专利名称：一种用于电解高纯度黄金的金纳米膜电极的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种用于电解高纯度黄金的金纳米膜电极。
背景技术：
国内外黄金精炼主要采用电解法、化学法和萃取法等工艺。其中，金的电解精炼由于工艺流程简单、生产指标稳定、作业环境较好等优点而被大部
分的黄金精炼企业所采用，但常规的电解方法存在有如下缺点生产周期较
长、过程金积压较多、能耗大、污染较为严重。
实用新型内容
本实用新型提供一种用于电解高纯度黄金的金纳米膜电极，其应用在电解法精练中能克服了背景技术黄金精炼所存在的生产周期较长、过程金积压较多、能耗大、污染的不足。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是
一种用于电解高纯度黄金的金纳米膜电极，它包括一钛板及一通过电解
制备方法析在钛板表面的金纳米膜。
本实用新型一较佳实施例中，该金纳米膜为厚度小于100nra的金纳米膜。本实用新型一较佳实施例中，该金纳米膜为表面平均粒度小于70nm的金
纳米膜。
本实用新型一较佳实施例中，该金纳米膜包括一底壁及一由底壁周缘向上延伸而成的周壁，该周壁高度等于钬板高度1/2-3/4;该底壁贴在钛板底面，该周壁吻合并套接钛板周侧面。
本技术方案与背景技术相比纳米膜电极能够被用以非对称电流高纯度黄金精炼生产中，代替纯金制作的阴极板，它具有如下优点1、在金电解过程中用金纳米薄膜电极能提高阴极金的纯度；2、利用纳米金电催化方面的性质，可以降低氧化还原电位，优化电流密度，缩短生产周期和减少过程金积压，从而大大增强了电解法生产的竟争性。以下结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型一较佳实施例的用于电解高纯度黄金的金纳米膜电极的剖面示意图。
具体实施方式
请查阅图l， 一种用于电解高纯度黄金的金纳米膜电极IOO，它包括一钛板110及一通过电解制备方法析在钛板110表面的金纳米膜120。该金纳米膜120的厚度小于lOOnm，例如为90nm、 80nm、 95nm。该金纳米膜120的表面平均津立度小于70nm，例如为65nm、 69nm。
该金纳米膜120包括一底壁及一由底壁周缘向上延伸而成的周壁，该周壁高度等于钬板高度2/3;该底壁贴在钛板底面，该周壁吻合并套接钬板周侧面。
将本实施例的金纳米膜电极100用以电解法黄金精练工艺中，能精练出高纯度(99.999%)的黄金。
以上所述，仅为本实用新型较佳实施例而已，故不能以此限定本实用新型实施的范围，即依本实用新型申请专利范围及说明书内容所作的等效变化与修饰，皆应仍属本实用新型专利涵盖的范围内。
权利要求1.一种用于电解高纯度黄金的金纳米膜电极，其特征在于它包括一钛板及一通过电解制备方法析在钛板表面的金纳米膜。
2. 根据权利要求1所述的一种用于电解高纯度黄金的金纳米膜电极，其 特征在于该金纳米膜为厚度小于100nm的金纳米膜。
3. 根据权利要求1或2所述的一种用于电解高纯度黄金的金纳米膜电极， 其特征在于该金纳米膜为表面平均粒度小于70nm的金纳米膜。
4. 根据权利要求1或2所述的一种用于电解高纯度黄金的金纳米膜电极， 其特征在于该金纳米膜包括一底壁及一由底壁周缘向上延伸而成的周壁， 该周壁高度等于钬板高度1/2-3/4;该底壁贴在钬板底面，该周壁吻合并套 接钛板周侧面。
专利摘要本实用新型公开了一种用于电解高纯度黄金的金纳米膜电极。它包括一钛板及一通过电解制备方法析在钛板表面的金纳米膜。纳米膜电极能够被用以非对称电流高纯度黄金精炼生产中，代替纯金制作的阴极板，它具有如下优点1.在金电解过程中用金纳米薄膜电极能提高阴极金的纯度；2.利用纳米金电催化方面的性质，可以降低氧化还原电位，优化电流密度，缩短生产周期和减少过程金积压，从而大大增强了电解法生产的竞争性。
文档编号C25C1/00GK201330288SQ200820229649
公开日2009年10月21日 申请日期2008年12月29日 优先权日2008年12月29日
发明者刘升明, 叶志勇, 季常青, 罗天长, 龙 马, 黄怀国 申请人:厦门紫金矿冶技术有限公司