一种腔体的均匀阳极氧化工艺的制作方法

本发明属于半导体表面处理加工技术领域，特别是涉及一种高度大于450mm的腔体零部件。适用于ic装备制造业的腔体的硬质阳极氧化工艺。

背景技术：

目前，在ic装备制造行业中，铝合金腔体类零部件一般需要通过硬质阳极氧化来增强材料的耐腐蚀性能。然而，这类部件尺寸比较大，在阳极氧化过程，很难保证内外腔体的长膜一致性。而且，使用普通上挂方式，内外腔体膜厚能相差20～30μm左右，所以经常会出现内腔膜厚处于下限状态，而外腔膜厚已经超差。因此，鉴于上述情况，有必要优化现有工艺来解决内外腔体阳极膜厚的差异问题。

技术实现要素：

针对上述存在的技术问题，本发明通过增加内腔辅助阴极，增强内腔导电性，实现内外腔体长膜一致性。

本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：

一种腔体的均匀阳极氧化工艺，在腔体内部增加一处辅助阴极，增强内腔导电性，以此降低内外腔体的阳极膜长膜速率差。辅助阴极形状与腔体内腔一致，且辅助阴极距离腔体的单边距离为40～50mm。辅助阴极为桶状结构且壁厚约为5～8mm，较为轻便，便于操作安装。辅助阴极材料为铝合金材料，可多次重复利用。

本发明的有益效果为：

1.本发明能有效解决内腔的导电不良问题，增强内腔导电性，有效解决了内外腔体长膜速率不一致问题；

2.本发明提升了内腔体膜层质量，增强了其对腐蚀环境的抵抗强度。

附图说明

图1是本发明的简易辅助阴极示意图。

图2是图1的a-a剖视图。

图3为辅助阴极简易上挂示意图。

具体实施方式

下面结合附图1-3和实施例对本发明进行详细描述。

一种腔体的均匀阳极氧化工艺，在腔体内部增加一处辅助阴极，增强内腔导电性，以此降低内外腔体的阳极膜长膜速率差。辅助阴极形状与腔体内腔一致，且辅助阴极距离腔体的单边距离为40～50mm。辅助阴极为桶状结构且壁厚约为5～8mm，较为轻便，便于操作安装。辅助阴极材料为铝合金材料，可多次重复利用。

实施例

如图3所示，将辅助阴极1使用螺丝4锁紧固定在pp材质杆2上，同时将铜导线段子与螺丝锁紧，另一端预留出来，与槽体阴极相连；同时，将连用辅助阴极的pp杆2通过螺丝锁紧的方式紧固在钛杆5上，注意辅助阴极1与钛杆5要进行绝缘处理，不可导通；然后，将辅助阴极调整好位置放入腔体内部，此时调整辅助阴极的末端距离与腔体底面距离至40～50mm，并使用上挂螺丝4锁紧腔体3与钛杆5；最后，按照正常的阴阳极进行导电连接即可。

技术特征：

技术总结
本发明是一种腔体的均匀阳极氧化工艺，属于表面处理加工领域，主要应用于腔体内腔高度高于450mm以上的铝合金硬质阳极氧化腔体。该发明工艺主要是通过增加内腔辅助阴极，增强内腔的导电性，降低乃至消除由于导电不良问题引起的内外腔阳极膜长膜速率差，最终使内外腔体的阳极膜厚均匀一致。本发明仅需要增加内腔辅助阴极，不需要变更任何工艺参数，操作简便，容易实现。

技术研发人员：安朋娜
受保护的技术使用者：沈阳富创精密设备有限公司
技术研发日：2018.12.26
技术公布日：2019.05.21