等离子体前级热反应器系统的制作方法
【专利摘要】本公开内容涉及处理真空处理系统排放气体的方法和装置。此外，也公开了保养前级等离子体反应器子系统的方法和装置。在一些实施方式中，用于处理真空处理系统前级中排放气体的装置包括耦接于处理腔室前级的等离子体源、耦接于所述等离子体源的处理剂源、以及下游收集器以冷却排放流及收集排放流中的粒子。在一些实施方式中，多个前级等离子体反应器子系统与真空处理系统一起使用，并且一个前级等离子体反应器子系统能够被隔离及进行保养(例如清洁)，同时另一个前级等离子体反应器子系统中的排放气体处理仍持续，并且所述真空处理系统中的处理持续。
【专利说明】
等离子体前级热反应器系统
技术领域
[0001]本公开内容的实施方式总体涉及真空处理技术。尤其是，本公开内容的实施方式涉及一种用于控制来自真空处理系统的排放气体的反应与凝结、及所述真空处理系统的清洁方法。【背景技术】
[0002]平板显示器与半导体工业、以及其他工业都使用真空处理(例如化学气相沉积 (CVD))技术以制造高纯度的固体材料。这种工艺经常用以生产薄膜。在许多真空处理技术中，基板(例如晶片)暴露于一个或多种挥发性前驱气体(即蒸气)中，前驱气体与基板表面反应且/或在基板表面上分解以产生所需要的沉积物。通常，还会产生副产物气体，它会从反应腔室抽出。
[0003]CVD与其他真空处理设备所使用的工艺气体包含许多种化合物，由于法规要求与对环保的考虑，这些化合物在弃置之前必须先经去除(abate)或处理。通常，某些工艺气体并不在基板上形成沉积物，而与副产物气体(若有的话)一起从反应腔室抽出。从反应腔室抽出的气体统称为排放气体。
[0004]在被抽出反应腔室之后，从反应腔室抽出的排放气体会与它们流经的管、栗或其他设备反应，且/或凝结于这些管、栗或其他设备上。若未采取可避免排放气体反应或凝结的步骤，由排放气体所沉积的化学物质累积会阻塞管并破坏栗。若没有任何有效方式来原位清洁设备中不想要的沉积物，则必须移除或中断所述的设备以进行“离线”清洁。若必须开启所述的设备来完成清洁，这会导致过多的反应腔室停工时间。这个问题存在于许多类型的真空处理腔室中，例如蚀刻反应器、离子注入腔室、等离子体处理腔室、原子层沉积腔室等。
[0005]因此，存在对于改善处理与保养技术的需求。
【发明内容】
[0006]提供了一种用于处理真空处理腔室排放气体的前级(foreline)等离子体反应器子系统(subsystem)。所述前级等离子体反应器子系统一般包括等离子体源与下游收集器， 所述等离子体源具有以耦接于所述真空处理腔室配置的进口，所述下游收集器耦接于所述等离子体源的排出口。此处所实施的方法一般包含在所述等离子体源中从一种或多种气体产生等离子体，使等离子体与排放气体混合，冷却收集器中等离子体与排放气体的混合物， 以及于收集器中收集由等离子体与排放气体混合物形成的粒子。
[0007]在另一实施方式中，提供了一种用于处理真空处理腔室排放气体的前级等离子体反应器子系统。所述前级等离子体反应器子系统一般包括:耦接于所述真空处理腔室的等离子体源、可操作以使所述等离子体源与所述真空处理腔室隔离的第一阀门、耦接于所述等离子体源的保养净化气体供应源、耦接于所述等离子体源的排出口的下游收集器、可操作以使所述下游收集器与真空栗隔离的第二阀门、以及可操作以使来自所述下游收集器的气体绕过所述真空栗、并直接流至消除子系统的保养排气阀门。
[0008]在另一实施方式中，提供了一种用于处理真空处理系统排放气体的前级等离子体反应器系统。所述前级等离子体反应器系统一般包括:阀门，所述阀门可操作以引导排放气体至至少两个前级等离子体反应器子系统之一，其中每一个前级等离子体反应器子系统包括:耦接于所述阀门的等离子体源、耦接于所述等离子体源的下游收集器、耦接于所述等离子体源的保养净化气体供应源、以及保养排气阀门，所述保养排气阀门可操作以使来自所述下游收集器的气体绕过所述真空处理系统的真空栗并直接流至所述真空处理系统的消除子系统;及阀门，在每一个前级等离子体反应器子系统的下游，可操作以使每一个前级等离子体反应器子系统与所述真空栗隔离。
[0009]在另一实施方式中，提供了一种用于避免粒子在真空栗与真空处理系统的前级中累积的方法。所述方法一般包含:使等离子体与来自所述真空处理系统的排放气体混合，并由此形成排放流，冷却所述的等离子体与排放气体混合物，以及收集由等离子体与排放气体混合物形成的粒子。[〇〇1〇]在另一实施方式中，提供了一种用于保养真空处理中所用的前级等离子体反应器子系统的方法。所述方法一般包含:通过操作阀门使所述前级等离子体反应器子系统与下列物体隔离:排放气体和真空栗，对所述前级等离子体反应器子系统供应(即引入)净化气体，开启从所述前级等离子体反应器子系统至消除子系统的阀门，及于所述消除子系统中去除所述净化气体和所述前级等离子体反应器子系统中所形成(例如由所述净化气体与排放气体所形成)的化合物。
[0011]在另一实施方式中，提供了一种用于处理来自真空处理(例如CVD)操作的排放气体、同时保养(例如清洁)第一前级等离子体反应器子系统的方法。所述方法一般包含:操作第一阀门以引导排放气体从所述第一前级等离子体反应器子系统离开而进入第二前级等离子体反应器子系统中，操作第二阀门以使所述第一前级等离子体反应器子系统与真空栗隔离并使所述第二前级等离子体反应器子系统连接于所述真空栗，引入至少一种净化气体至所述第一前级等离子体反应器子系统中，操作第三阀门以使气体从所述第一前级等离子体反应器子系统流至消除子系统，以及在所述消除子系统中去除所述净化气体及在所述第一前级等离子体反应器子系统中所形成的化合物。
[0012]附图简述
[0013]上述简要总结的本公开内容的上述特征能够被详细理解的方式、以及对本公开内容的更特定的描述可参考实施方式而获得，本公开内容实施方式中的一些实施方式示出于附图中。然而，应注意，附图仅图示了本公开内容的典型实施方式，因而不应被视为对发明范围的限制，因为本发明也能允许有其它的等效实施方式。
[0014]图1图示根据本公开内容特定方面的真空处理系统的示意图。
[0015]图2图示根据本公开内容特定方面用以避免粒子累积于真空栗与真空处理系统的前级的示例性操作。
[0016]图3图示根据本公开内容特定方面的真空处理系统的示意图。
[0017]图4图示根据本公开内容特定方面的用于保养真空处理中所用的前级等离子体反应器子系统的示例性操作。
[0018]图5图示根据本公开内容特定方面的真空处理系统的示意图。
[0019]图6图示根据本公开内容特定方面的用于处理真空处理系统排放气体的示例性操作。
[0020]为了便于理解，尽可能使用了相同的数字标号来标示附图中共通的相同元件。考虑到一个实施方式中所公开的元件在没有特定描述下可有益地运用于其他实施方式中。【具体实施方式】
[0021]提供了一种用于处理真空处理系统排放物的前级等离子体反应器子系统与方法。 前级等离子体反应器子系统能处理真空处理排放气体，使经处理的排放气体具有降低的粒状物累积及对于真空栗和下游排放流处理设备的破坏性。举例而言，本文所述的前级等离子体反应器子系统处理排放气体，使得排放气体于收集粒子的所述的前级等离子体反应器子系统中形成粒子，而于下游的栗、管和其他设备中形成减量的粒子。
[0022]本文所公开的一个实施方式产生等离子体、使等离子体与排放气体混合、冷却排放气体和等离子体的混合物、并收集由排放气体与等离子体的混合物形成的粒子。等离子体加热排放气体，并可能与排放气体反应而形成其他物质。冷却排放气体和等离子体的混合物可使气体凝结于收集器表面上或与收集器表面反应。[〇〇23]另一个实施方式(不与第一个实施方式绝对相关)是借由使用阀门将前级等离子体反应器子系统与下列物体隔离:排放气体和真空栗、对所述前级等离子体反应器子系统供应净化气体、及开启从子系统到消除系统的阀门，以清洁所述前级等离子体反应器子系统。举例而言，前级等离子体反应器子系统可以与排放气体隔离，并以氧进行净化。在所述前级等离子体反应器子系统与燃烧/湿式消除子系统之间的阀门会被开启，而氧会挟带来自所述前级等离子体反应器子系统的粒子，并将粒子带到所述燃烧/湿式消除子系统中，粒子会在所述燃烧/湿式子系统处进行燃烧与收集。[〇〇24]另一个实施方式(不与第一及第二实施方式绝对相关)是一种前级等离子体反应器子系统，包括至少两个前级、各个前级的等离子体源、在各个前级上的下游收集器、在收集器下游且可操作以使各个前级与真空栗隔离的阀门、及可使来自前级的气体绕过所述真空栗并直接流至消除子系统的保养排气阀门。
[0025]另一个实施方式(不与第一、第二及第三实施方式绝对相关)是操作第一阀门以引导排放气体至第一前级等离子体反应器子系统中且离开第二前级等离子体反应器子系统， 操作第二阀门以使气体从所述第一前级等离子体反应器子系统流至真空栗、同时使所述第二前级等离子体反应器子系统与所述真空栗隔离，将净化气体引入至所述第二前级等离子体反应器子系统中，以及操作第三阀门以使气体从所述第二前级等离子体反应器子系统流至消除子系统。[〇〇26]图1为根据一个实施方式的真空处理系统100的示意图，真空处理系统100含有前级等离子体反应器子系统150。在一个实施方式中，前级等离子体反应器子系统150包含等离子体源152、前级气体冷却器(即收集器)154及处理剂(例如反应气体)源156。[〇〇27] 真空处理系统100包含真空处理腔室106,例如蚀刻反应器处理腔室、离子注入腔室、等离子体处理腔室、原子层沉积腔室等。在图1所描绘的实施方式中，真空处理腔室106 是CVD腔室。可选的加热器122(例如电阻式带加热器)可设置为与前级108相邻，以加热前级 108和前级108内的排放气体。加热器122可用以使设在真空处理腔室106与等离子体源152之间的前级108的表面保持在可防止排放气体中材料凝结在前级108的侧壁上的温度。 [〇〇28]将等离子体源152设置于真空处理腔室106的下游，其中等离子体源152的进口是耦接于真空处理腔室106。将等离子体源152的排出口耦接于前级气体冷却器154。前级气体冷却器154可包括冷却剂线圈158以冷却等离子体和排放气体混合物。前级108使排放气体从真空处理腔室106流至等离子体源152、从等离子体源152流至前级气体冷却器154、以及从前级气体冷却器154流至工艺真空栗110。排放线路112使气体从工艺真空栗110流至消除子系统114。
[0029]等离子体源152、前级108、工艺真空栗110以及相关的硬设备(hardware)可由一种或多种与工艺相容的材料制成，例如错、阳极氧化错(anodized aluminum)、镀镍错、不锈钢、及这些材料的组合与合金。例如，前级气体冷却器154是由类似的可与工艺相容的材料所形成，或由可使排放气体凝结的材料所形成。例如，如半导体制造业中所已知，消除子系统114可为燃烧/湿式消除子系统。
[0030]等离子体源152可由处理剂源156供以一种或多种处理剂(未示)，例如氧02,等离子体源152从处理剂产生等离子体。等离子体源152可通过多种技术产生等离子体，包括射频式(RF)、直流式(DC)或微波式(MW)放电(power discharge)技术。等离子体也可利用加热式技术、气体分解技术、高强度光源(例如紫外线能量)、或暴露于X射线源来产生。等离子体源152使所产生的等离子体与排放气体混合，并且加热排放气体。在一些实施方式中，等离子体也与排放气体反应以形成其他物质，这些物质可能不具气体的形式。举例而言，等离子体可与排放气体反应，以形成二氧化硅Si〇2粒子。在下文中，等离子体、排放气体及其他物质的混合物会被称为排放流。
[0031]前级气体冷却器154冷却排放流。为了冷却前级108与通过前级的排放流，对前级气体冷却器154供以工艺冷却水(PCW，未示)或二氧化碳C02(未示)。举例而言，PCW、C02或氟利昂类的冷剂(refrigerant)会循环通过冷却剂线圈158，以冷却所述排放流。根据特定的实施方式，除冷却剂线圈158以外、或取而代之，前级气体冷却器154可包括冷却收集板160， 以于排放流和冷却表面之间提供良好的表面区域界面。例如，可以对前级气体冷却器154供以PCW，以使排放流冷却至约10摄氏度。冷却排放流会使部分的排放流凝结在前级气体冷却器154的表面上、和/或与表面反应，前级气体冷却器154的表面含有收集器结构以收集凝结或反应至前级气体冷却器154表面上的粒子。
[0032]减去了前级气体冷却器154中收集的全部粒子的排放流离开前级气体冷却器154， 并流至工艺真空栗110。排放流在前级气体冷却器154中的凝结与反应减少了由排放流沉积于工艺真空栗110中的粒子量，使工艺真空栗110在必须的保养之间具有较久的寿命与较长的时间。举例而言，在保养活动之间，不使用前级等离子体反应器子系统的工艺真空栗可持续工作两个月或三个月，但在使用前级等离子体反应器子系统时，则可在保养活动之间持续工作达六个月至十二个月。[〇〇33]图2图示了一种示例性操作200,示例性操作200可以实施以避免粒子在真空栗与真空处理系统(例如真空处理系统100)的前级中累积，举例而言，示例性操作200可根据本公开内容特定方面的前级等离子体反应器子系统实施。如图所示，在方块202,等离子体源产生等离子体并使等离子体与排放气体混合，形成排放流。举例而言，参照图1，等离子体源 152从氧产生等离子体，并将等离子体与来自真空处理腔室106的排放气体混合，形成排放流。在方块204(见图2)，操作以冷却排放流继续。举例而言(见图1)，前级气体冷却器154能使冷却水通过围绕在前级108周围的线圈，使前级与排放流冷却至10摄氏度。在方块206(见图2)，操作以自排放流收集粒子继续。举例而言(见图1)，在前级气体冷却器154内部，粒子会被收集在一组档板中，粒子会凝结在档板上。
[0034]根据特定的实施方式，前级气体冷却器154可借由使卤碳类冷却剂(例如氟氯碳化物或氢氟碳化物)或冷却的C02通过前级周围的线圈、或借由该领域中所已知的其他方式来冷却等离子体与排放气体的混合物。
[0035]图3为根据本公开内容一个实施方式的含有前级等离子体反应器子系统350的真空处理系统300的示意图。图3中所示的真空处理系统300与图1中所示的真空处理系统100 类似，但真空处理系统300另具有可用于保养所述前级等离子体反应器子系统的额外构件。 [〇〇36] 真空处理系统300包括真空处理腔室306,例如蚀刻反应器处理腔室、离子注入腔室、等离子体处理腔室、原子层沉积腔室等。在图3所描绘的实施方式中，真空处理腔室306 是CVD腔室。可以将加热器322设置为与前级308相邻，以加热前级308与排放气体。[〇〇37]在一个实施方式中，前级等离子体反应器子系统350包括等离子体源352、前级气体冷却器(即收集器)354、处理剂(例如反应气体)源356、保养净化气体供应源366、第一阀门358、第二阀门370、以及保养排气阀门372。第一阀门358设于真空处理腔室306和前级等离子体反应器子系统350之间的前级308上。保养净化气体供应源366连接至第一阀门358与等离子体源352之间的前级308。例如，保养净化气体供应源366对前级等离子体反应器子系统供应净化气体(例如空气、氮N2、氧02、三氟化氮NF3或全氟碳化物(PFC))，以作为保养活动的一部分净化来自前级等离子体反应器子系统350的排放气体(例如排放流)。[〇〇38]将等离子体源352设置于保养净化气体供应源366的下游，以及前级气体冷却器 354的上游。保养排气阀门372连接至前级气体冷却器354的下游的前级308。将第二阀门370 设置于连接至前级308的保养排气阀门372和工艺真空栗310之间。前级308使排放气体(例如排放流)从真空处理腔室306流至第一阀门358、从第一阀门358流至等离子体源352、从等离子体源352流至前级气体冷却器354、从前级气体冷却器354流至保养排气阀门372与第二阀门370,以及从第二阀门370流至工艺真空栗310。保养线路324使气体可从保养排气阀门 372流至消除子系统334。[〇〇39]排放线路312可使气体从工艺真空栗310流至消除子系统334。等离子体源352、前级308、工艺真空栗310、第一阀门358、第二阀门370、保养排气阀门372、保养线路324及相关的硬设备可由一种或多种与工艺相容的材料形成，例如铝、阳极氧化铝、镀镍铝、不锈钢、及这些材料的组合与合金。例如，前级气体冷却器354是由类似的可与工艺相容的材料所形成，或由可使排放气体凝结的材料所形成。例如，如半导体制造业中所已知，消除子系统334 可为燃烧/湿式消除子系统。
[0040]图4图示了一种用于保养(例如清洁)真空处理系统(例如化学气相沉积(CVD)系统)中所用的前级等离子体反应器子系统的示例性操作400。操作400开始于方块402,通过操作阀门使前级等离子体反应器子系统与排放气体和真空栗隔离。举例而言，参照图3,可以操作第一阀门358和第二阀门370以自真空处理腔室306与工艺真空栗310隔离前级等离子体反应器子系统350。[〇〇41]在方块404,操作400(见图4)以对前级等离子体反应器子系统供应(即引入)净化气体来继续。举例而言(见图3)，前级等离子体反应器子系统350可利用从保养净化气体供应源366引入的流率受控的氧O2予以净化，以确保任何残留的反应性或发火性(pyrophoric)化合物(来自例如排放流)的完全反应，后接以氮N2净化，以使前级等离子体反应器子系统350被移除以进行清洁和保养。
[0042]在方块406(见图4)，操作由开启从前级等离子体反应器子系统至消除子系统(例如燃烧/湿式减弱子系统)的阀门来继续。举例而言(见图3)，保养排气阀门372可以于前级308和保养线路324之间开启。
[0043]在方块408，操作400(见图4)以于消除子系统中去除在前级等离子体反应器子系统中形成(例如由净化气体与排放气体所形成)的净化气体与化合物来继续。举例而言(见图3)，氮他和氧O2净化气体、反应的排放气体、以及粒子会流至消除子系统334(例如燃烧/湿式消除子系统)并且被去除。
[0044]图5图示了根据本公开内容一个实施方式的真空处理系统500的示意图，真空处理系统500含有前级等离子体反应器系统540，前级等离子体反应器系统540包括第一前级等离子体反应器子系统550A与第二前级等离子体反应器子系统550B。虽然前级等离子体反应器系统540是以两个前级等离子体反应器子系统550A和550B加以说明，但本公开内容并没有特别限制，在真空处理系统的前级等离子体反应器系统中可含有任何数量的前级等离子体反应器子系统。图5中所示的真空处理系统500与图3所示的真空处理系统300类似，但真空处理系统500具有所述的其他构件。其他构件使真空处理腔室506工作，同时保养前级等离子体反应器子系统550A、550B中的一个。真空处理系统500包括前级508、前级等离子体反应器系统540、工艺真空栗510、排放线路512、消除子系统514及真空处理腔室506。前级等离子体反应器系统540包括第一阀门558、第二阀门570、第一前级等离子体反应器子系统550A及第二前级等离子体反应器子系统550B。真空处理腔室506可为蚀刻反应器处理腔室、离子注入腔室、等离子体处理腔室、原子层沉积腔室等。在图5所描绘的实施方式中，真空处理腔室506是CVD腔室。可以设置加热器522为与前级508相邻，以加热前级508及前级508内的排放气体。
[0045]在一个实施方式中，两个等离子体反应器子系统550A和550B包括前级509A和前级509B、等离子体源552A和552B、处理剂(例如反应气体)源556A和556B、前级气体冷却器(SP收集器)554A和554B、保养净化气体供应源566A和566B、以及保养排气阀门572A和572B。
[0046]设置第一阀门558以连接前级508与前级509A和509B，且于真空处理腔室506与前级等离子体反应器子系统550A和550B之间。保养净化气体供应源566A和566B于第一阀门558与等离子体源552A和552B之间连接至前级509A和509B。根据特定的实施方式，保养净化气体供应源566A和566B为一个供应源，但具有连接至各个前级509A和509B的阀门与管。
[0047]将等离子体源552A和552B设置于保养净化气体供应源566A和566B的下游、前级气体冷却器554A和554B的上游。保养排气阀门572A和572B连接至前级气体冷却器554A和554B的下游的前级509A和509B。将第二阀门570设置在保养排气阀门连接部与处理真空栗510之间。
[0048]前级508使排放气体从真空处理腔室506流至第一阀门558。前级509A和509B使排放气体从第一阀门558流至等离子体源552A或552B、从等离子体源552A和552B流至前级气体冷却器554A和554B、从前级气体冷却器554A和554B流至保养排气阀门572A和572B与第二阀门570，以及从第二阀门570流至工艺真空栗510。保养线路524A和524B使气体可从保养排气阀门572A和572B流至消除子系统514。排放线路512使气体可从工艺真空栗510流至消除子系统514。
[0049]等离子体源552A和552B、前级508、前级509A和509B、工艺真空栗510、第一阀门558、第二阀门570、保养排气阀门572A和572B、保养线路524A和524B及相关硬设备可由一种或多种与工艺相容的材料形成，例如铝、阳极氧化铝、镀镍铝、不锈钢、及这些材料的组合与合金。例如，前级气体冷却器554A和554B可由类似的与工艺相容的材料所形成，或由可使排放气体凝结的材料所形成。例如，如半导体制造业中所已知，消除子系统514可为燃烧/湿式消除子系统。
[0050]图6图示了一种示例性操作600，用以处理来自真空处理(例如CVD)操作的排放气体、同时保养(例如清洁)第一前级等离子体反应器子系统。操作600开始于方块602，操作第一阀门以引导排放气体离开第一前级等离子体反应器子系统而进入第二前级等离子体反应器子系统。举例而言，参照图5，可以操作第一阀门558以使第一前级等离子体反应器子系统550A与真空处理腔室506隔离，第一前级等离子体反应器子系统550A包括等离子体源552A和前级气体冷却器554A;并且将第二前级等离子体反应器子系统550B连接于真空处理腔室506，第二前级等离子体反应器子系统550B包括等离子体源552B与前级气体冷却器554B。
[0051]操作600(见图6)于方块604继续，操作第二阀门以使第一前级等离子体反应器子系统与真空栗隔离，并将第二前级等离子体反应器子系统连接于真空栗。举例而言(见图5)，可以操作第二阀门570，以使第一前级等离子体反应器子系统550A与处理真空栗510隔离，第一前级等离子体反应器子系统550A包括等离子体源552A和前级气体冷却器554A;并将第二前级等离子体反应器子系统550B连接于工艺真空栗510，第二前级等离子体反应器子系统550B包括等离子体源552B与前级气体冷却器554B。
[0052]在方块606(见图6)，操作600以对第一前级等离子体反应器子系统引入至少一种净化气体来继续。举例而言(图5)，保养净化气体供应源566A可对在等离子体源552A上游的前级509A供应氮N2与氧O2。
[0053]在方块608(见图6)，操作600以操作第三阀门以使气体从第一前级等离子体反应器子系统流至消除子系统中继续。举例而言(见图5)，保养排气阀门572A可于前级509A和保养线路524A之间开启。
[0054]操作600(见图6)于方块610继续，于消除子系统中去除净化气体与在第一前级等离子体反应器子系统中所形成的化合物。举例而言，氮与氧净化气体、反应的废气以及粒子可流至消除子系统514并且被去除。
[0055]可使用系统控制器(未示)以调节真空处理系统100、300与500的运作。系统控制器可在储存于电脑硬盘驱动器(hard di sk drive)的电脑程式的控制下运作。举例而言，电脑程式可专管工艺次序与定时、气体的混合(mixture)、腔室压力、RF功率等级、基座定位、流量阀的开启与关闭、以及特定工艺的其他参数。
[0056]上述非限制实例为提供对前述说明的更佳理解而提供。虽然这些实例可以是针对特定的实施方式，但这些实例不应被解释为将本公开内容限制于任一特定方面。
[0057]尽管前述是针对本公开内容的实施方式，但在不脱离本公开内容的基本范围的条件下，可设计本公开内容的其他及进一步实施方式，且本公开内容的保护范围由以下权利要求确定。
【主权项】
1.一种用于处理真空处理腔室排放气体的前级等离子体反应器子系统，包括:等离子体源，所述等离子体源具有第一进口，配置所述第一进口以耦接于所述真空处 理腔室;及下游收集器，所述下游收集器耦接于所述等离子体源的排出口。2.如权利要求1所述的前级等离子体反应器子系统，进一步包括:处理剂源，所述处理剂源具有排出口，所述排出口耦接于所述等离子体源的第二进口。3.如权利要求2所述的前级等离子体反应器子系统，其中所述下游收集器包括用于冷 却所述排放气体的线圈。4.如权利要求1所述的前级等离子体反应器子系统，其中所述下游收集器包括用于冷 却所述排放气体的线圈。5.如权利要求1所述的前级等离子体反应器子系统，其中所述下游收集器包括用于冷 却所述排放气体的冷却收集板。6.—种用于处理真空处理腔室排放气体的前级等离子体反应器子系统，包括:等离子体源，所述等离子体源耦接于所述真空处理腔室；第一阀门，可操作所述第一阀门以使所述等离子体源与所述真空处理腔室隔离；保养净化气体供应源，所述保养净化气体供应源耦接于所述等离子体源；下游收集器，所述下游收集器耦接于所述等离子体源的排出口；第二阀门，可操作所述第二阀门以使所述下游收集器与真空栗隔离;及 保养排气阀门，可操作所述保养排气阀门以使来自所述下游收集器的气体绕过所述真 空栗并直接流至消除子系统。7.如权利要求6所述的前级等离子体反应器子系统，进一步包括:处理剂源，所述处理剂源具有排出口，所述排出口耦接于所述等离子体源的进口。8.如权利要求7所述的前级等离子体反应器子系统，其中所述下游收集器包含用于冷 却所述排放气体的线圈。9.如权利要求6所述的前级等离子体反应器子系统，其中所述下游收集器包含用于冷 却所述排放气体的线圈。10.如权利要求6所述的前级等离子体反应器子系统，其中所述下游收集器包含用于冷 却所述排放气体的冷却收集板。11.一种用于处理真空处理系统排放气体的前级等离子体反应器系统，包括:第一阀门，可操作所述第一阀门以将排放气体引导至至少两个前级等离子体反应器子 系统之一，其中每一个前级等离子体反应器子系统包括:等离子体源，所述等离子体源耦接于所述阀门，下游收集器，所述下游收集器耦接于所述等离子体源，保养净化气体供应源，所述保养净化气体供应源耦接于所述等离子体源，及 保养排气阀门，可操作所述保养排气阀门以使来自所述下游收集器的气体绕过所述真 空处理系统的真空栗且直接流至所述真空处理系统的消除子系统;及第二阀门，所述第二阀门在各个前级等离子体反应器子系统的下游，可操作所述第二 阀门以使各个前级等离子体反应器子系统与所述真空栗隔离。12.如权利要求11所述的前级等离子体反应器系统，进一步包括:至少一个处理剂源，所述至少一个处理剂源具有排出口，所述排出口耦接于所述至少 两个前级等离子体反应器子系统中至少一个的等离子体源的进口。13.如权利要求12所述的前级等离子体反应器系统，其中所述至少两个前级等离子体 反应器子系统中至少一个前级等离子体反应器子系统的所述下游收集器包括用于冷却所 述排放气体的线圈。14.如权利要求11所述的前级等离子体反应器系统，其中所述至少两个前级等离子体 反应器子系统中至少一个前级等离子体反应器子系统的所述下游收集器包括用于冷却所 述排放气体的线圈。15.如权利要求11所述的前级等离子体反应器系统，其中所述至少两个前级等离子体 反应器子系统中至少一个前级等离子体反应器子系统的所述下游收集器包括用于冷却所 述排放气体的冷却收集板。
【文档编号】C23C16/44GK106029217SQ201580009058
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2015年2月9日
【发明人】科林·约翰·迪金森
【申请人】应用材料公司