制备高导无氧铜镀层的镀液及制备高导无氧铜镀层的工艺的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种制备高导无氧铜镀层的镀液，包括以下成份：190-220g/L的CuSO4·5H2O，60-100g/L的H2SO4，30～60mg/L的Cl-，0.4～0.8mL/L的C-7A酸性镀铜光泽剂，0.3～0.5mL/L的C-7B酸性镀铜光泽剂，5～10mL/L的C-7C酸性镀铜开缸剂。以本发明的镀液配方和工艺，制备出的铜层中，含铜99.95%以上，含氧量＜0.003%，铜层导电率≥98%，密度≥8.92g/cm3。
【专利说明】制备高导无氧铜镀层的镀液及制备高导无氧铜镀层的工艺
【技术领域】
[0001]本发明涉及制备高导无氧铜镀层的镀液及制备高导无氧铜镀层的工艺。
【背景技术】
[0002]工业纯铜可以分为以下几类:韧铜、磷脱氧铜、无氧铜，无氧铜的质量品级最高，无氧铜的研制始于美国，在美国ASTM标准中，除了 OF、OFE外，还包括了无氧铜，OFE以及OF是公认的两种无氧铜的牌号，OFE多应用于真空电子器件，而OF则在电导方面有着广泛的应用。
[0003]无氧铜具有很高的电导率，很好的变形性能，较好的热导率，由于其特有的性质，无氧铜在很多尖端【技术领域】或者民用商品中高档的元器件领域，具有很广泛的应用，如高频波导管，粒子加速器的腔体，电子射线管，音箱发烧线等等。
[0004]在目前的技术中，制备获得的无氧铜镀层，往往质量品质偏低。
【发明内容】
[0005]本发明的目的在于提供一种制备高导无氧铜镀层的镀液及制备高导无氧铜镀层的工艺。
[0006]本发明所采取的技 术方案是:
一种制备高导无氧铜镀层的镀液，包括以下成份:190-220g/L的CuS04*5H20，60-100g/L 的 H2SO4, 30 ~60mg/L 的 Cr，0.4 ~0.8mL/L 的 C-7A 酸性镀铜光泽剂，0.3 ~0.5mL/L 的C-7B酸性镀铜光泽剂，5~10mL/L的C-7C酸性镀铜开缸剂。
[0007]—种制备高导无氧铜镀层的工艺，包括步骤:以高纯度磷铜为阳极，以工件为阴极，在镀液中进行电镀即可。
[0008]所述的高纯度磷铜中，铜含量> 99.5%，磷含量0.3%±0.I。
[0009]电镀的温度为20~35°C。
[0010]电镀过程中，工件与镀液相对运动。
[0011]电镀过程中，阴极电流密度:I~3A/dm2。
[0012]电镀过程中，阳极电流密度:0.5~2A/dm2。
[0013]本发明的有益效果是:以本发明的镀液配方和工艺，制备出的铜层中，含铜99.95%以上，含氧量< 0.003%，铜层导电率≥98%，密度≥8.92g/cm3。
【具体实施方式】
[0014]一种制备高导无氧铜镀层的镀液，包括以下成份:190-220g/L的CuSO4.5H20，
60-100g/L 的 H2SO4, 30 ~60mg/L 的 Cl、0.4 ~0.8mL/L 的 C-7A 酸性镀铜光泽剂，0.3 ~
0.5mL/L的C-7B酸性镀铜光泽剂，5~10mL/L的C-7C酸性镀铜开缸剂。
[0015]提供氯离子的源物质为含氯离子的物质，优选的，为氯化钾、氯化钠、氯化铵中的
至少一种。[0016]镀液除了所含以上的成份之外，余量为水，以及，含氯离子的物质在镀液中电离释放氯离子之后剩余的对应阳离子。
[0017]一种制备高导无氧铜镀层的工艺，包括步骤:以高纯度磷铜为阳极，以工件为阴极，在镀液中进行电镀即可。
[0018]所述的高纯度磷铜中，铜含量(质量百分比)> 99.5%，磷含量0.3%±0.1。
[0019]电镀的温度为20~35°C。
[0020]电镀过程中，工件与镀液相对运动。
[0021 ] 电镀过程中，阴极电流密度:I~3A/dm2。
[0022]电镀过程中，阳极电流密度:0.5~2A/dm2。
[0023]另外，阳极包套，目的在于防止泄漏微小颗粒物。
[0024]下面结合具体实施例对本发明做进一步的说明:
实施例1:
一种制备高导无氧铜镀层的镀液，包括以下成份:190g/L的CuSO4.5H20，60g/L的H2SO4, 30mg/L的C1_，0.4mL/L的C-7A酸性镀铜光泽剂，0.3mL/L的C-7B酸性镀铜光泽剂，5mL/L的C-7C酸性镀铜开缸剂。
[0025]提供氯离子的源物质为氯化钠。
[0026]一种制备高导无氧铜镀层的工艺，包括步骤:以高纯度磷铜为阳极，以钢板为阴极，在镀液中进行电镀即可。`
[0027]所述的高纯度磷铜中，铜含量99.6%，磷含量0.3%±0.1。
[0028]电镀的温度为20~35°C。
[0029]电镀过程中，工件与镀液相对运动。
[0030]电镀过程中，阴极电流密度:I A/dm2。
[0031]电镀过程中，阳极电流密度:0.5A/dm2 ;阳极包套。
[0032]实施例2:
一种制备高导无氧铜镀层的镀液，包括以下成份:220g/L的CuSO4.5H20,100g/L的H2SO4,60mg/L的C1_，0.8mL/L的C-7A酸性镀铜光泽剂，0.5mL/L的C-7B酸性镀铜光泽剂，10mL/L的C-7C酸性镀铜开缸剂。
[0033]提供氯离子的源物质为氯化钾。
[0034]一种制备高导无氧铜镀层的工艺，包括步骤:以高纯度磷铜为阳极，以钢板为阴极，在镀液中进行电镀即可。
[0035]所述的高纯度磷铜中，铜含量99.6%，磷含量0.3%±0.1。
[0036]电镀的温度为20~35°C。
[0037]电镀过程中，工件与镀液相对运动。
[0038]电镀过程中，阴极电流密度:3A/dm2。
[0039]电镀过程中，阳极电流密度:2A/dm2 ;阳极包套。
[0040]实施例3:
一种制备高导无氧铜镀层的镀液，包括以下成份:200g/L的CuSO4.5H20,90g/L的H2SO4, 50mg/L的Cl_，0.6mL/L的C_7A酸性镀铜光泽剂，0.35mL/L的C-7B酸性镀铜光泽剂，8mL/L的C-7C酸性镀铜开缸剂。[0041]提供氯离子的源物质为氯化铵。
[0042]一种制备高导无氧铜镀层的工艺，包括步骤:以高纯度磷铜为阳极，以钢板为阴极，在镀液中进行电镀即可。
[0043]所述的高纯度磷铜中，铜含量99.6%，磷含量0.3%±0.1。
[0044]电镀的温度为20~35°C。
[0045]电镀过程中，工件与镀液相对运动。
[0046]电镀过程中，阴极 电流密度:3A/dm2。
[0047]电镀过程中，阳极电流密度:2A/dm2 ;阳极包套。
[0048]经过检测，利用本发明的镀液以及工艺，制备的镀铜层的特性如下:含铜99.95%以上，含氧量< 0.003%，导电率≥98%，密度≥8.92g/cm3。
【权利要求】
1.一种制备高导无氧铜镀层的镀液，其特征在于:包括以下成份:190-220g/L的CuSO4.5Η20，60-100g/L 的 H2SO4, 30 ~60mg/L 的 CF, 0.4 ~0.8mL/L 的 C-7A 酸性镀铜光泽剂，0.3~0.5mL/L的C-7B酸性镀铜光泽剂，5~10mL/L的C-7C酸性镀铜开缸剂。
2.一种制备高导无氧铜镀层的工艺，其特征在于:包括步骤:以高纯度磷铜为阳极，以工件为阴极，在权利要求1所述的镀液中进行电镀即可。
3.根据权利要求2所述的一种制备高导无氧铜镀层的工艺，其特征在于:所述的高纯度磷铜中，铜含量> 99.5%，磷含量0.3%±0.I。
4.根据权利要求2所述的一种制备高导无氧铜镀层的工艺，其特征在于:电镀的温度为 20 ~35°C。
5.根据权利要求2 所述的一种制备高导无氧铜镀层的工艺，其特征在于:电镀过程中，工件与镀液相对运动。
6.根据权利要求2所述的一种制备高导无氧铜镀层的工艺，其特征在于:电镀过程中，阴极电流密度:1~3A/dm2。
7.根据权利要求2所述的一种制备高导无氧铜镀层的工艺，其特征在于:电镀过程中，阳极电流密度:0.5~2A/dm2。
【文档编号】C25D3/38GK103757670SQ201410000809
【公开日】2014年4月30日 申请日期:2014年1月2日 优先权日:2014年1月2日
【发明者】陈尊科 申请人:陈尊科