专利名称：一种oled材料的真空升华提纯方法
技术领域：
本发明涉及一种OLED材料的真空升华提纯方法。
背景技术：
有机电致发光二极管(Organic Lighting-Emitting Diode)是一种新型的发光技术，具有主动发光、响应时间短、色彩艳丽、无视角问题、可做成透明等优势，在显示和照明等领域有着广泛应用前景。在显示领域，OLED手机屏、MP3、MP4屏已经得到了实际应用，与传统的LCD显示方式不同，OLED无需背光灯，可以做得非常薄，无视角问题，并且能够显著节省电能，被誉为下一代显示器的首选。照明是另一项OLED可能的主要应用领域，其相较于目前所使用的白炽灯、荧光灯可以更省电，并且是全固体照明具有轻、薄、无汞污染，可做成柔性、透明、先天的面光源等优势，极有发展前景。为制备出性能优异的有机半导体器件，有机材料的纯化是必要的。目前使用的升华方法在一次升华过程中通常只能设置一条升华温度曲线，由于有机材料通常会含有多种升华温度相近的杂质，杂质很难在一次升华过程中被完全除去。实际生产中所使用的OLED 材料通常要经过多次的升华提纯才能达到所需纯度。在中国科学院半导体研究所曹国华等人公开的专利CN100908928A中所公开有机材料升华提纯装置中采用了真空条件下的升华来提纯有机半导体材料，但该装置不可以设置各温区的温度，并且在一次操作中只可以对材料进行一次升华，对于沉积条件接近的材料提纯能力有限。而上海大学史伟民等人在在专利CN101310812A中所公开的有机材料升华提纯方法和装置可以进行连续的两次升华操作，并且两次操作所使用的升华温度不同， 该方法对除去升华温度较高的杂质是一种不错的选择，但其对除去升华温度较低的杂质能力较差。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于克服了现有的OLED材料提纯方法对于低升华温度的杂质提纯效率不高，所能达到的纯度有限，以及提纯方法操作复杂难以实现连续提纯的缺陷，提供了一种OLED材料的真空升华提纯方法，本发明通过设置不同温区的程序升温机制，实现在一次操作中对希望提纯的材料进行多次升华提纯的目的，且能够很好地控制已被去除的杂质不会再次回到提纯材料中，从而实现更高的纯度，对除去升华温度高于和低于待提纯材料的杂质均有较好的效果。本发明的目的在于提供一种OLED材料的真空升华提纯方法，该方法在一包括一第一温区、一第二温区以及一第三温区的设备中进行；其中，在该第一温区至该第三温区的方向上依次为该第一温区、该第二温区以及该第三温区，相邻的两个温区之间连通；对该第一温区、该第二温区以及该第三温区分别进行独立的温度控制；每个温区具有各自的温区加热温度；该真空升华提纯方法具体包括下述步骤(1)在压力小于1 X10_3I^的真空条件下，将欲提纯的OLED材料粗产品置于该第一温区中，加热该第一温区至一第一温区加热温度，同时将该第二温区以及该第三温区的温度保持在低于该真空条件下该OLED材料纯品的最低升华温度，通常可选择为保持在室温；使得欲提纯的OLED材料粗产品中升华温度低于该第一温区加热温度的物质进行升华后沉积于该第一温区与该第二温区的交界区域；该第一温区加热温度高于在该真空条件下该OLED材料纯品的最低升华温度且该第一温区加热温度与该最低升华温度的差不超过 150 0C ；(2)在该第一温区的升华结束后，在压力小于IX 10_3Pa的真空条件下，加热该第二温区至一第二温区加热温度，同时使该第一温区的温度维持在该第一温区加热温度，使该第三温区的温度维持不变；从而使升华温度低于该第二温区加热温度的杂质进行升华后沉积于该第二温区和该第三温区的交界区域；该第二温区加热温度为在该真空条件下该 OLED材料纯品的最低升华温度；(3)在该第二温区的升华结束后，在压力小于lX10_3Pa的真空条件下，加热该第三温区至一第三温区加热温度，同时使该第一温区的温度维持在该第一温区加热温度，使该第二温区的温度维持在该第二温区加热温度，从而使升华温度低于该第三温区加热温度的杂质升华后沉积到该第三温区以及该第三温区以外的区域中，该第三温区加热温度为选自低于该第二温区加热温度20°C 40°C之间的温度；(4)在该第三温区的升华结束后，降低上述所有温区的温度，较佳地降至室温，取出位于该第二温区以及位于该第二温区与该第三温区的交界区域上的沉积物，即得OLED 材料纯品。其中，该交界区域指在两个温区交界处具有一温度梯度的区域。在本发明一较佳的实施方式中，该第一温区由N个子温区组成，N为2以上的自然数；在该第一温区至该第三温区的方向上依次为第一个子温区至第N个子温区；相邻的两个子温区之间连通；对每个该子温区分别进行独立的温度控制；每个子温区具有各自的子温区加热温度；该真空升华提纯方法具体为⑴-1在压力小于IXlO-3Pa的真空条件下，将欲提纯的OLED材料粗产品置于该第一温区的第一个子温区中，加热该第一个子温区至该第一个子温区加热温度，该第一个子温区加热温度选自在该真空条件下该OLED材料纯品的最低升华温度以上20°C到100°C 之间的温度，同时将除第一个子温区以外的其他子温区、该第二温区以及该第三温区的温度保持在低于在该真空条件下该OLED材料纯品的最低升华温度，通常保持在室温；使得欲提纯的OLED材料粗产品中升华温度低于该第一个子温区加热温度的物质进行升华后沉积于该第一个子温区与该第二个子温区的交界区域；(1)-2在该第一个子温区的升华结束后，在压力小于IX 10-3 的真空条件下，依次对除第一个子温区以外的其他各子温区进行如下操作加热该子温区至其子温区加热温度，该子温区加热温度选自低于位于该子温区上游且毗邻该子温区的子温区加热温度5 30°C之间的温度并且高于在该真空条件下该OLED材料纯品的最低升华温度；在加热该子温区的同时，将在该方向上位于该子温区上游的子温区维持在其各自的子温区加热温度， 而在该方向上位于该子温区下游的子温区以及第二温区和第三温区保持在一保温温度，该保温温度为低于在该真空条件下该OLED材料纯品的最低升华温度；使得升华温度低于该子温区加热温度的杂质升华后沉积于该子温区与在该方向上位于该子温区下游且毗邻该子温区的子温区的交界区域；(2)在第N个子温区的升华结束后，在压力小于1X10_3I^的真空条件下，加热该第二温区至该第二温区加热温度，同时使所有子温区的温度维持在各自的子温区加热温度， 使该第三温区的温度维持不变；从而使升华温度低于该第二温区加热温度的杂质进行升华后沉积于该第二温区和该第三温区的交界区域；(3)在该第二温区的升华结束后，在压力小于IXlO-3Pa的真空条件下，加热该第三温区至一第三温区加热温度，同时使所有子温区的温度维持在各自的子温区加热温度， 使该第二温区的温度维持在该第二温区加热温度，从而使升华温度低于该第三温区加热温度的杂质升华后沉积到该第三温区以及该第三温区以外的区域中，该第三温区加热温度为选自低于该第二温区加热温度20°C 40°C之间的温度；(4)在该第三温区的升华结束后，降低上述所有子温区和温区的温度至室温，取出位于该第二温区以及位于该第二温区与该第三温区的交界区域上的沉积物，即得OLED材料纯品。本发明的真空升华提纯方法适用于本领域中可升华提纯的各种OLED材料，如4， 4'-双(N-咔唑基)_1，1'-联苯(简称CBP)、三(8-羟基喹啉)铝(简称Alq3)、N，N，-二苯基-N，N，- 二 (1-萘基)_1，1，-联苯 _4，4，- 二胺(简称 α -ΝΡΒ)或 1,3, 5-H (4_(咔唑-9-基)苯)胺(简称TCTA)等。本发明中所述升华的时间皆可根据本领域常规方法进行选择，一般以使发生升华的物质充分升华为止，也就是使未升华的物质的量不再减少为止。在本发明一较佳的实施方式中，该第一温区的子温区数量为2 4个，即N为2 4。在本发明一较佳的实施方式中，该设备还包括一加热炉、一控温系统、一真空系统、一沉积装置以及一取出系统。该加热炉用于加热该第一、第二和第三温区。并且所述加热炉具有Ν+2个可控温区。该沉积装置为升华后的物质提供一沉积场所，本发明的沉积装置的放置方式可根据本领域常规方法进行选择，可为水平或垂直放置，但不限于这两种方式。较佳地，在该第一、第二以及第三温区的升华过程可在惰性气体气氛下进行。在本发明一较佳的实施方式中，所述的OLED材料为CBP(4，4'-双(N-咔唑基)-1，1 ‘-联苯)，该第一温区具有三个子温区，分别为该第一个子温区、该第二个子温区和该第三个子温区，所述真空升华提纯方法的具体操作为(1)将欲提纯的CBP放入位于该第一温区的第一个子温区中，连接真空系统抽真空至lX10_3Pa以下，加热该第一个子温区至该第一个子温区加热温度290 300°C，同时该第二个子温区、第三个子温区、第二温区以及第三温区的温度维持在室温，使升华温度低于该第一个子温区加热温度的物质升华后沉积于该第一个子温区与该第二个子温区的交界区域；(2)待该第一个子温区中的升华结束后，加热该第二个子温区至该第二个子温区加热温度270 290°C，同时该第一个子温区、第三个子温区、第二温区以及第三温区的温度保持不变，使升华温度低于该第二个子温区加热温度的物质继续升华后沉积于该第二个子温区与该第三个子温区的交界区域，不能被升华的杂质被留在该第二个子温区中而除去；(3)待该第二个子温区中的升华结束后，加热该第三个子温区的温度至该第三个子温区加热温度250 270°C，同时该第一个子温区、第二个子温区、第二温区以及第三温区的温度保持不变，使升华温度低于该第三个子温区加热温度的物质继续升华后沉积于该第三个子温区与该第二温区的交界区域，不能被升华的杂质被留在该第三个子温区中而除去；(4)待该第三个子温区中的升华结束后，加热该第二温区的温度至该第二温区加热温度230 250°C，同时该第一个子温区、第二个子温区、第三个子温区以及第三温区的温度保持不变，一部分CBP以及升华温度低于该第二温区加热温度的杂质升华后沉积于该第二温区与该第三温区的交界区域，另一部分CBP由于未被升华仍旧停留在该第二温区中，从而起到分离纯化的目的；(5)待该第二温区中的升华结束后，加热该第三温区的温度至该第三温区加热温度210 220°C，同时该第一个子温区、第二个子温区、第三个子温区以及第二温区的温度保持不变，升华温度低于该第三温区加热温度的杂质被升华后沉积到该第三温区和该第三温区以外的区域；(6)待该第三温区中的升华结束后，降低所有子温区以及第二温区和第三温区的温度到室温，使腔室内压力降低到常压，开启该腔室门，取出位于该第二温区和该第二温区以及该第三温区的交界区域上的CBP，得CBP纯品。在本发明另一较佳的实施方式中，所述的OLED材料为Alq3(三(8_羟基喹啉) 铝)，该第一温区具有三个子温区，分别为该第一个子温区、该第二个子温区和该第三个子温区，所述真空升华提纯方法的具体操作为(1)将欲提纯的放入位于该第一温区的第一个子温区中；连接真空系统抽真空至lX10_3Pa以下，加热该第一个子温区至该第一个子温区加热温度290 300°C，同时该第二个子温区、第三个子温区、第二温区以及第三温区的温度维持在室温，使升华温度低于该第一个子温区加热温度的物质升华后沉积于该第一个子温区与该第二个子温区的交界区域；(2)待该第一个子温区中的升华结束后，加热该第二个子温区至该第二个子温区加热温度260 280°C，同时该第一个子温区、第三个子温区、第二温区以及第三温区的温度保持不变，使升华温度低于该第二个子温区加热温度的物质继续升华后沉积于该第二个子温区与该第三个子温区的交界区域，不能被升华的杂质被留在该第二个子温区中而除去；(3)待该第二个子温区中的升华结束后，加热该第三个子温区的温度至该第三个子温区加热温度230 250°C，同时该第一个子温区、第二个子温区、第二温区以及第三温区的温度保持不变，使升华温度低于该第三个子温区加热温度的物质继续升华后沉积于该第三个子温区与该第二温区的交界区域，不能被升华的杂质被留在该第三个子温区中而除去；(4)待该第三个子温区中的升华结束后，加热该第二温区的温度至该第二温区加热温度220 240°C，同时该第一个子温区、第二个子温区、第三个子温区以及第三温区的温度保持不变，一部分Ah3以及升华温度低于该第二温区加热温度的杂质升华后沉积于该第二温区与该第三温区的交界区域，另一部分由于未被升华仍旧停留在该第二温区中，从而起到分离纯化的目的；(5)待该第二温区中的升华结束后，加热该第三温区的温度至该第三温区加热温度210 230°C，同时该第一个子温区、第二个子温区、第三个子温区以及第二温区的温度保持不变，升华温度低于该第三温区加热温度的杂质被升华后沉积到该第三温区和该第三温区以外的区域；(6)待该第三温区中的升华结束后，降低所有子温区以及第二温区和第三温区的温度到室温，使腔室内压力降低到常压，开启该腔室门，取出位于该第二温区和该第二温区以及该第三温区的交界区域上的Alq3，得Ah3纯品。本发明中所述的室温为本领域常规室温范围，一般为5 40°C。本发明中，上述优选条件在符合本领域常识的基础上可任意组合，即得本发明各较佳实施例。本发明的原料和试剂皆市售可得。本发明的积极进步效果在于本发明在一次升华过程可以实现材料的多次升华， 以获得更高纯度的产品。还可以有效节省升温降温时间和升温降温中的能量消耗，提高了材料提纯效率，并节省了能源消耗。通过梯度升温操作还可以有效提高材料间的分离度，方便收集提纯产物，并有助于提高材料的纯度和收集产率。
为进一步说明本发明的内容及特点，以下结合附图及实施例对本发明作一详细的描述，其中图1为本发明真空升华提纯方法中控温曲线示意图。图2为真空升华提纯设备结构示意图。
具体实施例方式下面用实施例来进一步说明本发明，但本发明并不受其限制，实施例中的原料均为常规市售产品。实施例1以CBP为例，整个真空升华提纯过程在图2所述的真空升华提纯设备中进行，该设备主要包括具有起隔绝真空作用的石英外管10和起沉积腔室作用的石英内套管8、加热炉 9、控温系统和真空系统，该加热炉共有五个可控温区第一个子温区1、第二个子温区2、第三个子温区3、第二温区4和第三温区5。由第一个子温区1、第二个子温区2以及该第三个子温区3组成第一温区。真空升华提纯方法如下打开真空腔室门7，将合成的并经过化学纯化的CBP (纯度为95% ) Ig放入石英舟6内，将该石英舟6放入对应第一个子温区1位置的石英套管8 中，关闭腔室门7。连接真空系统抽真空至0. 5X 10 以下，加热炉中第一个子温区1设定温度为300°C，第二个子温区2、第三个子温区3、第二温区4、第三温区5设定为室温，打开加热炉9至设定温度并保持，此过程中升华的材料基本都沉积于第一个子温区1与第二个子温区2的交界区域，不能被升华的物质停留于第一个子温区1中。待升华停止后，即保持温度3小时后，加热该第二个子温区2至280°C，该第一个子温区1保持在300°C，该第三个子温区3、第二温区4和第三温区5保持在室温，继续升华4小时。此过程中位于第一个子温区1与第二个子温区2的交界区域中能够被升华的材料被继续升华而沉积于第二个子温区2与第三个子温区3的交界区域，部分不能被升华的杂质被留在原区域而除去。待升华过程结束后即升华4小时后，加热第三个子温区3至260°C，此时其他子温区以及温区的温度保持不变，继续升华5小时。在此过程中位于第二个子温区2和第三个子温区3的交界区域中能够被升华的材料被升华并沉积到第三个子温区3与第二温区4的交界区域，而不能升华杂质被留在原区域除去。待升华结束后即升华5小时后，加热第二温区4至240°C， 此时其他子温区以及温区的温度保持不变，继续升华5小时。在此过程中CBP很难被升华， 而少量CBP和升华温度较低的杂质材料会被升华并沉积到第二温区4与第三温区5的交界区域，而起到分离纯化的目的。继续加热第三温区5至220°C，此时其他子温区以及温区的温度保持不变，继续升华5小时。在此过程中原沉积于第二温区4与第三温区5温的交界区域的CBP不会被升华，而升华温度较低的杂质则被升华而沉积到第三温区5和第三温区 5以外的区域。待升华结束后，降低加热炉9温度到室温，通过阀门放气使腔室内压力降低到常压，开启真空腔室门，取出内石英内套管8，并刮下位于第二温区4以及位于第二温区4 与第三温区5交界区域的CBP，得到升华后的材料。经HPLC检测CBP纯度> 99%。实施例2以为例，整个真空升华提纯过程在图2所述的真空升华提纯设备中进行，该设备主要包括具有起隔绝真空作用的石英外管10和起沉积腔室作用的石英内套管8、加热炉9、控温系统和真空系统，该加热炉共有五个可控温区第一个子温区1、第二个子温区2、 第三个子温区3、第二温区4和第三温区5。由第一个子温区1、第二个子温区2以及该第三个子温区3组成第一温区。真空升华提纯方法如下打开真空腔室门7，将经过化学纯化的Alq3(纯度为 98%)0. 98g放入石英舟6内，将该石英舟6放入对应第一个子温区1位置的石英套管8中， 关闭腔室门7。连接真空系统抽真空至0. 5X 10 以下，加热炉中第一个子温区1设定温度为300°C，第二个子温区2、第三个子温区3、第二温区4、第三温区5设定为室温，打开加热炉9至设定温度并保持，此过程中升华的材料基本都沉积于第一个子温区1与第二个子温区2的交界区域，不能被升华的物质停留于第一个子温区1中。待升华停止后，即保持温度5小时后，加热该第二个子温区2至270°C，该第一个子温区1保持在300°C，该第三个子温区3、第二温区4和第三温区5保持在室温，继续升华6小时。此过程中位于第一个子温区1与第二个子温区2的交界区域中能够被升华的材料被继续升华而沉积于第二个子温区 2与第三个子温区3的交界区域，部分不能被升华的杂质被留在原区域而除去。待升华过程结束后即升华6小时后，加热第三个子温区3至240°C，此时其他子温区以及温区的温度保持不变，继续升华8小时。在此过程中位于第二个子温区2和第三个子温区3的交界区域中能够被升华的材料被升华并沉积到第三个子温区3与第二温区4的交界区域，而不能升华杂质被留在原区域除去。待升华结束后即升华8小时后，加热第二温区4至230°C，此时其他子温区以及温区的温度保持不变，继续升华5小时。此次过程中很难被升华，而少量和升华温度较低的杂质材料会被升华并沉积到第二温区4与第三温区5的交界区域，而起到分离纯化的目的。继续加热第三温区5至220°C，此时其他子温区以及温区的温度保持不变，升华5小时。在此过程中原沉积于第二温区4与第三温区5温的交界区域的不会被升华，而升华温度较低的杂质则被升华而沉积到第三温区5和第三温区5以外的区域。待升华结束后，降低加热炉9的温度到室温，通过阀门放气使腔室内压力降低到常压，开启真空腔室门，取出石英内套管8，并刮下位于第二温区4以及位于第二温区4与第三温区5交界区域的Alq3，得到升华后的材料。经HPLC检测Alq3纯度> 99%。
权利要求
1.一种OLED材料的真空升华提纯方法，其特征在于该方法在一包括一第一温区、一第二温区以及一第三温区的设备中进行；其中，在该第一温区至该第三温区的方向上依次为该第一温区、该第二温区以及该第三温区，相邻的两个温区之间连通；对该第一温区、该第二温区以及该第三温区分别进行独立的温度控制；每个温区具有各自的温区加热温度； 该真空升华提纯方法具体包括下述步骤(1)在压力小于1X10_3I^的真空条件下，将欲提纯的OLED材料粗产品置于该第一温区中，加热该第一温区至一第一温区加热温度，同时将该第二温区以及该第三温区的温度保持在低于在该真空条件下该OLED材料纯品的最低升华温度；使得欲提纯的OLED材料粗产品中升华温度低于该第一温区加热温度的物质进行升华后沉积于该第一温区与该第二温区的交界区域；该第一温区加热温度高于在该真空条件下该OLED材料纯品的最低升华温度且该第一温区加热温度与该最低升华温度的差不超过150°C ；(2)在该第一温区的升华结束后，在压力小于IXlO-3Pa的真空条件下，加热该第二温区至该第二温区加热温度，同时使该第一温区的温度维持在该第一温区加热温度，使该第三温区的温度维持不变；从而使升华温度低于该第二温区加热温度的杂质进行升华后沉积于该第二温区和该第三温区的交界区域；该第二温区加热温度为在该真空条件下该OLED 材料纯品的最低升华温度；(3)在该第二温区的升华结束后，在压力小于IXlO-3Pa的真空条件下，加热该第三温区至一第三温区加热温度，同时使该第一温区的温度维持在该第一温区加热温度，使该第二温区的温度维持在该第二温区加热温度，从而使升华温度低于该第三温区加热温度的杂质升华后沉积到该第三温区以及该第三温区以外的区域中，该第三温区加热温度为选自低于该第二温区加热温度20°C 40°C之间的温度；(4)在该第三温区的升华结束后，降低上述所有温区的温度，取出位于该第二温区以及位于该第二温区与该第三温区的交界区域上的沉积物，即得OLED材料纯品。
2.如权利要求1所述的真空升华提纯方法，其特征在于步骤(1)中将该第二温区以及该第三温区的温度保持在室温；步骤中，在该第三温区的升华结束后，降低上述所有温区的温度至室温。
3.如权利要求1或2所述的真空升华提纯方法，其特征在于该第一温区由N个子温区组成，N为2以上的自然数；在该第一温区至该第三温区的方向上依次为第一个子温区至第N个子温区；相邻的两个子温区之间连通；对每个该子温区分别进行独立的温度控制，每个该子温区具有各自的子温区加热温度；该真空升华提纯方法具体为(I)-I在压力小于lX10_3Pa的真空条件下，将欲提纯的OLED材料粗产品置于该第一温区的第一个子温区中，加热该第一个子温区至该第一个子温区加热温度，该第一个子温区加热温度选自在该真空条件下该OLED材料纯品的最低升华温度以上20°C到100°C之间的温度，同时将除第一个子温区以外的其他子温区、该第二温区以及该第三温区的温度保持在低于在该真空条件下该OLED材料纯品的最低升华温度；使得欲提纯的OLED材料粗产品中升华温度低于该第一个子温区加热温度的物质进行升华后沉积于该第一个子温区以及该第二个子温区的交界区域；(1)-2在该第一个子温区的升华结束后，在压力小于IX KT3Pa的真空条件下，依次对除第一个子温区以外的其他各子温区进行如下操作加热该子温区至其子温区加热温度，在加热该子温区的同时，将在该方向上位于该子温区上游的子温区维持在其各自的子温区加热温度，该子温区加热温度选自低于位于该子温区上游且毗邻该子温区的子温区加热温度5 30°C之间的温度并且高于在该真空条件下该OLED材料纯品的最低升华温度；而在该方向上位于该子温区下游的子温区以及第二温区和第三温区保持在一保温温度，该保温温度为低于在该真空条件下该OLED材料纯品的最低升华温度；使得升华温度低于该子温区加热温度的杂质升华后沉积于该子温区与在该方向上位于该子温区下游且毗邻该子温区的子温区的交界区域；(2)在第N个子温区的升华结束后，在压力小于1X 10 的真空条件下，加热该第二温区至该第二温区加热温度，同时使所有子温区的温度维持在各自的子温区加热温度，使该第三温区的温度维持不变；从而使升华温度低于该第二温区加热温度的杂质进行升华后沉积于该第二温区和该第三温区的交界区域；(3)在该第二温区的升华结束后，在压力小于IXlO-3Pa的真空条件下，加热该第三温区至一第三温区加热温度，同时使所有子温区的温度维持在各自的子温区加热温度，使该第二温区的温度维持在该第二温区加热温度，从而使升华温度低于该第三温区加热温度的杂质升华后沉积到该第三温区以及该第三温区以外的区域中，该第三温区加热温度为选自低于该第二温区加热温度20°C 40°C之间的温度；(4)在该第三温区的升华结束后，降低上述所有子温区和温区的温度至室温，取出位于该第二温区以及位于该第二温区与该第三温区的交界区域上的沉积物，即得OLED材料纯品。
4.如权利要求3所述的真空升华提纯方法，其特征在于N为2 4。
5.如权利要求3或4所述的真空升华提纯方法，其特征在于步骤(I)-I中，将该第二温区以及该第三温区的温度保持在室温；步骤(1)-2中，该保温温度为室温。
6.如权利要求1 5中任一项所述的真空升华提纯方法，其特征在于所述的OLED材料为4，4'-双(N-咔唑基)-1，1'-联苯、三(8-羟基喹啉)铝、N，N，-二苯基-N，N，-二 (1-萘基)_1，1，-联苯_4，4，- 二胺或1，3，5_三咔唑-9-基)苯)胺。
7.如权利要求6所述的真空升华提纯方法，其特征在于所述的OLED材料为4，4'-双 (N-咔唑基)-1，1'-联苯，该第一温区具有三个子温区，分别为该第一个子温区、该第二个子温区和该第三个子温区，所述真空升华提纯方法的具体操作为(1)将欲提纯的4，4'-双(N-咔唑基)-1，1'-联苯放入位于该第一温区的第一个子温区中；连接真空系统抽真空至IXlO-3Pa以下，加热该第一个子温区至该第一个子温区加热温度四0 300°C，同时该第二个子温区、第三个子温区、第二温区以及第三温区的温度维持在室温，使升华温度低于该第一个子温区加热温度的物质升华后沉积于该第一个子温区与该第二个子温区的交界区域；(2)待该第一个子温区中的升华结束后，加热该第二个子温区至该第二个子温区加热温度270 290°C，同时该第一个子温区、第三个子温区、第二温区以及第三温区的温度保持不变，使升华温度低于该第二个子温区加热温度的物质继续升华后沉积于该第二个子温区与该第三个子温区的交界区域，不能被升华的杂质被留在该第二个子温区中而除去；(3)待该第二个子温区中的升华结束后，加热该第三个子温区的温度至该第三个子温区加热温度250 270°C，同时该第一个子温区、第二个子温区、第二温区以及第三温区的温度保持不变，使升华温度低于该第三个子温区加热温度的物质继续升华后沉积于该第三个子温区与该第二温区的交界区域，不能被升华的杂质被留在该第三个子温区中而除去；(4)待该第三个子温区中的升华结束后，加热该第二温区的温度至该第二温区加热温度230 250°C，同时该第一个子温区、第二个子温区、第三个子温区以及第三温区的温度保持不变，一部分4，4'-双(N-咔唑基)-1，1'-联苯以及升华温度低于该第二温区加热温度的杂质升华后沉积于该第二温区与该第三温区的交界区域，另一部分4，4'-双(N-咔唑基)-1，1'-联苯由于未被升华仍旧停留在该第二温区中，从而起到分离纯化的目的；(5)待该第二温区中的升华结束后，加热该第三温区的温度至该第三温区加热温度 210 220°C，同时该第一个子温区、第二个子温区、第三个子温区以及第二温区的温度保持不变，升华温度低于该第三温区加热温度的杂质被升华后沉积到该第三温区和该第三温区以外的区域；(6)待该第三温区中的升华结束后，降低所有子温区以及第二温区和第三温区的温度到室温，使腔室内压力降低到常压，开启该腔室门，取出位于该第二温区和该第二温区以及该第三温区的交界区域上的4，4'-双(N-咔唑基)-1，1'-联苯，得4，4'-双(N-咔唑基)-1，1'-联苯纯品。
8.如权利要求6所述的真空升华提纯方法，其特征在于所述的OLED材料为三(8-羟基喹啉)铝，该第一温区具有三个子温区，分别为该第一个子温区、该第二个子温区和该第三个子温区，所述真空升华提纯方法的具体操作为(1)将欲提纯的三(8-羟基喹啉)铝放入位于该第一温区的第一个子温区中；连接真空系统抽真空至1X10_3I^以下，加热该第一个子温区至该第一个子温区加热温度四0 300°C，同时该第二个子温区、第三个子温区、第二温区以及第三温区的温度维持在室温，使升华温度低于该第一个子温区加热温度的物质升华后沉积于该第一个子温区与该第二个子温区的交界区域；(2)待该第一个子温区中的升华结束后，加热该第二个子温区至该第二个子温区加热温度沈0 280°C，同时该第一个子温区、第三个子温区、第二温区以及第三温区的温度保持不变，使升华温度低于该第二个子温区加热温度的物质继续升华后沉积于该第二个子温区与该第三个子温区的交界区域，不能被升华的杂质被留在该第二个子温区中而除去；(3)待该第二个子温区中的升华结束后，加热该第三个子温区的温度至该第三个子温区加热温度230 250°C，同时该第一个子温区、第二个子温区、第二温区以及第三温区的温度保持不变，使升华温度低于该第三个子温区加热温度的物质继续升华后沉积于该第三个子温区与该第二温区的交界区域，不能被升华的杂质被留在该第三个子温区中而除去；(4)待该第三个子温区中的升华结束后，加热该第二温区的温度至该第二温区加热温度220 240°C，同时该第一个子温区、第二个子温区、第三个子温区以及第三温区的温度保持不变，一部分三(8-羟基喹啉)铝以及升华温度低于该第二温区加热温度的杂质升华后沉积于该第二温区与该第三温区的交界区域，另一部分三(8-羟基喹啉)铝由于未被升华仍旧停留在该第二温区中，从而起到分离纯化的目的；(5)待该第二温区中的升华结束后，加热该第三温区的温度至该第三温区加热温度 210 230°C，同时该第一个子温区、第二个子温区、第三个子温区以及第二温区的温度保持不变，升华温度低于该第三温区加热温度的杂质被升华后沉积到该第三温区和该第三温区以外的区域；(6)待该第三温区中的升华结束后，降低所有子温区以及第二温区和第三温区的温度到室温，使腔室内压力降低到常压，开启该腔室门，取出位于该第二温区和该第二温区以及该第三温区的交界区域上的三(8-羟基喹啉)铝，得三(8-羟基喹啉)铝纯品。
9.如权利要求1 8中任一项所述的真空升华提纯方法，其特征在于该设备还包括一加热炉、一控温系统、一真空系统、一沉积装置以及一取出系统。
10.如权利要求9所述的真空升华提纯方法，其特征在于该加热炉具有N+2个可控温区。
全文摘要
本发明涉及一种OLED真空升华提纯方法将OLED粗产品置于第一温区中，加热第一温区至第一温区加热温度，同时将第二、第三温区的温度保持在低于OLED材料的最低升华温度，发生升华后沉积；加热第二温区至第二温区加热温度，同时维持第一、第三温区的温度；进一步升华后沉积；加热第三温区至第三温区加热温度，同时维持第一、第二温区的温度，进一步升华后沉积；降低所有温区温度，取出位于第二温区以及第二温区与第三温区的交界区域上的沉积物，即可。本发明能够很好地控制已被去除的杂质不再回到已提纯材料中，从而实现更高的纯度和提纯效率，对除去各种杂质均有较好的效果，能够实现简单的连续操作。
文档编号B01D7/00GK102527076SQ201010621980
公开日2012年7月4日 申请日期2010年12月31日 优先权日2010年12月31日
发明者张永旭, 李英远, 温源 申请人:上海广茂达光艺科技股份有限公司