一种金属氧化物半导体量子点的简单制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种金属氧化物半导体量子点的简单制备方法，属于功能纳米颗粒的制备技术。
【背景技术】
[0002]量子点又称半导体纳米微晶，其三个维度的尺寸都在100纳米以下，外观恰似一个极小的点状物，其内部电子在各方向上的运动都受到局限。量子点的特殊结构导致其具有表面效应、量子尺寸效应、介电阻遇效应和宏观量子隧道效应等，从而展现出不同于宏观材料的物理化学性质，在功能材料方面有较大的应用潜力。
[0003]经过多年的研宄，迄今建立了多种量子点的制备方法，且以化学方法为主，包括:采用胶体化学的方法在有机体系中合成；在水溶液中直接合成。但是通过此类方法制备的量子点产量小，且品种受到限制，而通过物理方法来制备量子点则少见报道。
【发明内容】
[0004]本发明的目的是满足现代人们对量子点/功能材料的需求，提供一种金属氧化物半导体量子点的简单制备方法，为量子点的大规模制备和应用奠定基础。
[0005]按照本发明提供的技术方案，一种金属氧化物半导体量子点的简单制备方法包括以下步骤:
[0006]I)称取一定量的金属氧化物半导体粉末，加入到设定好的机械粉碎装置中，进行粉碎；
[0007]2)将上一步粉碎得到的粉末重复进行多次粉碎，得到相应的金属氧化物半导体量子点。
[0008]其中，金属氧化物半导体为氧化锌、氧化镉、二氧化钛、二氧化锡，其粒径范围为500-2000纳米；机械粉碎装置为:气流粉碎机；粉碎次数为2-4次，所得量子点的粒径为10-50纳米。
[0009]在本发明所叙述的产品特点为金属氧化物半导体量子点。
[0010]本技术针对量子点的简单、大规模制备，所获得的量子点可以应用于功能纤维、塑料的制备，满足人们对于功能纺织品、功能塑料的需求。
【附图说明】
[0011]图1是实例I所得氧化锌量子点；
[0012]图2是实例2所得二氧化钛量子点。
【具体实施方式】
[0013]本发明是一种金属氧化物半导体量子点的制备方法，其步骤为:
[0014]I)称取一定量的金属氧化物半导体粉末，加入到设定好的机械粉碎装置中，进行粉碎；
[0015]2)将上一步粉碎得到的粉末重复进行粉碎，得到相应的金属氧化物半导体量子点。
[0016]下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。应理解，这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外应理解，在阅读了本发明讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。
[0017]实施例1:
[0018]称取5kg氧化锌粉末，加入到设置好的气流粉碎机中，粉碎30-60分钟后得到一次粉碎的粉末，进行第二次粉碎，得到直径为50纳米的氧化锌量子点。
[0019]实施例2:
[0020]称取5kg 二氧化钛粉末，加入到设置好的高能球磨机中，粉碎30-60分钟后得到一次粉碎的粉末，并重复进行第二次粉碎，得到直径为50纳米的二氧化钛量子点。
[0021]实施例3:
[0022]称取5kg氧化锌粉末，加入到设置好的气流粉碎机中，粉碎30-60分钟后得到一次粉碎的粉末，并重复进行三次粉碎，得到直径为10纳米的氧化锌量子点。
【主权项】
1.一种金属氧化物半导体量子点的简单制备方法，其特征是通过机械粉碎的方法，将直径超过500纳米的半导体金属氧化物粉末粉碎至直径10-50纳米范围，其步骤为: 1)称取一定量的金属氧化物半导体粉末，加入到设定好的机械粉碎装置中，进行粉碎； 2)将上一步粉碎得到的粉末重复进行粉碎，得到相应的金属氧化物半导体量子点。
2.根据权利要求1所述的半导体金属氧化物量子点的简单制备方法，其特征在于步骤I)中所述的金属氧化物半导体为氧化锌、氧化镉、二氧化钛、二氧化锡，其粒径范围为500-2000 纳米。
3.根据权利要求1所述的半导体金属氧化物量子点的简单制备方法，其特征在于步骤I)所使用的机械粉碎装置为:气流粉碎机。
4.根据权利要求1所述的半导体金属氧化物量子点的简单制备方法，其特征在于步骤I)所使用的机械粉碎装置的粉碎次数为2-4次。
5.根据权利要求1所述的半导体金属氧化物量子点的简单制备方法，所制备的金属氧化物半导体量子点的粒径为10-50纳米。
【专利摘要】本发明公开了一种金属氧化物半导体量子点的简单制备方法，将金属氧化物半导体通过机械粉碎的方法使得颗粒的直径减小，从而获得直径为10-50纳米的金属氧化物半导体量子点。
【IPC分类】C09K11-67, B02C19-06, C09K11-54
【公开号】CN104624336
【申请号】CN201510036334
【发明人】刘水平, 夏清明, 刘伟峰, 谭连江
【申请人】江苏启弘新材料科技有限公司
【公开日】2015年5月20日
【申请日】2015年1月22日