专利名称：二极管晶粒镀镍金的镀槽的制作方法
技术领域：
二极管晶粒镀镍金的镀槽技术领域[0001]本实用新型涉及二极管晶粒的镀镍金，尤其涉及二极管晶粒的镀槽装置。
技术背景[0002]半导体晶片在切割前需在表面镀一层金，已增强晶粒的焊接效果且不易被氧化， 故镀金效果的好坏直接影响到切割后晶粒的外观效果和焊接效果。然而，在切割前镀层有不均勻现象，很多时候这种现象不易被发现，只有在晶片切割成晶粒并在焊接后对通过焊接件做拉力测试才能发现镀层脱落的有关情况，这样会导致二极管晶粒在焊接的过程中会发生焊接不良现象，焊接效果不好将直接影响到晶粒在客户端的应用，具有较大的品质隐串)Qi、O[0003]在这种情况下，晶粒需要返工。晶片的返工相对来说比较容易，只需要去金后重新按照原工艺再次镀镍金即可，然而由于晶粒较小，且作业时晶粒易堆积在一起，不能够是晶粒表面完全镀镍金，给返工带来了很大的难度。实用新型内容[0004]本实用新型针对以上问题，提供了一种操作简便、轻松，成品率高的二极管晶粒镀镍金的镀槽。[0005]本实用新型的技术方案是包括呈长方体镀槽本体，还包括导轨和晶粒容器；[0006]所述导轨具有一对，分别设置在所述镀槽本体顶面两对边的上沿；[0007]所述晶粒容器包括提篮、分别设置在提篮两侧的吊杆和连接两吊杆顶部的滚轴；[0008]所述滚轴的两端搁置在所述导轨上。[0009]所述导轨的两端分别设有滚轴限位凸起。[0010]所述导轨面向上凸起，形成弧形。[0011]所述镀槽内还设有氮气鼓泡装置，所述氮气鼓泡装置为连通氮气源的气管，所述气管盘设在所述镀槽内的底面上，气管的上面开设有若干气孔。[0012]本实用新型通过在矩形镀槽上方悬挂塑料篮，将晶粒放入篮中，通过推动支架实现晶粒镀金的效果，导轨有一定的弧度，可以使塑料篮呈波浪式摆动，使其中晶粒上下不仅水平方向运动，而且在垂直方向也运动，以达到晶粒在镀液中激烈运动状态，使晶粒表面任何位置均能够全面接触镀液，提高镀镍金的效果。其操作方便，节省了劳动力，提高晶粒二次利用的合格率。
[0013]图1是本实用新型的主视图，[0014]图2是本实用新型的俯视图，[0015]图3是本实用新型的工作状态参考图；[0016]图中1是镀槽，2是镀液，3是导轨，31是限位凸起，4是提篮，41是滚轴，42是吊杆。
具体实施方式
[0017]本实用新型如图广2所示，包括呈长方体镀槽1本体，还包括导轨3和晶粒容器；[0018]所述导轨3具有一对，分别设置在所述镀槽1本体顶面两对边的上沿；[0019]所述晶粒容器包括提篮4、分别设置在提篮4两侧的吊杆42和连接两吊杆顶部的滚轴41 ；[0020]所述滚轴41的两端搁置在所述导轨3上。滚轴41两端还可以与导轨3采用滚动连接。[0021]所述导轨的两端分别设有滚轴限位凸起31。限位凸起31的形状不限，主要起到限制滚轴的始末端位置。[0022]所述导轨3面向上凸起，形成弧形。[0023]所述镀槽1内还设有氮气鼓泡装置，所述氮气鼓泡装置为连通氮气源的气管，所述气管盘设在所述镀槽1内的底面上，气管的上面开设有若干气孔。氮气鼓泡装置改善了晶粒表面与镀液的接触情况，晶粒镀镍金效果明显。[0024]本实用新型的工作状态如图3所示，提篮4全部进入镀液2中，通过推动滚轴41， 使提篮4在镀液2中运动。导轨3设置成弧形，可以使提篮4中的晶粒产生水平和上下两种运动效果，不容易发生晶粒堆积现象，使得晶粒表面任何位置可以和镀液2有很好的接触， 提高了晶粒镀镍金的成品率。
权利要求1.二极管晶粒镀镍金的镀槽，包括呈长方体镀槽本体，其特征在于，还包括导轨和晶粒容器；所述导轨具有一对，分别设置在所述镀槽本体顶面两对边的上沿； 所述晶粒容器包括提篮、分别设置在提篮两侧的吊杆和连接两吊杆顶部的滚轴； 所述滚轴的两端搁置在所述导轨上。
2.根据权利要求1所述的二极管晶粒镀镍金的镀槽，其特征在于，所述导轨的两端分别设有滚轴限位凸起。
3.根据权利要求1所述的二极管晶粒镀镍金的镀槽，其特征在于，所述导轨面向上凸起，形成弧形。
4.根据权利要求1、2或3所述的二极管晶粒镀镍金的镀槽，其特征在于，所述镀槽内还设有氮气鼓泡装置，所述氮气鼓泡装置为连通氮气源的气管，所述气管盘设在所述镀槽内的底面上，气管的上面开设有若干气孔。
专利摘要二极管晶粒镀镍金的镀槽。涉及二极管晶粒的镀槽装置。提供了一种操作简便、轻松，成品率高的二极管晶粒镀镍金的镀槽。包括呈长方体镀槽本体，还包括导轨和晶粒容器；本实用新型通过在矩形镀槽上方悬挂塑料篮，将晶粒放入篮中，通过推动支架实现晶粒镀金的效果，导轨有一定的弧度，可以使塑料篮呈波浪式摆动，使其中晶粒上下不仅水平方向运动，而且在垂直方向也运动，以达到晶粒在镀液中激烈运动状态，使晶粒表面任何位置均能够全面接触镀液，提高镀镍金的效果。其操作方便，节省了劳动力，提高晶粒二次利用的合格率。
文档编号C25D17/02GK202246952SQ20112038857
公开日2012年5月30日 申请日期2011年10月12日 优先权日2011年10月12日
发明者汪曦凌, 裘立强 申请人:扬州杰利半导体有限公司