一种mems器件及其制作方法和电子装置的制造方法
【专利摘要】本发明提供一种MEMS器件及其制作方法和电子装置，涉及半导体技术领域。所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底的正面形成牺牲层；图案化牺牲层，以形成开口暴露部分半导体衬底的表面，其中，开口的图案与预定形成的下电极的图案一致；在牺牲层的表面以及所述开口内暴露的半导体衬底的表面上沉积形成多晶硅层；图案化多晶硅层，以形成位于牺牲层上方的上电极和位于开口底部半导体衬底表面上的下电极；刻蚀所述下电极区域对应的部分所述半导体衬底的背面，直到暴露所述下电极；去除暴露的部分所述牺牲层，以释放所述上电极。本发明的制作方法，可减少MEMS器件制作工艺中的单个晶圆的工艺制程，降低了工艺成本，简化了工艺步骤。
【专利说明】
一种MEMS器件及其制作方法和电子装置
技术领域
[0001]本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种MEMS器件及其制作方法和电子
目.ο
【背景技术】
[0002]对于高容量的半导体存储装置需求的日益增加，这些半导体存储装置的集成密度受到人们的关注，为了增加半导体存储装置的集成密度，现有技术中采用了许多不同的方法，例如通过减小晶片尺寸和/或改变内结构单元而在单一晶片上形成多个存储单元，对于通过改变单元结构增加集成密度的方法来说，已经进行尝试沟通过改变有源区的平面布置或改变单元布局来减小单元面积。
[0003]在电子消费领域，多功能设备越来越受到消费者的喜爱，相比于功能简单的设备，多功能设备制作过程将更加复杂，比如需要在电路版上集成多个不同功能的芯片，因而出现了 3D 集成电路(integrated circuit，IC)技术。
[0004]其中，微电子机械系统(MEMS)在体积、功耗、重量以及价格方面具有十分明显的优势，至今已经开发出多种不同的传感器，例如压力传感器、加速度传感器、惯性传感器以及其他的传感器。
[0005]在MEMS领域中由于器件需求，往往在MEMS器件制作过程中涉及到对单个晶圆(Single Wafer)逐一进行键合(Bonding)和贴胶带(tape)等工艺制程，因此造成了较高的成本和较大的生产消耗。
[0006]因此需要对目前MEMS器件的制作方法作进一步的改进，以便消除上述各种弊端。
【发明内容】
[0007]在
【发明内容】
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在【具体实施方式】部分中进一步详细说明。本发明的
【发明内容】
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
[0008]为了克服目前存在的问题，本发明提供一种MEMS器件的制作方法，包括:
[0009]步骤Al:提供半导体衬底，在所述半导体衬底的正面形成牺牲层；
[0010]步骤A2:图案化所述牺牲层，以形成开口暴露部分所述半导体衬底的表面，其中，所述开口的图案与预定形成的下电极的图案一致；
[0011]步骤A3:在所述牺牲层的表面以及所述开口内暴露的半导体衬底的表面上沉积形成多晶娃层；
[0012]步骤A4:图案化所述多晶硅层，以形成位于所述牺牲层上方的上电极和位于所述开口底部所述半导体衬底表面上的下电极；
[0013]步骤A5:刻蚀所述下电极区域对应的部分所述半导体衬底的背面，直到暴露所述下电极；
[0014]步骤A6:去除暴露的部分所述牺牲层，以释放所述上电极。
[0015]进一步，在所述步骤A2之后和所述步骤A3之前还包括以下步骤:
[0016]在所述开口内暴露的所述半导体衬底的表面上形成衬垫层。
[0017]进一步，所述牺牲层和所述衬垫层的材料为氧化物。
[0018]进一步，所述牺牲层的厚度范围为30?60 μπι。
[0019]进一步，所述下电极和所述上电极均为叉指型电极，所述上电极和下电极位于不同的层且从平面方向上构成交叉指型电极阵列。
[0020]进一步，所述步骤Α4包括以下步骤:
[0021]在所述多晶娃层上喷涂光阻层；
[0022]图案化所述光阻层，以定义所述上电极和所述下电极的图案；
[0023]以图案化的光阻层为掩膜，刻蚀所述多晶硅层，以形成位于所述牺牲层上方的上电极和位于所述开口底部所述半导体衬底表面上的下电极；
[0024]去除所述图案化的光阻层。
[0025]进一步，所述刻蚀为湿法刻蚀。
[0026]进一步，所述湿法刻蚀的刻蚀剂包括氢氟酸和硝酸。
[0027]进一步，在所述步骤Α4之后和所述步骤Α5之前还包括以下步骤:
[0028]刻蚀所述上电极一侧的部分所述牺牲层，以暴露部分半导体衬底的正面；
[0029]分别在所述上电极部分表面上和暴露的部分所述半导体衬底的正面形成金属接触。
[0030]进一步，形成所述金属接触的过程包括以下步骤:
[0031]在所述上电极、所述下电极、所述牺牲层和所述暴露的所述半导体衬底的正面上形成金属层；
[0032]图案化所述金属层，以形成分别位于所述上电极部分表面上和暴露的部分所述半导体衬底正面的所述金属接触。
[0033]进一步，所述金属层的厚度为2 μ m，所述金属层的材料为金。
[0034]本发明实施例二提供一种采用前述方法制作的MEMS器件。
[0035]本发明实施例三提供一种电子装置，所述电子装置包括前述的MEMS器件。
[0036]综上所述，根据本发明的制作方法，通过在一个衬底上形成上电极和下电极的方法，可减少MEMS器件制作工艺中的单个晶圆的工艺制程，降低了工艺成本，简化了工艺步骤，同时获得的器件具有高的良率和性能。
【附图说明】
[0037]本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的原理。
[0038]附图中:
[0039]图1A-图1N为现有的一种MEMS器件的制作方法相关步骤所获得器件的剖面示意图；
[0040]图2A-图2L示出了根据本发明的制作方法依次实施所获得MEMS器件的剖面示意图；
[0041]图3示出了根据本发明的制作方法所获得MEMS器件的上电极和下电极的布局图；
[0042]图3A-图3C示出了分别沿图3中剖面线A_A’、B_B’、C_C’所获得器件的剖面示意图；
[0043]图4示出了根据本发明的制作方法依次实施步骤的工艺流程图。
【具体实施方式】
[0044]在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。
[0045]应当理解的是，本发明能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本发明的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。
[0046]应当明白，当元件或层被称为“在…上”、“与…相邻”、“连接至IJ”或“耦合至IJ”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在…上”、“与…直接相邻”、“直接连接至IJ”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本发明教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。
[0047]空间关系术语例如“在…下”、“在…下面”、“下面的”、“在…之下”、“在…之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在…下面”和“在…下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
[0048]在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本发明的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
[0049]为了彻底理解本发明，将在下列的描述中提出详细的步骤，以便阐释本发明提出的技术方案。本发明的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本发明还可以具有其他实施方式。
[0050]目前，一种MEMS器件的制作方法如图1A-1N所示，首先，如图1A所示，提供第一衬底100，在第一衬底100的正面形成键合层101 ;
[0051]接着，如图1B所示，反转所述第一衬底100，使第一半导体衬底100的背面朝上；
[0052]接着，如图1C所示，提供第二衬底200，在所述第二衬底的正面刻蚀形成若干沟槽201 ；
[0053]接着，如图1D所示，在所述第二衬底200正面和沟槽201的侧壁和底部形成热氧化氧化硅202 ；
[0054]接着，如图1E所示，将第一衬底100的键合层101与第二衬底200正面的热氧化氧化硅202进行键合；
[0055]接着，如图1F所示，将所述对第一衬底100的背面进行背部研磨减薄；
[0056]接着，如图1G所示，图案化第一衬底100，以形成上电极10a ;
[0057]接着，如图1H所示，图案化键合层101和热氧化氧化硅202，以暴露上电极10a两侧的第二衬底200的部分表面；
[0058]接着，如图1I所示，形成覆盖所述上电极10a和所述第二衬底200暴露的表面的Au金属层；
[0059]接着，如图1J所示，图案化所述Au金属层，以形成位于部分上电极10a上和第二衬底200部分表面上的金属接触203 ;
[0060]接着，如图1K所示，反转第一衬底100和第二衬底200，以使第二衬底200的背面朝上；
[0061]接着，如图1L所示，对与上电极10a位置对应的第二衬底200的背面进行刻蚀，所述刻蚀未穿通第二衬底200 ;
[0062]接着，如图1M所示，湿法刻蚀去除暴露的部分键合层101和热氧化氧化硅202，以使上电极10a悬浮；
[0063]接着，如图1N所示，再次进行翻转，以使上电极10a朝上，上电极10a下方的对应的部分第二衬底200作为器件的下电极，至此完成最终的器件制作。
[0064]上述制作过程，由于需要分别对第一衬底和第二衬底进行键合前的制程，而且，涉及背部研磨工艺时还要对器件进行贴保护胶带的制程等，工艺过程复杂，造成了较高的成本和较大的生产消耗。
[0065]因此，需要对目前所述方法作进一步的改进，以便能够消除上述各种问题。
[0066]实施例一
[0067]下面，将参照图2A-图2L、图3、及图4对本发明的MEMS器件的制作方法做详细描述。其中，图2A-图2L示出了根据本发明的制作方法依次实施所获得MEMS器件的剖面示意图；图3示出了根据本发明的制作方法所获得MEMS器件的上电极和下电极的布局图；图3A-图3C示出了分别沿图3中剖面线A-A’、B-B’、C-C’所获得器件的剖面示意图；图4示出了根据本发明的制作方法依次实施步骤的工艺流程图。
[0068]本发明的MEMS器件的制作方法，包括以下步骤:
[0069]首先，如图2A所示，提供半导体衬底300，在所述半导体衬底300的正面形成牺牲层 301。
[0070]所述半导体衬底300可以是以下所提到的材料中的至少一种:硅、绝缘体上硅(SOI)、绝缘体上层叠硅(SSOI)、绝缘体上层叠锗化硅(S-SiGeOI)、绝缘体上锗化硅(SiGeOI)以及绝缘体上锗(GeOI)等。本实施例中，所述半导体衬底的材料为硅。所述半导体衬底中还形成有有源器件和/或无源器件，其中所述有源器件和无源器件的种类以及数目可以根据具体需要进行选择，并不局限于某一种。在一个示例中，所述半导体衬底中还形成有CMOS器件。
[0071]所述牺牲层301的材料可以选自氧化物、氮化物、氮氧化物、无定形碳等材料，较佳地，牺牲层的材料为氧化物。可采用本领域技术人员熟知的任何方法沉积形成牺牲层301，例如，化学气相沉积法，原子层沉积法等，优选地为使用等离子体化学气相沉积法。形成的牺牲层301的厚度范围可以为30?60 μ m，但并不局限于上述厚度范围，可根据实际工艺进行适当调整，其取决于预定形成的上电极和下电极之间的高度差。本实施例中，所述牺牲层301的厚度为50 μπι。
[0072]接着，如图2Β所示，图案化所述牺牲层301，以形成开口 302暴露部分所述半导体衬底300的表面，其中所述开口 302的图案与预定形成的下电极的图案一致。
[0073]图案化牺牲层300的方法可采用光刻工艺和刻蚀工艺结合的方法，即首先在牺牲层表面上形成光阻层，利用光刻工艺在光阻层中定义出预定形成的下电极的图案，以光阻层为掩膜刻蚀牺牲层，形成开口 302，该开口具有与预定形成的下电极的图案一致。
[0074]接着，如图2C所示，在所述开口 302内暴露的所述半导体衬底300的表面上形成衬垫层303。
[0075]衬垫层303可以包括数种衬垫材料的任何一种，包括但不限于:氧化硅衬垫材料和氮化硅衬垫材料，衬垫层优选包括氧化硅衬垫材料。可以使用包括但不限于:化学气相沉积方法和物理气相沉积方法形成衬垫层。通常，衬垫层303具有从大约200到大约1000埃的厚度。较佳地，衬垫层303和牺牲层301是由相同的材料形成的，以便于经后续的一步工艺就可以将两者同时去除，例如，所述牺牲层和所述衬垫层的材料为氧化物。可选择性的执行形成衬垫层303的步骤。
[0076]接着，如图2D所示，在所述牺牲层301的表面以及所述开口 302内衬垫层303表面上沉积形成多晶娃层304。
[0077]多晶硅层304的形成方法可选用低压化学气相淀积(LPCVD)工艺。形成所述多晶硅层的工艺条件包括:反应气体为硅烷(SiH4)，所述硅烷的流量范围可为100?200立方厘米/分钟(sccm)，如150sccm ;反应腔内温度范围可为700?750摄氏度；反应腔内压力可为250?350毫毫米萊柱(mTorr)，如300mTorr ;所述反应气体中还可包括缓冲气体，所述缓冲气体可为氦气(He)或氮气，所述氦气和氮气的流量范围可为5?20升/分钟(slm)，如 8slm、1slm 或 15slm。
[0078]在一个示例中，若在开口 302的底部未形成衬垫层，则形成的多晶硅层直接沉积于开口内暴露的半导体衬底的表面上。
[0079]沉积形成的多晶硅层304覆盖整个牺牲层301的表面以及开口 302的侧壁和底部。
[0080]接着，如图2E-2G所示，图案化所述多晶硅层，以形成位于所述牺牲层301上方的上电极304a和位于所述开口 302底部所述半导体衬底300上的下电极304b。
[0081]具体地，如图2E所示，首先，在所述多晶硅层304上喷涂光阻层305，图案化所述光阻层305，以定义上电极和下电极的图案。接着，如图2F所示，以图案化的光阻层305为掩膜，刻蚀所述多晶硅层，以形成位于所述牺牲层301上方的上电极304a和位于所述开口302底部所述半导体衬底300表面上的下电极304b。该步骤中，位于开口 302侧壁上的和牺牲层301上的上电极304a的图案以外的多晶硅层全部刻蚀去除。该步骤中的刻蚀可以为干法刻蚀或湿法刻蚀，本实施例中，较佳地选用湿法刻蚀，所述湿法刻蚀可以选用包括氢氟酸和硝酸的刻蚀剂。之后，如图2G所示，去除图案化的光阻层。可采用本领域技术人员熟知的任何方法去除该光阻层，例如，灰化的方法或者湿法清洗等。
[0082]在一个示例中，形成的上电极304a和下电极304b的平面布局，如图3所示，所述下电极304a和所述上电极304b均为叉指型电极，所述上电极304a和下电极304b位于不同的层且从平面方向上构成交叉指型电极阵列。叉指型电极由沿第一方向延伸的第一电极部分和与第一电极部分垂直相交的若干第二电极部分构成，而交叉指型电极阵列则由两个叉指型电极交叉构成。其中，图3A示出了沿图3中剖面线A-A’所获得器件的剖面示意图，在该区域，上电极304a的一部分位于牺牲层301的表面上，图3B示出了沿图3中剖面线B-B’所获得器件的剖面示意图，在该区域，上电极304a和下电极304b位于不同的层且从平面方向上构成交叉指型，上电极304a位于牺牲层301的表面上，而下电极304b位于半导体衬底300的表面上，图3C示出了沿图3中剖面线C-C’所获得器件的剖面示意图，在该区域，下电极304b位于半导体衬底300的表面上。
[0083]接着，如图2H-图21所示，刻蚀所述上电极304a —侧的部分所述牺牲层301，以暴露部分半导体衬底300的正面，分别在所述上电极304a部分表面上和暴露的部分所述半导体衬底300的正面形成金属接触306。
[0084]具体地，首先，如图2H所示，在所述上电极304a、所述下电极304b、所述牺牲层301和所述暴露的所述半导体衬底300的正面上形成金属层306’。所述金属层306’的材料可以选自铝、铜、金、银、铂、锡等金属。示例性地，所述金属层的厚度为2 μm，所述金属层的材料为金。可通过低压化学气相沉积(LPCVD)、等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)、金属有机化学气相沉积(MOCVD)及原子层沉积(ALD)或其它先进的沉积技术形成金属层306’。
[0085]如图21所示，图案化所述金属层，以形成分别位于所述上电极304a部分表面上和暴露的部分所述半导体衬底300正面的所述金属接触306。
[0086]接着，如图2J所示，刻蚀所述下电极304b区域对应的部分所述半导体衬底300的背面，直到暴露所述下电极304b。
[0087]使所述半导体衬底300的背面朝上，刻蚀所述下电极304b区域对应的部分所述半导体衬底300的背面。示例性地，在所述下电极304b和所述半导体衬底的正面之间还形成有衬垫层302，则本步骤中的刻蚀可停止于衬垫层302中。可采用干法刻蚀或湿法刻蚀等工艺实现对半导体衬底300的背面的刻蚀。较佳地，选用干法刻蚀，干法蚀刻工艺包括但不限于:反应离子蚀刻(RIE)、离子束蚀刻、等离子体蚀刻或者激光切割。最好通过一个或者多个RIE步骤进行干法蚀刻。
[0088]接着，如图2K所示，去除暴露的部分所述牺牲层，以释放所述上电极304a。
[0089]可采用湿法刻蚀的方法去除所述牺牲层，该刻蚀具有对牺牲层高的蚀刻选择比。在本步骤中，还可同时将之前步骤中剩余的暴露的部分衬垫层去除。
[0090]最后，如图2L所示，翻转半导体衬底300，使其正面朝上。
[0091]至此，完成了本发明实施例的MEMS器件制作的相关步骤的介绍。在上述步骤之后，还可以包括其他相关步骤，此处不再赘述。并且，除了上述步骤之外，本实施例的制作方法还可以在上述各个步骤之中或不同的步骤之间包括其他步骤，这些步骤均可以通过现有技术中的各种工艺来实现，此处不再赘述。
[0092]综上所述，根据本发明的制作方法，通过在一个衬底上形成上电极和下电极的方法，可减少MEMS器件制作工艺中的单个晶圆的工艺制程，降低了工艺成本，简化了工艺步骤，同时获得的器件具有高的良率和性能。
[0093]参照图4，示出了本发明一个【具体实施方式】依次实施的步骤的工艺流程图，用于简要示出整个制作工艺的流程。
[0094]在步骤S401中，提供半导体衬底，在所述半导体衬底的正面形成牺牲层；
[0095]在步骤S402中，图案化所述牺牲层，以形成开口暴露部分所述半导体衬底的表面，其中，所述开口的图案与预定形成的下电极的图案一致；
[0096]在步骤S403中，在所述牺牲层的表面以及所述开口内暴露的半导体衬底的表面上沉积形成多晶娃层；
[0097]在步骤S404中，图案化所述多晶硅层，以形成位于所述牺牲层上方的上电极和位于所述开口底部所述半导体衬底表面上的下电极；
[0098]在步骤S405中，刻蚀所述下电极区域对应的部分所述半导体衬底的背面，直到暴露所述下电极；
[0099]在步骤S406中，去除暴露的部分所述牺牲层，以释放所述上电极。
[0100]实施例二
[0101]本发明还提供了一种MEMS器件，所述MEMS器件通过实施例一中所述方法制作得到。
[0102]所述MEMS器件包括但不限于传感器、微传感器、共振器、制动器、微制动器、微电子器件及转换器等。
[0103]由于实施例一中的制作方法具有优异的技术效果，因此采用该制作方法形成的MEMS器件其具有更高的性能和可靠性。
[0104]实施例三
[0105]本发明另外还提供一种电子装置，其包括前述的MEMS器件。或其包括采用实施例一种方法制作获得的MEMS器件。
[0106]由于包括的MEMS器件具有更高的性能，该电子装置同样具有上述优点。
[0107]该电子装置，可以是手机、平板电脑、笔记本电脑、上网本、游戏机、电视机、VCD,DVD、导航仪、照相机、摄像机、录音笔、MP3、MP4、PSP等任何电子产品或设备，也可以是具有上述MEMS器件的中间产品，例如:具有该集成电路的手机主板等。
[0108]本发明已经通过上述实施例进行了说明，但应当理解的是，上述实施例只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人员可以理解的是，本发明并不局限于上述实施例，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。
【主权项】
1.一种MEMS器件的制作方法，包括: 步骤Al:提供半导体衬底，在所述半导体衬底的正面形成牺牲层； 步骤A2:图案化所述牺牲层，以形成开口暴露部分所述半导体衬底的表面，其中，所述开口的图案与预定形成的下电极的图案一致； 步骤A3:在所述牺牲层的表面以及所述开口内暴露的半导体衬底的表面上沉积形成多晶娃层； 步骤A4:图案化所述多晶硅层，以形成位于所述牺牲层上方的上电极和位于所述开口底部所述半导体衬底表面上的下电极； 步骤A5:刻蚀所述下电极区域对应的部分所述半导体衬底的背面，直到暴露所述下电极； 步骤A6:去除暴露的部分所述牺牲层，以释放所述上电极。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述步骤A2之后和所述步骤A3之前还包括以下步骤: 在所述开口内暴露的所述半导体衬底的表面上形成衬垫层。3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述牺牲层和所述衬垫层的材料为氧化物。4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述牺牲层的厚度范围为30?60 μ mD5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述下电极和所述上电极均为叉指型电极，所述上电极和下电极位于不同的层且从平面方向上构成交叉指型电极阵列。6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤A4包括以下步骤: 在所述多晶硅层上喷涂光阻层； 图案化所述光阻层，以定义所述上电极和所述下电极的图案； 以图案化的光阻层为掩膜，刻蚀所述多晶硅层，以形成位于所述牺牲层上方的上电极和位于所述开口底部所述半导体衬底表面上的下电极； 去除所述图案化的光阻层。7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述刻蚀为湿法刻蚀。8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的刻蚀剂包括氢氟酸和硝酸。9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述步骤A4之后和所述步骤A5之前还包括以下步骤: 刻蚀所述上电极一侧的部分所述牺牲层，以暴露部分半导体衬底的正面； 分别在所述上电极部分表面上和暴露的部分所述半导体衬底的正面形成金属接触。10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，形成所述金属接触的过程包括以下步骤: 在所述上电极、所述下电极、所述牺牲层和所述暴露的所述半导体衬底的正面上形成金属层； 图案化所述金属层，以形成分别位于所述上电极部分表面上和暴露的部分所述半导体衬底正面的所述金属接触。11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述金属层的厚度为2μ m，所述金属层的材料为金。12.一种采用如权利要求1-11中任一项所述的方法制作的MEMS器件。13.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括如权利要求12中所述的MEMS器件。
【文档编号】B81C1/00GK106032267SQ201510121611
【公开日】2016年10月19日
【申请日】2015年3月19日
【发明人】郑超, 马军德, 丁敬秀
【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司