专利名称:一种三维微型模具的制造方法
技术领域:
本发明涉及模具制造技术,特别是涉及三维微型模具的制造方法。
技术背景现有技术将零件外形尺寸特征大小在1^im 10mm之间称为微型零 件,随着微型零件的应用越来越广,特别是微机电系统(MEMS)、电子 工业等领域的迅速发展,使得微型模具制造和微成形技术成为业界重点 研究的对象。目前微型模具的微细加工技术主要包括电化学微加工、激光加工技 术和基于金属或非金属的精密机械加工,如微车削、磨削和铣削加工工 艺。电化学等微细特种加工工艺相对复杂,在难切削材料、复杂型面和 低刚度材料的模具型腔加工中具有不可替代的优势,但对于三维微型零 件模具的加工仍然存在不足之处;激光加工主要包括准分子激光加工和 飞秒激光加工,由于其激光聚焦的局限性,加工的微型模具相对深宽比 较小;传统的微机械切削加工方法加工三维微小模具型腔,虽然工艺简 便实用,不需要太大的投资就可以进行生产,但加工模具型腔尺寸较大、 精度较低。发明内容本发明提供一种基于硅键合工艺的三维微型模具制造方法,能够制造出微米尺度的三维微型模具,具有精度高,成本低,柔性大的优点。 本发明提供的一种三维微型模具的制造方法,包括以下步骤
(1) 对待制造零件在垂直方向上进行分层,每层厚度为10微米 300
微米;
(2) 选择数量与待制造零件分层数相同的硅片,在各硅片上分别刻 蚀出与待制造零件各层结构相应的图形;
(3) 将质量百分比98%的H2S04与质量百分比30%的&02按照休 积比2 4:1混合,采用此混合溶液对各硅片进行清洗;
(4) 对各硅片进行活化;
(5) 将活化后的硅片,按层次快速对准贴合;
(6) 将贴合好的硅片放入退火炉内进行退火处理得到三维微型模具型腔。
本发明相比现有技术具有如下优点本发明采用多层硅-硅直接键合 方法,无需中介层辅助,键合强度高,可靠性好,而且随着温度升高, 键合界面将出现熔融,键合强度进一步增加,因此利用本发明制备的硅 模具可以承受较大的压力和较高的温度。同时,通过变换组合具有不同 图形的硅片,同一批次硅片能够加工制造出大量形状复杂,高深宽比的 三维微型硅模具,厚度方向可达几百微米甚至数毫米,精度高,工艺柔 性大,成本低。
图1为本发明一实施例制造的模具所针对的零件示意图2为本发明一实施例刻蚀步骤示意图,图2 (a)、图2 (c)、图2
(e)、图2 (g)和图2 (i)为减薄后的硅片示意图,2 (b)、图2 (d)、
图2 (f)、图2 (h)和图2 (j)为各硅片刻蚀后的截面效果示意图3为本发明一实施例中两块硅片贴合截面效果示意图4为本发明一实施例中制造出的模具截面效果示意图5为本发明另一实施例中制造的模具所针对的零件示意图6为本发明另一实施例中制造的模具截面效果示意图7为第三实施例制造的模具所针对的零件示意图8为第三实施例制造的模具截面效果示意图。
具体实施例方式
下面结合具体实施例和附图进一步说明本发明。 实施例1:
图1示出了本实施例制造的模具所针对的待制造三维微型零件,将 该零件在垂直方向上分为5层,选择5块标准硅片,将硅片减薄,图2 (a)、图2 (c)、图2 (e)和图2 (g)所示的硅片厚度为100 P m,图2 (i)所示的硅片厚度为300um,采用体硅加工工艺在硅片上按顺序刻蚀 出零件各层的外观图形,如图2 (b)、图2 (d)、图2 (f)、图2 (h)和 图2 (j)所示,图2 (j)的硅片刻蚀有零件最底层的外观形状。
将刻蚀好的待键合样片浸泡到清洗液(H2S04:H202=2:1)中,在 120。C温度条件下清洗20分钟;
将清洗后的硅片浸泡到氨基活化液(NH40H:H202:H20= 1:1:5)中进行一次活化,样片活化20分钟,反应温度为7(TC;再将硅片浸泡到盐酸基活化液(HC1:H202:H20=1:1:5)中进行二次 活化,样片活化20分钟,反应温度为7(TC;将活化后的硅片吹干后,在室温下按照从上到下的顺序将其迅速贴 合在一起,使之发生预键合,图3示出了图2 (b)和图2 (d)所示的硅 片贴合截面效果示意图。最后将预键合好的硅片放入退火炉中进行退火处理,退火温度为400 °C,退火时间为15小时,得到模具型腔,如图4所示出。实施例2:图5为本实施例制造的模具所针对的零件,将该模具分为三层,制 备步骤与实施例1大致相同,区别点在于(1)采用H2S04:H202二4:1 的清洗液清洗15分钟;(2)采用70X的HNO3进行活化,活化时间为 20分钟,反应温度为7(TC; (3)采用从下往上的顺序贴合;(4)退火时 间为10小时,退火温度为450'C。图6为本实施例制造出的模具截面效 果示意图。实施例3:图7为本实施例制造的模具所针对的零件,从结构上看可以分为三 层,但由于此微型零件两端部分具有相对高的深宽比,在现有刻蚀技术 无法刻透情况下,将其多分为两层,因此此零件共分五层,模具制备步 骤与实施例l大致相同,区别点在于(1)采用H2S04:H20产3:1的清洗液,在120'C温度条件下清洗10分钟;(2)采用70%的HN03进行活化, 活化是时间为20分钟,反应温度为70°C; (3)采用从下往上的顺序贴合;
(4)退火时间为8小时,退火温度为500'C。图8为本实施例制造出的 模具截面效果示意图。
本发明在具体实施中,可以将各硅片同时减薄、刻蚀、清洗、活化 和贴合,也可以先对两硅片进行减薄、刻蚀、清洗、活化和贴合,然后 再对其它硅片作相同处理,不论哪一种方式,实质上都是相同的,均在 本发明要求保护的范围内。
权利要求
1、一种三维微型模具的制造方法,包括以下步骤(1)对待制造零件在垂直方向上进行分层,每层厚度为10微米~300微米;(2)选择数量与待制造零件分层数相同的硅片,在各硅片上分别刻蚀出与待制造零件各层结构相应的图形;(3)将质量百分比98%的H2SO4与质量百分比30%的H2O2按照体积比2~4∶1混合,采用此混合溶液对各硅片进行清洗;(4)对各硅片进行活化;(5)将活化后的硅片干燥,按层次快速对准贴合;(6)将贴合好的硅片放入退火炉内进行退火处理得到三维微型模具型腔。
2、 根据权利要求1所述的一种三维微型模具的制造方法,其特征在 于,所述步骤(5)按照从上往下的顺序贴合。
3、 根据权利要求1所述的一种三维微型模具的制造方法,其特征在 于,所述步骤(6)的退火时间为8~15小时,退火温度为400-500°C。
全文摘要
本发明提供了一种三维微型模具的制造方法,在各硅片上分别刻蚀出与待制造零件各层结构相应的图形,将质量百分比98%的H<sub>2</sub>SO<sub>4</sub>与质量百分比30%的H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>按照体积比2~4∶1混合,采用此混合溶液对各硅片进行清洗,然后活化,再将活化后的硅片干燥,按层次迅速对准贴合,最后进行退火处理得到三维微型模具型腔。本发明能够制造出微米尺度的三维微型模具,具有精度高,成本低,柔性大的优点,适用于微齿轮轴、微阶梯轴、高深宽比三维微型结构等微机电系统(MEMS)器件模具的加工制造。
文档编号B81C99/00GK101293628SQ200810047229
公开日2008年10月29日 申请日期2008年4月3日 优先权日2008年4月3日
发明者史铁林, 廖广兰, 平 彭, 汤自荣, 栋 王, 磊 聂, 阮传值 申请人:华中科技大学