表面的地方之外，例如交互式元件或固定相，可将一种非吸附的隔热材料的涂层44施加到加热器和样品传送机构31中的通道32的内壁上。在膜片或支承部件24制成为带有切口45如图5a、图5b和图6中所示的情况下，这种通道结构31可具有许多优势，包括其在高的样品气体压力下使用，没有通道32中的膜片24可能发生泄漏或破裂的显著风险，即使有的话，也是很小的，没有从膜片24至其(硅、聚合物或其它材料)支承结构42的高的热传导损耗，从而经由膜片下方的空气而保持降低对环境的高的热传导损耗。另外，结构31可允许通道中集成的TCD15或18从其顶面和底面曝露于样品分析物中，从而在灵敏度方面提供了超过曝露一个检测器表面大约两倍因子的增量。结构31还可便于成一体地结合热或电子式微型泵或泵16。图5a、图5b和图6中所示的这种三晶片结构31，可在合理的制造成本下提供文中提及的优势，而不管特殊的底盖41的制造和加热器机构及通道结构31的组装。在膜片24的下方，在其中并不具有直接曝露的固定相如固定相35的部分或空间46中，可能有样品气体流量。出于清晰起见，图5b中未显示固定相或交互式元件35。沿着膜片或支承部件24的侧面的开口、端口或切口45,可使得膜片24的两个宽阔表面上的压力达到平衡。底盖41可对部分或空间46提供对于机构31与外部环境的封闭或密封。通道空间32同样受到与外部环境的保护或密封。由于开口或端口45，膜片24—侧的通道空间32以及对于另一侧的空间46可共有由系统10分析的相同的样品或分^f物11。用于端口或开口45的尺寸示例可包括200微米的长度和5微米的宽度。在开口45之间可具有大约20微米的膜片24,其附接到与腔室空间32的壁接近的边缘上。这个20微米的膜片24可视作为膜片支承部件69。在各端口或开口45之间可具有支岸义部件69。这种结构31可在晶片水平上制成，从而保持其成本低廉。材料可包括硅、一种或多种聚合物和/或其它材料。该结构可由MEMS技术制成。三个晶片可包括顶盖30、用于保持膜片24的中间盖42以及用于包含空间46的底盖41。带有固定相35只位于膜片一侧的这种结构31的分解方面的损耗，如果有的话，可通过保持相同的总体气体/液体体积比并最大限度地减小膜片24下方或附近的空间46来进行校正。用于晶片-晶片(W-W)结合的粘合剂在熔化时可以是非常具有流动性的，并且易于离开意图密封和结合的区域。或者，W-W结合可利用更粘性的材料，例如部分烘焙的聚合物薄膜(例如，SU8等)来制成，以提供更好的且更弹性的密封，并消除之前结构中所使用的、因流离密封表面和/或阻塞(如内部起球)通道而引起的液体铟"粘合剂"。W-W的结合可利用选自粘性聚合物、焊料金属以及形成阳极结合(anodicbond)的元件的材料而制成。结构31可使膜片24的两个宽阔表面曝露于样品11中。将一薄层结构化或蚀刻成膜片24是可行的，这是因为在膜片24的两个宽阔侧面之间不存在压力差，故其不会受到压应力。用于加热器和固定相(交互式元件)的这种薄膜和支承部件24可为PHASED系统10提供优良的可靠性、适用性、节能性、集成的检测器灵敏性和与微型泵的集成能力，以及较低的总体制造成本。总地说来，这种结构31可为PHASED系统IO提供改进之处，使其广泛地适用于针对医疗、工业、环境和政府应用的高的样品11的压力、低的电池耗用率、紧凑性、灵敏性、轻便性、安全性(IS认证)以及其它因素。这种三级或三晶片PHASED结构31可承受不受其固定相支承膜片24的破裂压力所限制的样品气体压力，使得这种膜片的低能量操作能够进行，并容许其位于通道32中的检测器15和18的高性能。检测器的高性能可能是由于在其顶部至底部都曝露于分析物峰的缘故。该结构31可包括以下特征。相对Si而言，环氧树脂或聚合物用作机构31的结构材料，可按照部分地由Si/聚合物的热导率(TC)比值所控制的因子而降低受热膜片24的热耗散速率，其可以是例如大约149/0,2=745。为了防止由于温度变化而引起的翘曲，可将通道材料(例如，SU-8或等效物)结合到硅晶片上。为了使有机通道材料对分析物的吸附作用"钝化"，可通过仿形涂层方法将惰性的、非催化性的且吸附能力极小的材料44(例如Ni、Au等)的非常薄的涂层在内侧真空沉积在通道32的壁上。该材料还可沉积在空间46的壁或内表面上，这可以是晶片41和42的内表面。CNT(碳纳米管)可用作流体分析仪的毛细管内侧上的固定相材料35，其可类似于该通道或空间32的材料。另外，可将CNT作为PHASED预浓缩器21和/或分离器23的通道内部的交互式元件35。这种材料的特殊示例可以是"处理后的"CNT(可从LawrenceLivermoreNationalLabs处获得)，其可适应GC的需求。在这里，下表分别显示了对于Si3N4(其是可用的)、热生长Si02以及Si的温度膨胀系数(TCE)和膜片应变。人们可从该表中确定中间膜片材料是可取的。14<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>图7a和图7b分别显示了结构31的侧截面图和顶视图。这种晶片结构31可允许附接毛细管71，使其在入口和出口处进出PHASED小片，毛细管差不多平行于小片的纵向尺寸而非通常的那样成直角，这可节省空间，并提供在大批量生产时将晶片切成小片的兼容性(这样，用环氧树脂72而附接到晶片30或其它合适的结构件上。图7a中所示的是底盖晶片41、加热器晶片42和顶盖晶片30。图7b是毛细管71利用环氧树脂72进行附接的顶视图。图8显示了一个检测器示例的平面图，作为示例，例如可置于该通道结构31的支承部件或膜片24中的热导检测器(TCD)15或18。样品11可在^^企测器元件73的上方和下方流动。4全测器15,18的位置可包括通道结构31的壁膜片支承部件69和通道空间32附近的间隙或开口45。引线74可提供至检测器元件73的电连接。检测器的尺寸75可大约为100微米。图5b中的端口或间隙45显得与内部通道32的通道结构31的壁对齐。在图8中，相对于4全测器15或18,间隙45显得与通道或空间32的壁偏离了数个微米。各种用于检测器布置的设计都可获得实现。传感元件73可位于或曝露于支承部件或膜片24的两侧，以便提高检测器的灵敏度。基于聚合物薄膜的检测器通常在曝露于示踪气体时，可能会改变薄膜电阻率、介电常数、应变和/或重量。另外，金属氧化物薄膜可能会改变电阻率，并用作检测器元件。多孔的可旋转涂覆材料可分别用于分析仪10的浓缩器21和分离器23的GC预浓缩和分离部分。另外，聚合物薄膜可在气相色谱法中以SAW检测器(表面声波，对薄膜质量上的变化很敏感)的形式用于气体检测。有用的检测器结果可利用MPN(十二烷基单分子层保护的金纳米粒子)薄膜获得，其在曝露于不同气体时会改变电导率。当在毛细管柱或通道中用作GC分离器薄膜时，这些薄膜可具有优良的结果。在本说明书中，有些内容虽然以另一方式或时态进行陈述，4旦其可能具有假设或预言的性质。尽管已经参照至少一个示例描述了本发明，但是本领域中的技术人员通过阅读本说明书将清楚许多变体和改型。因此应尽可能地从当前技术方面广泛地理解附属权利要求，以包括所有的这种变体和改型。权利要求1.一种用于流体分析仪的通道结构，包括第一晶片；位于所述第一晶片上的第二晶片；位于所述第二晶片上的膜片；位于所述膜片上的第三晶片；位于所述膜片上的所述流体分析仪的固定相；位于所述第三晶片中的第一通道，其具有面向所述固定相的敞开侧；和位于所述第一晶片中的第二通道，其具有面向所述膜片的敞开侧。2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述膜片具有位于所述第一通道和所述第二通道之间的开口。3.根据权利要求2所述的结构，其特征在于，所述结构还包括位于所述膜片中邻近所述固定相的加热器。4.根据权利要求3所述的结构，其特征在于，所述膜片中的开口使所述第一通道和所述第二通道中的压力平衡，并且抑制在受热膜片和其中至少一个通道的一个或多个壁之间的热传导。5.根据权利要求2所述的结构，其特征在于，所述结构还包括位于所述膜片中的检测器；且其中，所述检测器具有面向所述第一通道和面向所述第二通道的才全测区i或。6.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，包括所述第一晶片、所述第二晶片、所述第三晶片和所述膜片的所述结构中的至少一个元件包括比硅更低的热导率的材料。7.—种用于流体流的分析仪的结构，包括中间晶片，其具有沿着所述中间晶片的伸长尺寸而定位的开口；支承部件，其定位成邻近所述中间晶片的开口，并具有与所述中间晶片的伸长尺寸大致平行的伸长尺寸；顶盖晶片，其具有沿着所述顶盖晶片的伸长尺寸与所述中间晶片的伸长尺寸大致平行的通道，且所述通道具有沿着所述中间晶片的伸长尺寸的开口，并且使得所述通道的开口面向所述支承部件；和底盖晶片，其定位成邻近所述中间晶片并且覆盖所述中间晶片的开口的一侧，所述开口的一侧与所述中间晶片的开口面向所述顶盖晶片的通道的一侧相反。8.根据权利要求7所述的结构，其特征在于，所述支承元件具有至少一个穿孔，其位于所述顶盖的通道和所述中间晶片的开口之间。9.根据权利要求8所述的结构，其特征在于，所述结构还包括至少一个位于所述支岸义部件中的加热元件；和至少一个邻近所述加热元件的交互式元件。10.根据权利要求9所述的结构，其特征在于所述支承部件的表面和所述交互式元件的表面可曝露于样品流体中；以及所述支承部件中的检测器可具有活动的检测区域，所述检测区域邻近所述支承部件的表面，其面向所述顶盖的通道之间的开口，并且所述检测区域邻近面向所述中间晶片的开口的表面。11.根据权利要求7所述的结构，其特征在于所述支承部件利用选自粘性聚合物、焊料金属以及形成阳极结合的元件的材料而结合到所述中间晶片上；所述顶盖晶片利用选自粘性聚合物、焊料金属以及形成阳极结合的元件的材料而结合到所述支承部件上；且所述底盖晶片利用选自粘性聚合物、焊料金属以及形成阳极结合的元件的材料而结合到所述中间晶片上。12.根据权利要求7所述的结构，其特征在于所述通道具有入口和出口；所述入口具有联接到其上的第一毛细管；以及所述出口具有联接到其上的第二毛细管。13.根据权利要求9所述的结构，其特征在于所述第一毛细管具有利用环氧树脂而联接到所述通道的入口上的一端；且所述第二毛细管具有利用环氧树脂而联接到所述通道的出口上的一端；以及所述第一毛细管和所述第二毛细管分别联接在所述通道的入口和出口处，位于与所述通道的伸长尺寸平行的平面内。14.根据权利要求9所述的结构，其特征在于，在所述支承部件中的至少一个加热元件之中一体地结合有热泵。15.—种用于流体分析仪的通道，包括支承晶片；第一盖晶片，其位于所述支承晶片的第一侧以形成第一通道；和第二盖晶片，其位于所述支承晶片的第二侧以形成第二通道；且其中，所述支承晶片具有至少一个位于所述第一通道和所述第二通道之间的开口。16.根据权利要求15所述的通道，其特征在于，所述通道还包括至少一个位于所述支承晶片中的加热元件；和至少一个邻近所述至少一个加热元件的交互式元件。17.根据权利要求15所述的通道，其特征在于，所述通道还包括第一毛细管，其4关接到所述第一通道的入口上；第二毛细管，其耳关接到所述第一通道的出口上；且其中，所述第一毛细管和所述第二毛细管大致平行于经过所述支浮义晶片的入口和出口的线而对齐。18.根据权利要求15所述的通道，其特征在于所述第一盖晶片利用粘性材料的薄膜而结合到所述支承晶片的第一侧；且所述第二盖晶片利用粘性材料的薄膜而结合到所述支承晶片的第二侧。19.根据权利要求16所述的通道，其特征在于，所述通道还包括热泵，所述热泵成一体地结合到所述第一通道中，包括至少一个加热it/f牛矛。阔。20.根据权利要求15所述的通道，其特征在于，所述通道还包括位于所述支承晶片中的检测器；且其中，所述检测器包括元件，所述元件具有位于所述支承晶片的第一侧和第二侧的;^测曝露区。全文摘要一种用于流体分析仪的三晶片通道或柱状结构。该结构可具有支承部件、膜片或支承晶片(42)，其包含加热器和交互式元件。该膜片可具有一个面向交互式元件一侧的晶片(30)的通道(32)，以及面向另一侧的另一晶片(44)的空间(46)。该膜片(42)可具有穿孔(45)，以使膜片两侧的压力达到平衡。膜片中的检测器可具有曝露于该通道(32)和空间(46)的区域，以获得良好的灵敏度，因为样品可能位于该膜片的两侧。这些晶片可利用非流动的粘性材料薄膜而结合。毛细管可附接在通道的入口和出口上并平行于该通道的伸长尺寸。文档编号B01L3/00GK101443659SQ200780016802公开日2009年5月27日申请日期2007年2月13日优先权日2006年3月15日发明者R·希加施,U·博纳申请人:霍尼韦尔国际公司