沉淀池除污系统的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种除污系统，尤其涉及一种沉淀池除污系统，用于污水处理。
【背景技术】
[0002]现有技术中的污水处理能力相对较弱，效率低下，无法满足需求，同时能源消耗严重。
【发明内容】
[0003]本实用新型主要是解决现有技术中存在的不足，提供一种结构紧凑度高，进一步净化污水的沉淀池除污系统。
[0004]本实用新型的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的:
[0005]一种沉淀池除污系统，包括沉淀池，所述的沉淀池的左端设有搅拌池，所述的沉淀池的中端设有初步沉淀池，所述的沉淀池的右端设有再次沉淀池，所述的搅拌池与初步沉淀池间通过引流缺口相连通，所述的初步沉淀池的上部设有溢流缺口，所述的溢流缺口通过中间过渡池与再次沉淀池相连通，所述的搅拌池中设有搅拌器，所述的初步沉淀池与再次沉淀池的结构相同，所述的初步沉淀池的下端设有二个沉污槽，所述的沉污槽的底部为抽吸口，所述的沉污槽中设有螺旋桨，所述的初步沉淀池的上端设有净化通板，所述的净化通板中设有均匀分布的斜孔，所述的净化通板的下方设有精过滤网，所述的精过滤网的下方设有粗过滤网，所述的净化通板的上部与初步沉淀池形成净化汇集腔，所述的净化汇集腔与溢流缺口相连通。
[0006]作为优选，所述的精过滤网与粗过滤网相间隔分布，所述的沉污槽的横截面为锥状。
[0007]此结构能很好的处理污水中的颗粒物，达到净化的效果。
[0008]因此，本实用新型的沉淀池除污系统，结构紧凑，提升污水品质，处理效能出色。
【附图说明】
[0009]图1是本实用新型的结构示意图。
【具体实施方式】
[0010]下面通过实施例，并结合附图，对本实用新型的技术方案作进一步具体的说明。
[0011]实施例1:如图1所示，一种沉淀池除污系统，包括沉淀池1，所述的沉淀池I的左端设有搅拌池2，所述的沉淀池2的中端设有初步沉淀池3，所述的沉淀池2的右端设有再次沉淀池4，所述的搅拌池2与初步沉淀池3间通过引流缺口 5相连通，所述的初步沉淀池3的上部设有溢流缺口 6，所述的溢流缺口 6通过中间过渡池7与再次沉淀池4相连通，所述的搅拌池2中设有搅拌器8，所述的初步沉淀池3与再次沉淀池4的结构相同，所述的初步沉淀池3的下端设有二个沉污槽9，所述的沉污槽9的底部为抽吸口 10，所述的沉污槽9中设有螺旋桨11，所述的初步沉淀池3的上端设有净化通板12，所述的净化通板12中设有均匀分布的斜孔13，所述的净化通板12的下方设有精过滤网14，所述的精过滤网14的下方设有粗过滤网15，所述的净化通板12的上部与初步沉淀池3形成净化汇集腔16，所述的净化汇集腔16与溢流缺口 6相连通。
[0012]所述的精过滤网14与粗过滤网15相间隔分布，所述的沉污槽9的横截面为锥状。
【主权项】
1.一种沉淀池除污系统，其特征在于:包括沉淀池(I)，所述的沉淀池(I)的左端设有搅拌池(2)，所述的沉淀池(2)的中端设有初步沉淀池(3)，所述的沉淀池(2)的右端设有再次沉淀池(4)，所述的搅拌池(2)与初步沉淀池(3)间通过引流缺口(5)相连通，所述的初步沉淀池(3)的上部设有溢流缺口 ￠)，所述的溢流缺口(6)通过中间过渡池(7)与再次沉淀池(4)相连通，所述的搅拌池(2)中设有搅拌器(8)，所述的初步沉淀池(3)与再次沉淀池(4)的结构相同，所述的初步沉淀池(3)的下端设有二个沉污槽(9)，所述的沉污槽(9)的底部为抽吸口(10)，所述的沉污槽(9)中设有螺旋桨(11)，所述的初步沉淀池(3)的上端设有净化通板(12)，所述的净化通板(12)中设有均匀分布的斜孔(13)，所述的净化通板(12)的下方设有精过滤网(14)，所述的精过滤网(14)的下方设有粗过滤网(15)，所述的净化通板(12)的上部与初步沉淀池(3)形成净化汇集腔(16)，所述的净化汇集腔(16)与溢流缺口(6)相连通。
2.根据权利要求1所述的沉淀池除污系统，其特征在于:所述的精过滤网(14)与粗过滤网(15)相间隔分布，所述的沉污槽(9)的横截面为锥状。
【专利摘要】本实用新型涉及一种除污系统，尤其涉及一种沉淀池除污系统，用于污水处理。包括沉淀池，所述的沉淀池的左端设有搅拌池，所述的沉淀池的中端设有初步沉淀池，所述的沉淀池的右端设有再次沉淀池，所述的搅拌池与初步沉淀池间通过引流缺口相连通，所述的初步沉淀池的上部设有溢流缺口，所述的溢流缺口通过中间过渡池与再次沉淀池相连通，所述的搅拌池中设有搅拌器，所述的初步沉淀池与再次沉淀池的结构相同。沉淀池除污系统结构紧凑，提升污水品质，处理效能出色。
【IPC分类】B01D36-04
【公开号】CN204447545
【申请号】CN201520014398
【发明人】沈飞凯, 陈鑫波, 华晓伊, 何小瑜, 夏玉坤
【申请人】杭州国泰环保科技股份有限公司
【公开日】2015年7月8日
【申请日】2015年1月9日