电解槽氧化铝下料控制方法

文档序号:8454364阅读:651来源:国知局
电解槽氧化铝下料控制方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种电解槽氧化铝下料的控制方法。
【背景技术】
[0002]现代铝工业生产,主要采取冰晶石一氧化铝熔盐电解法生产电解铝,也就是说电解的原料是氧化铝。具体实施过程是:电解的设备是电解槽,电解槽上配置有多个氧化铝下料点,每个下料点配置有I个打击锤头,氧化铝通过安装在料箱内的下料器添加入下料点,最终进入电解槽熔融液中进行电解生产,从而电解出金属铝液。在整个实施过程中,氧化铝首先是快速溶解,而后是缓慢溶解。缓慢溶解是由于电解质冷凝效应所致。
[0003]随着铝工业的不断发展,电解槽容量不断加大,因此电解槽的长宽也随之不断加大,即大型化的电解槽熔体镜面较大。同时,为了更好的深化“节能减排”思想,减少电耗,目前大多数的电解槽都采用了较高稳定性的设计,此种设计是为了减少铝液波动,降低极距,但同时也减小了铝液的流动性,最终造成电解质流动性减少,如此一来,投入电解槽熔融体内的氧化铝扩散速度会减小,从而产生冷凝效应。
[0004]目前的大型预焙阳极电解槽氧化铝加料控制技术一般采用1.8L的定容下料器6个,三三交错下料,即一次下料5.4公斤。由于下料量较大,电解槽采用了较高稳定性的设计后(特别是采用异形阴极和减少水平电流技术),减小了铝液的流动性,最终造成电解质流动性减少容易在电解槽内产生沉淀,从而恶化电解槽熔体的电流分布,增加了电解槽的能量消耗。

【发明内容】

[0005]本发明的目的在于:提供一种既能在电解槽高稳定性设计中使用,又能在大容量电解槽上使用的电解槽氧化铝下料控制方法,以克服现有技术存在的电解质流动性减少容易在电解槽内产生沉淀,从而恶化电解槽熔体的电流分布,增加电解槽的能量消耗等不足。
[0006]本发明是这样构成的:6组打击装置和下料器上的气缸分别通过压缩空气管网与3个电磁阀相连接,通过电磁阀控制与之相连的打击装置实现二二交错下料,即分别控制打壳下料点I与4、打壳下料点2与5、打壳下料点3与6,或者分别控制打壳下料点I与6、打壳下料点2与5、打壳下料点3与4,或者分别控制打壳下料点I与3、打壳下料点2与4、打壳下料点5与6。
[0007]本发明将传统的大型电解槽氧化铝打壳下料控制技术,三三交错下料改为二二交错下料,即氧化铝加料采用1.8L的定容下料器6个,二二交错下料,即一次下料3.6公斤从而减少了每次下料的下料量,氧化铝较容易在较高稳定性的电解槽内溶解,减少氧化铝沉淀的产生,减少电能的消耗。
【附图说明】
[0008]图1为传统电解槽氧化铝下料点控制方法示意图;图2为本发明的电解槽氧化铝下料点控制方法示意图。
【具体实施方式】
[0009]本发明的实施例:本发明由打击装置1、下料器2、电磁阀3、压缩空气管网4等构成,通过压缩空气管网4将3个电磁阀3和分别与6组打击装置1、下料器2上的气缸相连接,最终通过电磁阀3控制与之相连的打击装置I实现运作,从而实现二二交错下料。
[0010]应用范围:该发明可以用在不同容量的电解槽上作为提供一种既能在电解槽高稳定性设计中使用,又能在大容量电解槽上使用的电解槽氧化铝下料的控制方法。打击装置1、下料器2、电磁阀3、压缩空气管网4的具体位置可以进行调整,二二交错的控制点可以根据实际情况进行组合调整,如(1-4,2-5,3-6控制)、(1-6,2-5, 3-4控制)、(1-3, 2-4, 5-6控制)等。
【主权项】
1.一种电解槽氧化铝下料控制方法,其特征在于:6组打击装置(I)和下料器(2)上的气缸分别通过压缩空气管网(4)与3个电磁阀(3)相连接,通过电磁阀(3)控制与之相连的打击装置(I)实现二二交错下料,即分别控制打壳下料点I与4、打壳下料点2与5、打壳下料点3与6,或者分别控制打壳下料点I与6、打壳下料点2与5、打壳下料点3与4,或者分别控制打壳下料点I与3、打壳下料点2与4、打壳下料点5与6。
【专利摘要】本发明公开了一种电解槽氧化铝下料控制方法,6组打击装置(1)和下料器(2)上的气缸分别通过压缩空气管网(4)与3个电磁阀(3)相连接,通过电磁阀(3)控制与之相连的打击装置(1)实现二二交错下料,即分别控制打壳下料点1与4、打壳下料点2与5、打壳下料点3与6,或者分别控制打壳下料点1与6、打壳下料点2与5、打壳下料点3与4,或者分别控制打壳下料点1与3、打壳下料点2与4、打壳下料点5与6。本发明将传统的大型电解槽氧化铝打壳下料控制技术,三三交错下料改为二二交错下料,氧化铝较容易在较高稳定性的电解槽内溶解,减少氧化铝沉淀的产生,减少电能的消耗。
【IPC分类】C25C3-14, C25C3-20
【公开号】CN104775135
【申请号】CN201410014685
【发明人】李南谊
【申请人】贵阳铝镁设计研究院有限公司
【公开日】2015年7月15日
【申请日】2014年1月14日
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