一种净水用梯度碳化硅陶瓷膜的制备方法
【专利摘要】本发明属于材料科学与工程领域，具体涉及一种净水用梯度碳化硅陶瓷膜的制备方法，包括有以下步骤：1)碳化硅陶瓷支撑体制备；2)碳化硅中间层的制备；3)碳化硅膜层的制备，最终制得净水用梯度碳化硅陶瓷膜材料。本发明的有益效果在于：制得的碳化硅陶瓷膜材料，连通孔隙率高，气孔分布呈梯度，强度高、纯水通量高、耐强酸碱，不同层次界面粘结强度高，操作简便、成品率高。所制备的净水用梯度碳化硅陶瓷膜材料，抗折强度＞30MPa，纯水通量大于5m3/(m2h)，pH值耐受范围0-14。
【专利说明】一种净水用梯度碳化硅陶瓷膜的制备方法
【技术领域】
[0001]本发明属于材料科学与工程领域，具体涉及一种净水用梯度碳化硅陶瓷膜的制备方法。
【背景技术】
[0002]随着我国经济的高速发展，工业生产和日常生活中的水处理量不断增加。仅以水污染为例，我国77%的污水未经处理被直接排放，46.7%的河流受到污染，给人们的身体健康带来了极大的危害。在水处理领域，膜材料已成为实现流体分离、浓缩以及纯化等工艺过程的关键组件。与有机膜相比，无机陶瓷膜具有机械强度高、耐有机溶剂、耐磨损，抗微生物侵蚀、抗化学药剂侵蚀、膜孔不变形、抗污染能力强、操作简便、容易清洗等诸多优势，代表了水处理技术的发展方向。
[0003]无机陶瓷膜首先在法国的乳品业及葡萄酒业得到工业化应用，后逐渐扩展到食品工业、环境工程、生物医学、化工石油等领域。无机膜的研究与开发在主要工业国家受到了广泛的重视，国内对陶瓷膜的研究始于上世纪90年代后期，主要集中在氧化铝膜材料，并在污水处理方面开展了应用，取得了良好的效益。
[0004]但是在工业废水方面，其废水往往存在排放量大、高温、高碱度、高酸度、含重金属等特点，对无机陶瓷膜的过滤性能提出了更高的要求，目前广泛使用的氧化铝膜材料，难以抵抗强酸、强碱环境，缩短了氧化铝膜材料的使用寿命，加快了膜材的更换周期，极大的提升了污水处理成本。此外，氧化铝膜材料亲水性能一般，导致处治水的通量低，使污水处理效率低，在一定程度上也提高了治污成本。
[0005]碳化硅化学稳定性极好，耐强酸、碱，可在pH值0-14的范围内使用，且亲水性能好，其性能特点使碳化硅陶瓷膜在污水处理方面具有天然的优势，是今后无机陶瓷膜发展的重要方向。但是要实现碳化硅陶瓷膜的工业化生产，还需要在碳化硅陶瓷膜的结构组成、孔特征、成型工艺、膜涂覆、烧成工艺等方面进行设计优化，使碳化硅陶瓷膜材料具有良好的机械强度、化学稳定性及过滤性能。开发具有良好化学稳定、热稳定性、高纯水通量的碳化硅膜材料对于促进我国环保事业的发展具有积极的作用，经济社会效益显著。
【发明内容】
[0006]本发明所要解决的技术问题是针对上述现有技术而提供一种净水用梯度碳化硅陶瓷膜的制备方法，该方法可制备出耐强酸、碱，全PH范围通用，最高操作温度达到800°C，最大纯水通量大于1m3/(m2h)的碳化硅陶瓷膜制品。
[0007]本发明解决上述技术问题所采用的技术方案是:一种净水用梯度碳化硅陶瓷膜的制备方法，包括有以下步骤:
[0008]I)碳化硅陶瓷支撑体制备
[0009]Al、原材料选取:碳化硅粉、有机硅聚合物、浙青、煤油按质量比100:8-14:6-10:3-5 选取备用；
[0010]B1、原材料混合:先将碳化硅粉和有机硅聚合物混合均匀形成混合物，再将浙青和煤油混合均匀形成混合物，最后将分别得到的混合物再次混合均匀；
[0011]Cl、碳化硅陶瓷支撑体素胚的成型:将步骤BI所得的混合物放入挤出成型机，成型为多通道管状素胚；
[0012]D1、碳化硅陶瓷支撑体的烧制:将碳化硅陶瓷支撑体素胚放入管式炉中，按6°C /min的速度升温至400°C，再按9°C /min的速度升温至1400-1500°C，并保温lh，随炉冷却至室温，制得碳化硅陶瓷支撑体；
[0013]2)碳化硅中间层的制备
[0014]A2、淀粉胶体制备:将水、淀粉、纤维素醚按质量比100:40-50:0.1-0.5混合均匀，制得淀粉胶体；
[0015]B2、碳化硅陶瓷支撑体的预处理:将步骤I)所得的碳化硅陶瓷支撑体置于淀粉胶体中浸溃2min，再在烘箱中干燥；
[0016]C2、碳化硅中间层浆液的制备:将水、碳化硅粉、有机硅聚合物、纤维素醚按质量比100:50-60:5-6:0.1-0.5混合均匀，制得碳化硅中间层浆液；
[0017]D2、碳化硅中间层涂覆:将碳化硅中间层浆液注入按步骤B2预处理的碳化硅陶瓷支撑体的通道中，使碳化硅中间层浆液在碳化硅陶瓷支撑体的通道中流动20-30S ；
[0018]E2、碳化硅中间层的烧制:将按步骤D2方法涂覆后的碳化硅陶瓷支撑体，放入管式炉中，按9°C /min的速度升温至1400-1500°C，并保温lh，随炉冷却至室温，得到表面烧结碳化硅中间层的碳化硅陶瓷支撑体；
[0019]3)碳化硅膜层的制备
[0020]A3、表面烧结碳化硅中间层的碳化硅陶瓷支撑体的预处理:将步骤2)所得的表面烧结碳化硅中间层的碳化硅陶瓷支撑体再次置于淀粉胶体中浸溃2min，再在烘箱中干燥；
[0021]B3、碳化硅膜层浆液的制备:将水、碳化硅粉、有机硅聚合物、纤维素醚按质量比100:50-60:5-6:0.1-0.5混合均匀，制得碳化硅膜层浆液；
[0022]C3、碳化硅膜层涂覆:将碳化硅膜层浆液注入按步骤A3预处理的表面烧结碳化硅中间层的碳化硅陶瓷支撑体的通道中，使碳化硅膜层浆液在表面烧结碳化硅中间层的碳化硅陶瓷支撑体的通道中流动20-30s ；
[0023]D3、碳化硅膜层的烧制:将按步骤C3方法涂覆碳化硅膜层浆液的表面烧结碳化硅中间层的碳化硅陶瓷支撑体，放入管式炉中，按9°C /min的速度升温至1400-1500°C，并保温lh，随炉冷却至室温，将碳化硅膜层烧结至碳化硅中间层表面，最终制得净水用梯度碳化硅陶瓷膜材料。
[0024]按上述方案，步骤I)中所述的碳化硅粉平均粒径为80-100 μ m,纯度98%;有机硅聚合物为聚碳硅烷或聚硼硅烷，分子量1000 ;浙青为90号石油浙青或110号石油浙青。
[0025]按上述方案，步骤2)所述的碳化硅粉平均粒径为10-60 μ m,纯度98% ;淀粉平均粒径为0.1-1 μ m ;纤维素醚为轻甲基纤维素醚或轻乙基纤维素醚,分子量为20000 ;有机娃聚合物为聚碳硅烷或聚硼硅烷。
[0026]按上述方案，步骤3)中所述的碳化硅粉平均粒径为1-10 μ m,纯度98%。
[0027]本发明所得的净水用梯度碳化硅陶瓷膜包括支撑体、中间层、膜层三个部分，三个部分均为碳化娃烧制而成。
[0028]采用一定粒径的碳化硅粉与有机硅聚合物、浙青等混合通过挤压成型为多通道管状碳化硅支撑体素胚，再通过高温烧制成为碳化硅支撑体，其中浙青是一种具有良好的韧性和粘结性能的有机物，可以起到粘结碳化硅粉末的作用，并且在挤压成型的过程中，使碳化硅支撑体素胚具有一定的强度和韧性，避免碳化硅支撑体素胚自生弯曲、开裂等，同时浙青在高温下能够燃烧释放，使碳化硅支撑体具有较高的连通孔隙率；有机硅聚合物在烧制后起到粘结碳化硅的作用，使碳化硅支撑体具有良好的机械强度、化学稳定性。
[0029]中间层为粒径介于支撑体和膜层之间的碳化硅材料，由于膜层和支撑之间粒径相差较大，若将膜层直接涂覆在支撑上，在使用过程中易造成界面处应力集中，膜层在水的冲刷下脱离；设计一层粒径介于两者之间的中间层，可以缓解使用过程中的界面应力，提高使用性能。碳化硅膜层粘附于中间层上，起到分离液体中杂质的作用。
[0030]在制备工艺上，其顺序为支撑体烧制完成后，涂覆中间体并烧制，完成后再涂覆月旲层并烧制，最终形成净水用梯度碳化硅陶瓷膜材料，由于中间层碳化硅粉末的粒径小于支撑体，膜层碳化硅粉末的粒径小于中间体，每次涂覆过程中，中间体碳化硅粉末易渗入支撑体，膜层碳化硅粉末易渗入中间体，造成孔隙堵塞，降低碳化硅膜材的过滤性能。因此在涂覆中间层时，先将支撑体浸入淀粉胶体中，使淀粉堵塞支撑体的孔隙，再涂覆中间层碳化硅，可以达到防止粒径较小的中间层颗粒进入支撑体的目的，对于膜层的涂覆也采用同样的方法，达到同样的效果。
[0031]本发明的有益效果在于:制得的碳化硅陶瓷膜材料，连通孔隙率高，气孔分布呈梯度，强度高、纯水通量高、耐强酸碱，不同层次界面粘结强度高，操作简便、成品率高。所制备的净水用梯度碳化硅陶瓷膜材料，抗折强度> 30MPa，纯水通量大于5m3/(m2h)，pH值耐受范围 0-14。
【专利附图】
【附图说明】
[0032]图1为本发明的实施例1所得碳化硅陶瓷膜材料的微观形貌图。
【具体实施方式】
[0033]下面结合实施例对本发明的技术方案做进一步详细的说明，但是此说明不会构成对本发明的限制。
[0034]实施例1:
[0035]I)碳化硅陶瓷支撑体制备
[0036]Al、原材料选取:碳化硅粉、有机硅聚合物、浙青、煤油按质量比100:8:7:3选取备用；
[0037]B1、原材料混合:先将碳化硅粉和有机硅聚合物混合均匀形成混合物，再将浙青和煤油混合均匀形成混合物，最后将分别得到的混合物再次混合均匀；
[0038]Cl、碳化硅陶瓷支撑体素胚的成型:将步骤BI所得的混合物放入挤出成型机，成型为多通道管状素胚；
[0039]D1、碳化硅陶瓷支撑体的烧制:将碳化硅陶瓷支撑体素胚放入管式炉中，按6°C /min的速度升温至400°C，再按9°C /min的速度升温至1400-1500°C，并保温lh，随炉冷却至室温，制得碳化硅陶瓷支撑体；
[0040]2)碳化硅中间层的制备
[0041]A2、淀粉胶体制备:将水、淀粉、纤维素醚按质量比100:42:0.2混合均匀，制得淀粉胶体；
[0042]B2、碳化硅陶瓷支撑体的预处理:将步骤I)所得的碳化硅陶瓷支撑体置于淀粉胶体中浸溃2min，再在烘箱中干燥；
[0043]C2、碳化硅中间层浆液的制备:将水、碳化硅粉、有机硅聚合物、纤维素醚按质量比100:53:5:0.2混合均匀，制得碳化硅中间层浆液；
[0044]D2、碳化硅中间层涂覆:将碳化硅中间层浆液注入按步骤B2预处理的碳化硅陶瓷支撑体的通道中，使碳化硅中间层浆液在碳化硅陶瓷支撑体的通道中流动20-30S ；
[0045]E2、碳化硅中间层的烧制:将按步骤D2方法涂覆后的碳化硅陶瓷支撑体，放入管式炉中，按9°C /min的速度升温至1400-1500°C，并保温lh，随炉冷却至室温，得到表面烧结碳化硅中间层的碳化硅陶瓷支撑体；
[0046]3)碳化硅膜层的制备
[0047]A3、表面烧结碳化硅中间层的碳化硅陶瓷支撑体的预处理:将步骤2)所得的表面烧结碳化硅中间层的碳化硅陶瓷支撑体再次置于淀粉胶体中浸溃2min，再在烘箱中干燥；
[0048]B3、碳化硅膜层浆液的制备:将水、碳化硅粉、有机硅聚合物、纤维素醚按质量比100:50:5:0.1混合均匀，制得碳化硅膜层浆液；
[0049]C3、碳化硅膜层涂覆:将碳化硅膜层浆液注入按步骤A3预处理的表面烧结碳化硅中间层的碳化硅陶瓷支撑体的通道中，使碳化硅膜层浆液在表面烧结碳化硅中间层的碳化硅陶瓷支撑体的通道中流动20-30s ；
[0050]D3、碳化硅膜层的烧制:将按步骤C3方法涂覆碳化硅膜层浆液的表面烧结碳化硅中间层的碳化硅陶瓷支撑体，放入管式炉中，按9°C /min的速度升温至1400-1500°C，并保温lh，随炉冷却至室温，将碳化硅膜层烧结至碳化硅中间层表面，最终制得净水用梯度碳化硅陶瓷膜材料。
[0051]步骤(I)中所述的碳化硅粉平均粒径为80 μ m,纯度98%;有机硅聚合物为聚碳硅烷或聚硼硅烷，分子量1000 ;浙青为90号石油浙青或110号石油浙青。
[0052]步骤⑵中所述的碳化硅粉平均粒径为ΙΟμπι，纯度98% ;淀粉平均粒径为0.Ιμπι;纤维素醚为羟甲基纤维素醚或羟乙基纤维素醚，分子量为20000 ;有机硅聚合物同步骤⑴。
[0053]步骤(3)中所述的碳化硅粉平均粒径为lym，纯度98%，其他材料同步骤(2)。
[0054]本发明制备的净水用梯度碳化硅陶瓷膜材料，抗折强度3 2MPa，纯水通量6m3/(m2h)，pH值耐受范围0-14。
[0055]由附图1可知，本发明制备的净水用梯度碳化硅陶瓷膜由下至上分别为支撑体、中间层、膜层；三层碳化硅粒径、孔径依次降低，且层间接触良好，未出现相互渗透的现象，形成了良好的梯度结构。
[0056]实施例2:
[0057]I)碳化硅陶瓷支撑体制备
[0058]Al、原材料选取:碳化硅粉、有机硅聚合物、浙青、煤油按质量比100:9:7:4选取备用；
[0059]B1、原材料混合:先将碳化硅粉和有机硅聚合物混合均匀形成混合物，再将浙青和煤油混合均匀形成混合物，最后将分别得到的混合物再次混合均匀；
[0060]Cl、碳化硅陶瓷支撑体素胚的成型:将步骤BI所得的混合物放入挤出成型机，成型为多通道管状素胚；
[0061]D1、碳化硅陶瓷支撑体的烧制:将碳化硅陶瓷支撑体素胚放入管式炉中，按6°C /min的速度升温至400°C，再按9°C /min的速度升温至1400-1500°C，并保温lh，随炉冷却至室温，制得碳化硅陶瓷支撑体；
[0062]2)碳化硅中间层的制备
[0063]A2、淀粉胶体制备:将水、淀粉、纤维素醚按质量比100:43:0.3混合均匀，制得淀粉胶体；
[0064]B2、碳化硅陶瓷支撑体的预处理:将步骤I)所得的碳化硅陶瓷支撑体置于淀粉胶体中浸溃2min，再在烘箱中干燥；
[0065]C2、碳化硅中间层浆液的制备:将水、碳化硅粉、有机硅聚合物、纤维素醚按质量比100:54:5:0.3混合均勻，制得碳化娃中间层衆液；
[0066]D2、碳化硅中间层涂覆:将碳化硅中间层浆液注入按步骤B2预处理的碳化硅陶瓷支撑体的通道中，使碳化硅中间层浆液在碳化硅陶瓷支撑体的通道中流动20-30S ；
[0067]E2、碳化硅中间层的烧制:将按步骤D2方法涂覆后的碳化硅陶瓷支撑体，放入管式炉中，按9°C /min的速度升温至1400-1500°C，并保温lh，随炉冷却至室温，得到表面烧结碳化硅中间层的碳化硅陶瓷支撑体；
[0068]3)碳化硅膜层的制备
[0069]A3、表面烧结碳化硅中间层的碳化硅陶瓷支撑体的预处理:将步骤2)所得的表面烧结碳化硅中间层的碳化硅陶瓷支撑体再次置于淀粉胶体中浸溃2min，再在烘箱中干燥；
[0070]B3、碳化硅膜层浆液的制备:将水、碳化硅粉、有机硅聚合物、纤维素醚按质量比100:52:5.4:0.2混合均匀，制得碳化硅膜层浆液；
[0071]C3、碳化硅膜层涂覆:将碳化硅膜层浆液注入按步骤A3预处理的表面烧结碳化硅中间层的碳化硅陶瓷支撑体的通道中，使碳化硅膜层浆液在表面烧结碳化硅中间层的碳化硅陶瓷支撑体的通道中流动20-30s ；
[0072]D3、碳化硅膜层的烧制:将按步骤C3方法涂覆碳化硅膜层浆液的表面烧结碳化硅中间层的碳化硅陶瓷支撑体，放入管式炉中，按9°C /min的速度升温至1400-1500°C，并保温lh，随炉冷却至室温，将碳化硅膜层烧结至碳化硅中间层表面，最终制得净水用梯度碳化硅陶瓷膜材料。
[0073]步骤(I)中所述的碳化硅粉平均粒径为90 μ m,纯度98%;有机硅聚合物为聚碳硅烷或聚硼硅烷，分子量1000 ;浙青为90号石油浙青或110号石油浙青。
[0074]步骤⑵中所述的碳化硅粉平均粒径为20μπι，纯度98% ;淀粉平均粒径为0.5μπι;纤维素醚为羟甲基纤维素醚或羟乙基纤维素醚，分子量为20000 ;有机硅聚合物同步骤⑴。
[0075]步骤(3)中所述的碳化硅粉平均粒径为5μπι，纯度98%，其他材料同步骤(2)。
[0076]本发明制备的净水用梯度碳化硅陶瓷膜材料，抗折强度36MPa，纯水通量7m3/(m2h)，pH值耐受范围0-14。
[0077]实施例3:
[0078]I)碳化硅陶瓷支撑体制备
[0079]Al、原材料选取:碳化硅粉、有机硅聚合物、浙青、煤油按质量比100:10:8:4选取备用;
[0080]B1、原材料混合:先将碳化硅粉和有机硅聚合物混合均匀形成混合物，再将浙青和煤油混合均匀形成混合物，最后将分别得到的混合物再次混合均匀；
[0081]Cl、碳化硅陶瓷支撑体素胚的成型:将步骤BI所得的混合物放入挤出成型机，成型为多通道管状素胚；
[0082]D1、碳化硅陶瓷支撑体的烧制:将碳化硅陶瓷支撑体素胚放入管式炉中，按6°C /min的速度升温至400°C，再按9°C /min的速度升温至1400-1500°C，并保温lh，随炉冷却至室温，制得碳化硅陶瓷支撑体；
[0083]2)碳化硅中间层的制备
[0084]A2、淀粉胶体制备:将水、淀粉、纤维素醚按质量比100:43:0.2混合均匀，制得淀粉胶体；
[0085]B2、碳化硅陶瓷支撑体的预处理:将步骤I)所得的碳化硅陶瓷支撑体置于淀粉胶体中浸溃2min，再在烘箱中干燥；
[0086]C2、碳化硅中间层浆液的制备:将水、碳化硅粉、有机硅聚合物、纤维素醚按质量比100:54:6:0.2混合均勻，制得碳化娃中间层衆液；
[0087]D2、碳化硅中间层涂覆:将碳化硅中间层浆液注入按步骤B2预处理的碳化硅陶瓷支撑体的通道中，使碳化硅中间层浆液在碳化硅陶瓷支撑体的通道中流动20-30S ；
[0088]E2、碳化硅中间层的烧制:将按步骤D2方法涂覆后的碳化硅陶瓷支撑体，放入管式炉中，按9°C /min的速度升温至1400-1500°C，并保温lh，随炉冷却至室温，得到表面烧结碳化硅中间层的碳化硅陶瓷支撑体；
[0089]3)碳化硅膜层的制备
[0090]A3、表面烧结碳化硅中间层的碳化硅陶瓷支撑体的预处理:将步骤2)所得的表面烧结碳化硅中间层的碳化硅陶瓷支撑体再次置于淀粉胶体中浸溃2min，再在烘箱中干燥；
[0091]B3、碳化硅膜层浆液的制备:将水、碳化硅粉、有机硅聚合物、纤维素醚按质量比100:60:6:0.4混合均匀，制得碳化硅膜层浆液；
[0092]C3、碳化硅膜层涂覆:将碳化硅膜层浆液注入按步骤A3预处理的表面烧结碳化硅中间层的碳化硅陶瓷支撑体的通道中，使碳化硅膜层浆液在表面烧结碳化硅中间层的碳化硅陶瓷支撑体的通道中流动20-30s ；
[0093]D3、碳化硅膜层的烧制:将按步骤C3方法涂覆碳化硅膜层浆液的表面烧结碳化硅中间层的碳化硅陶瓷支撑体，放入管式炉中，按9°C /min的速度升温至1400-1500°C，并保温lh，随炉冷却至室温，将碳化硅膜层烧结至碳化硅中间层表面，最终制得净水用梯度碳化硅陶瓷膜材料。
[0094]步骤(I)中所述的碳化硅粉平均粒径为90 μ m,纯度98%;有机硅聚合物为聚碳硅烷或聚硼硅烷，分子量1000 ;浙青为90号石油浙青或110号石油浙青。
[0095]步骤⑵中所述的碳化硅粉平均粒径为36μπι，纯度98% ;淀粉平均粒径为0.5μπι;纤维素醚为羟甲基纤维素醚或羟乙基纤维素醚，分子量为20000 ;有机硅聚合物同步骤⑴。
[0096]步骤(3)中所述的碳化硅粉平均粒径为7μπι，纯度98%，其他材料同步骤(2)。
[0097]本发明制备的净水用梯度碳化硅陶瓷膜材料，抗折强度39MPa，纯水通量9m3/(m2h)，pH值耐受范围0-14。
[0098]实施例4:
[0099]I)碳化硅陶瓷支撑体制备
[0100]Al、原材料选取:碳化硅粉、有机硅聚合物、浙青、煤油按质量比100:11:8:5选取备用;
[0101]B1、原材料混合:先将碳化硅粉和有机硅聚合物混合均匀形成混合物，再将浙青和煤油混合均匀形成混合物，最后将分别得到的混合物再次混合均匀；
[0102]Cl、碳化硅陶瓷支撑体素胚的成型:将步骤BI所得的混合物放入挤出成型机，成型为多通道管状素胚；
[0103]D1、碳化硅陶瓷支撑体的烧制:将碳化硅陶瓷支撑体素胚放入管式炉中，按6°C /min的速度升温至400°C，再按9°C /min的速度升温至1400-1500°C，并保温lh，随炉冷却至室温，制得碳化硅陶瓷支撑体；
[0104]2)碳化硅中间层的制备
[0105]A2、淀粉胶体制备:将水、淀粉、纤维素醚按质量比100:45:0.4混合均匀，制得淀粉胶体；
[0106]B2、碳化硅陶瓷支撑体的预处理:将步骤I)所得的碳化硅陶瓷支撑体置于淀粉胶体中浸溃2min，再在烘箱中干燥；
[0107]C2、碳化硅中间层浆液的制备:将水、碳化硅粉、有机硅聚合物、纤维素醚按质量比100:53:6:0.4混合均勻,制得碳化娃中间层衆液；
[0108]D2、碳化硅中间层涂覆:将碳化硅中间层浆液注入按步骤B2预处理的碳化硅陶瓷支撑体的通道中，使碳化硅中间层浆液在碳化硅陶瓷支撑体的通道中流动20-30S ；
[0109]E2、碳化硅中间层的烧制:将按步骤D2方法涂覆后的碳化硅陶瓷支撑体，放入管式炉中，按9°C /min的速度升温至1400-1500°C，并保温lh，随炉冷却至室温，得到表面烧结碳化硅中间层的碳化硅陶瓷支撑体；
[0110]3)碳化硅膜层的制备
[0111]A3、表面烧结碳化硅中间层的碳化硅陶瓷支撑体的预处理:将步骤2)所得的表面烧结碳化硅中间层的碳化硅陶瓷支撑体再次置于淀粉胶体中浸溃2min，再在烘箱中干燥；
[0112]B3、碳化硅膜层浆液的制备:将水、碳化硅粉、有机硅聚合物、纤维素醚按质量比100:60:6:0.5混合均匀，制得碳化硅膜层浆液；
[0113]C3、碳化硅膜层涂覆:将碳化硅膜层浆液注入按步骤A3预处理的表面烧结碳化硅中间层的碳化硅陶瓷支撑体的通道中，使碳化硅膜层浆液在表面烧结碳化硅中间层的碳化硅陶瓷支撑体的通道中流动20-30s ；
[0114]D3、碳化硅膜层的烧制:将按步骤C3方法涂覆碳化硅膜层浆液的表面烧结碳化硅中间层的碳化硅陶瓷支撑体，放入管式炉中，按9°C /min的速度升温至1400-1500°C，并保温lh，随炉冷却至室温，将碳化硅膜层烧结至碳化硅中间层表面，最终制得净水用梯度碳化硅陶瓷膜材料。
[0115]步骤(I)中所述的碳化硅粉平均粒径为92 μ m,纯度98%;有机硅聚合物为聚碳硅烷或聚硼硅烷，分子量1000 ;浙青为90号石油浙青或110号石油浙青。
[0116]步骤⑵中所述的碳化硅粉平均粒径为51μπι，纯度98% ;淀粉平均粒径为
0.6μπι;纤维素醚为羟甲基纤维素醚或羟乙基纤维素醚，分子量为20000 ;有机硅聚合物同步骤⑴。
[0117]步骤(3)中所述的碳化硅粉平均粒径为8.Ιμπι，纯度98%，其他材料同步骤(2)。
[0118]本发明制备的净水用梯度碳化硅陶瓷膜材料，抗折强度41MPa，纯水通量Ilm3/(m2h)，pH值耐受范围0-14。
[0119]实施例5:
[0120]I)碳化硅陶瓷支撑体制备
[0121]Al、原材料选取:碳化硅粉、有机硅聚合物、浙青、煤油按质量比100:13:8:4选取备用;
[0122]B1、原材料混合:先将碳化硅粉和有机硅聚合物混合均匀形成混合物，再将浙青和煤油混合均匀形成混合物，最后将分别得到的混合物再次混合均匀；
[0123]Cl、碳化硅陶瓷支撑体素胚的成型:将步骤BI所得的混合物放入挤出成型机，成型为多通道管状素胚；
[0124]D1、碳化硅陶瓷支撑体的烧制:将碳化硅陶瓷支撑体素胚放入管式炉中，按6°C /min的速度升温至400°C，再按9°C /min的速度升温至1400-1500°C，并保温lh，随炉冷却至室温，制得碳化硅陶瓷支撑体；
[0125]2)碳化硅中间层的制备
[0126]A2、淀粉胶体制备:将水、淀粉、纤维素醚按质量比100:46:0.3混合均匀，制得淀粉胶体；
[0127]B2、碳化硅陶瓷支撑体的预处理:将步骤I)所得的碳化硅陶瓷支撑体置于淀粉胶体中浸溃2min，再在烘箱中干燥；
[0128]C2、碳化硅中间层浆液的制备:将水、碳化硅粉、有机硅聚合物、纤维素醚按质量比100:55:6:0.3混合均勻，制得碳化娃中间层衆液；
[0129]D2、碳化硅中间层涂覆:将碳化硅中间层浆液注入按步骤B2预处理的碳化硅陶瓷支撑体的通道中，使碳化硅中间层浆液在碳化硅陶瓷支撑体的通道中流动20-30S ；
[0130]E2、碳化硅中间层的烧制:将按步骤D2方法涂覆后的碳化硅陶瓷支撑体，放入管式炉中，按9°C /min的速度升温至1400-1500°C，并保温lh，随炉冷却至室温，得到表面烧结碳化硅中间层的碳化硅陶瓷支撑体；
[0131]3)碳化硅膜层的制备
[0132]A3、表面烧结碳化硅中间层的碳化硅陶瓷支撑体的预处理:将步骤2)所得的表面烧结碳化硅中间层的碳化硅陶瓷支撑体再次置于淀粉胶体中浸溃2min，再在烘箱中干燥；
[0133]B3、碳化硅膜层浆液的制备:将水、碳化硅粉、有机硅聚合物、纤维素醚按质量比100:58:5.8:0.45混合均匀，制得碳化硅膜层浆液；
[0134]C3、碳化硅膜层涂覆:将碳化硅膜层浆液注入按步骤A3预处理的表面烧结碳化硅中间层的碳化硅陶瓷支撑体的通道中，使碳化硅膜层浆液在表面烧结碳化硅中间层的碳化硅陶瓷支撑体的通道中流动20-30s ；
[0135]D3、碳化硅膜层的烧制:将按步骤C3方法涂覆碳化硅膜层浆液的表面烧结碳化硅中间层的碳化硅陶瓷支撑体，放入管式炉中，按9°C /min的速度升温至1400-1500°C，并保温lh，随炉冷却至室温，将碳化硅膜层烧结至碳化硅中间层表面，最终制得净水用梯度碳化硅陶瓷膜材料。
[0136]步骤(I)中所述的碳化硅粉平均粒径为100 μ m，纯度98% ;有机硅聚合物为聚碳硅烷或聚硼硅烷，分子量1000 ;浙青为90号石油浙青或110号石油浙青。
[0137]步骤(2)中所述的碳化硅粉平均粒径为60 μ m,纯度98% ;淀粉平均粒径为I μ m ;纤维素醚为羟甲基纤维素醚或羟乙基纤维素醚，分子量为20000 ;有机硅聚合物同步骤⑴。
[0138]步骤(3)中所述的碳化硅粉平均粒径为ΙΟμπι，纯度98%，其他材料同步骤(2)。本发明制备的净水用梯度碳化硅陶瓷膜材料，抗折强度45MPa，纯水通量13m3/(m2h)，pH值耐受范围0-14。
【权利要求】
1.一种净水用梯度碳化硅陶瓷膜的制备方法，包括有以下步骤: 1)碳化硅陶瓷支撑体制备 Al、原材料选取:碳化硅粉、有机硅聚合物、浙青、煤油按质量比100:8-14:6-10:3-5选取备用； B1、原材料混合:先将碳化硅粉和有机硅聚合物混合均匀形成混合物，再将浙青和煤油混合均匀形成混合物，最后将分别得到的混合物再次混合均匀； Cl、碳化硅陶瓷支撑体素胚的成型:将步骤BI所得的混合物放入挤出成型机，成型为多通道管状素胚； D1、碳化硅陶瓷支撑体的烧制:将碳化硅陶瓷支撑体素胚放入管式炉中，按6°C /min的速度升温至400°C，再按9°C /min的速度升温至1400-1500°C，并保温lh，随炉冷却至室温，制得碳化硅陶瓷支撑体； 2)碳化硅中间层的制备 A2、淀粉胶体制备:将水、淀粉、纤维素醚按质量比100:40-50:0.1-0.5混合均匀，制得淀粉胶体； B2、碳化硅陶瓷支撑体的预处理:将步骤I)所得的碳化硅陶瓷支撑体置于淀粉胶体中浸溃2min，再在烘箱中干燥； C2、碳化硅中间层浆液的制备:将水、碳化硅粉、有机硅聚合物、纤维素醚按质量比100:50-60:5-6:0.1-0.5混合均匀，制得碳化硅中间层浆液； D2、碳化硅中间层涂覆:将碳化硅中间层浆液注入按步骤B2预处理的碳化硅陶瓷支撑体的通道中，使碳化硅中间层浆液在碳化硅陶瓷支撑体的通道中流动20-30S ； E2、碳化硅中间层的烧制:将按步骤D2方法涂覆后的碳化硅陶瓷支撑体，放入管式炉中，按9°C /min的速度升温至1400-1500°C，并保温lh，随炉冷却至室温，得到表面烧结碳化硅中间层的碳化硅陶瓷支撑体； 3)碳化娃膜层的制备 A3、表面烧结碳化硅中间层的碳化硅陶瓷支撑体的预处理:将步骤2)所得的表面烧结碳化硅中间层的碳化硅陶瓷支撑体再次置于淀粉胶体中浸溃2min，再在烘箱中干燥； B3、碳化硅膜层浆液的制备:将水、碳化硅粉、有机硅聚合物、纤维素醚按质量比100:50-60:5-6:0.1-0.5混合均匀，制得碳化硅膜层浆液； C3、碳化硅膜层涂覆:将碳化硅膜层浆液注入按步骤A3预处理的表面烧结碳化硅中间层的碳化硅陶瓷支撑体的通道中，使碳化硅膜层浆液在表面烧结碳化硅中间层的碳化硅陶瓷支撑体的通道中流动20-30s ； D3、碳化硅膜层的烧制:将按步骤C3方法涂覆碳化硅膜层浆液的表面烧结碳化硅中间层的碳化硅陶瓷支撑体，放入管式炉中，按9°C /min的速度升温至1400-1500°C，并保温lh，随炉冷却至室温，将碳化硅膜层烧结至碳化硅中间层表面，最终制得净水用梯度碳化硅陶瓷膜材料。
2.根据权利要求1所述的净水用梯度碳化硅陶瓷膜的制备方法，其特征在于步骤I)中所述的碳化硅粉平均粒径为80-100 μ m,纯度98% ;有机硅聚合物为聚碳硅烷或聚硼硅烷，分子量1000 ;浙青为90号石油浙青或110号石油浙青。
3.根据权利要求1所述的净水用梯度碳化硅陶瓷膜的制备方法，其特征在于步骤2)所述的碳化硅粉平均粒径为10-60 μ m，纯度98% ;淀粉平均粒径为0.1-1 μ m ;纤维素醚为羟甲基纤维素醚或羟乙基纤维素醚，分子量为20000 ;有机硅聚合物为聚碳硅烷或聚硼硅烷。
4.根据权利要求1所述的净水用梯度碳化硅陶瓷膜的制备方法，其特征在于步骤3)中所述的碳化硅粉平均粒径为1-10 μ m,纯度98%。
【文档编号】B01D71/02GK104174298SQ201410412804
【公开日】2014年12月3日 申请日期:2014年8月20日 优先权日:2014年8月20日
【发明者】徐慢, 沈凡, 曹宏, 石和彬, 陈常连, 季家友, 王树林, 薛俊, 安子博, 赵静, 王亮, 祝云 申请人:武汉工程大学