一种镁合金微弧氧化陶瓷膜的制备方法
【技术领域】
[0001]本发明公开了一种镁合金微弧氧化陶瓷膜的制备方法，尤其涉及一种采用微弧氧化在镁合金表面生产陶瓷膜的方法。
技术背景
[0002]镁合金是目前工业上应用的最轻金属结构材料，因其比强度高、减振性好、耐热疲劳性好、不易老化，导热性良好、电磁屏蔽能力强、压铸工艺性能好、易加工、可再生利用而被誉为“21世纪绿色工程金属结构材料。但镁合金在应用中由于具有极高的化学和电化学活性极易受到周围环境的腐蚀，使镁合金的优良性能得不到充分发挥，极大地限制了镁合金在工程领域中的广泛应用。
[0003]常用于改善镁合金的性能的方法主要有:电镀、激光表面处理等，其中微弧氧化是基于阳极氧化发展起来的一种新的表面处理技术。
【发明内容】
[0004]本发明公开了一种镁合金微弧氧化陶瓷膜的制备方法，采用本微弧氧化技术对镁合金进行表面陶瓷化处理，具有工艺过程简单，占地面积小，工艺处理能力强，生产效率高，适用于批量工业化生产等优点。
[0005].—种镁合金微弧氧化陶瓷膜的制备方法，其制备方法包括以下步骤:
(1)除油:将零件的待微弧氧化表面采用1600#及11800#的砂纸进行打磨，待表面粗糙度为10-35um后，采用硫酸浓度为140-200g/L的溶液，对打磨后的待微弧氧化表面进行浸泡、擦洗，常温条件下，浸泡时间为3min，将表面的油污除净，得到无油污的待微弧氧化表面A;
(2)配制微弧氧化溶液:在水中加入I?3g/L的氢氧化钾、5-10g/L的硅酸钠、0.5-1.5g/L的氟化钠和I?2g/L的六偏多聚磷酸钠，并充分溶解，得到微弧氧化溶液，将其再加入微弧氧化主槽；
(3)连接:将待微弧氧化表面A全部浸入微弧氧化槽液中，用导线将零件和微弧氧化设备的阳极连接；
(4)进行微弧氧化:微弧氧化的工艺参数为:
电源模式:恒电流模式；
温度:5°C-10°C;
电流密度:2.5-3.5A/dm2;
时间:20min?30min;
频率:30-2000HZ;
占空比:正向50%，负向50%;
阴极:不锈钢板；
搅拌形式:压缩空气式搅拌；
微弧氧化过程中，采用工业酒精进行循环冷却控制槽液温度，微弧氧化完成后，将零件卸下，并进行水洗、吹干，并采用SYS-802中温无氟封孔剂对微弧氧化后的微孔进行封孔，得到最终的镁合金微弧氧化陶瓷膜。
[0006]—种镁合金微弧氧化陶瓷膜的制备方法，过程(2)配制微弧氧化溶液中:水中加入2g/L的氢氧化钾、7g/L的硅酸钠、lg/L的氟化钠和1.5g/L的六偏多聚磷酸钠。
[0007]一种镁合金微弧氧化陶瓷膜的制备方法，过程(4)进行微弧氧化:微弧氧化的工艺参数为:
温度:8°C;
电流密度:3A/dm2;
时间:25min;
频率:1000HZ。
[0008]采用本微弧氧化技术对镁合金进行表面陶瓷化处理，具有工艺过程简单，占地面积小，工艺处理能力强，生产效率高，适用于批量工业化生产等优点。
实施例
[0009]实施例1.一种镁合金微弧氧化陶瓷膜的制备方法，其制备方法包括以下步骤:
(1)除油:将零件的待微弧氧化表面采用1600#及11800#的砂纸进行打磨，待表面粗糙度为10-35um后，采用硫酸浓度为140-200g/L的溶液，对打磨后的待微弧氧化表面进行浸泡、擦洗，常温条件下，浸泡时间为3min，将表面的油污除净，得到无油污的待微弧氧化表面A;
(2)配制微弧氧化溶液:在水中加入I?3g/L的氢氧化钾、5-10g/L的硅酸钠、0.5-1.5g/L的氟化钠和I?2g/L的六偏多聚磷酸钠，并充分溶解，得到微弧氧化溶液，将其再加入微弧氧化主槽；
(3)连接:将待微弧氧化表面A全部浸入微弧氧化槽液中，用导线将零件和微弧氧化设备的阳极连接；
(4)进行微弧氧化:微弧氧化的工艺参数为:
电源模式:恒电流模式；
温度:5°C-10°C;
电流密度:2.5-3.5A/dm2;
时间:20min?30min;
频率:30-2000HZ;
占空比:正向50%，负向50%;
阴极:不锈钢板；
搅拌形式:压缩空气式搅拌；
微弧氧化过程中，采用工业酒精进行循环冷却控制槽液温度，微弧氧化完成后，将零件卸下，并进行水洗、吹干，并采用SYS-802中温无氟封孔剂对微弧氧化后的微孔进行封孔，得到最终的镁合金微弧氧化陶瓷膜。
[0010]进一步的，过程(I)除油中:优选表面粗糙度为25um，硫酸浓度优选为180g/L的溶液。
[0011]进一步的，过程(2)配制微弧氧化溶液中:优选水中加入2g/L的氢氧化钾、7g/L的硅酸钠、Ig/L的氟化钠和1.5g/L的六偏多聚磷酸钠。
[0012]进一步的，过程(4)进行微弧氧化:微弧氧化的工艺参数为:
温度:8°C;
电流密度:3A/dm2;
时间:25min;
频率:1000HZ。
[0013]实施例2
一种镁合金微弧氧化陶瓷膜的制备方法，其制备方法包括以下步骤:
(1)除油:将零件的待微弧氧化表面采用1600#及11800#的砂纸进行打磨，待表面粗糙度为15um后，采用硫酸浓度为200g/L的溶液，对打磨后的待微弧氧化表面进行浸泡、擦洗，常温条件下，浸泡时间为3min，将表面的油污除净，得到无油污的待微弧氧化表面A;
(2)配制微弧氧化溶液:在水中加入1.5g/L的氢氧化钾、8g/L的硅酸钠、0.5g/L的氟化钠和lg/L的六偏多聚磷酸钠，并充分溶解，得到微弧氧化溶液，将其再加入微弧氧化主槽；
(3)连接:将待微弧氧化表面A全部浸入微弧氧化槽液中，用导线将零件和微弧氧化设备的阳极连接；
(4)进行微弧氧化:微弧氧化的工艺参数为:
电源模式:恒电流模式；
温度:5°C;
电流密度:3.5A/dm2;
时间:20min;
频率:2000HZ;
占空比:正向50%，负向50%;
阴极:不锈钢板；
搅拌形式:压缩空气式搅拌；
微弧氧化过程中，采用工业酒精进行循环冷却控制槽液温度，微弧氧化完成后，将零件卸下，并进行水洗、吹干，并采用SYS-802中温无氟封孔剂对微弧氧化后的微孔进行封孔，得到最终的镁合金微弧氧化陶瓷膜。
[0014]采用本微弧氧化技术对镁合金进行表面陶瓷化处理，具有工艺过程简单，占地面积小，工艺处理能力强，生产效率高，适用于批量工业化生产等优点。
[0015]上述实施例并不一定是本发明的最佳实施例，其他
【发明内容】
只要在此
【发明内容】
中的，都属于本发明要求保护的内容，都受到本发明的保护。
【主权项】
1.一种镁合金微弧氧化陶瓷膜的制备方法，其制备方法包括以下步骤: (1)除油:将零件的待微弧氧化表面采用1600#及11800#的砂纸进行打磨，待表面粗糙度为10-35um后，采用硫酸浓度为140-200g/L的溶液，对打磨后的待微弧氧化表面进行浸泡、擦洗，常温条件下，浸泡时间为3min，将表面的油污除净，得到无油污的待微弧氧化表面A; (2)配制微弧氧化溶液:在水中加入I?3g/L的氢氧化钾、5-10g/L的硅酸钠、0.5-1.5g/L的氟化钠和I?2g/L的六偏多聚磷酸钠，并充分溶解，得到微弧氧化溶液，将其再加入微弧氧化主槽； (3)连接:将待微弧氧化表面A全部浸入微弧氧化槽液中，用导线将零件和微弧氧化设备的阳极连接； (4)进行微弧氧化:微弧氧化的工艺参数为: 电源模式:恒电流模式； 温度:5°C-10°C; 电流密度:2.5-3.5A/dm2; 时间:20min?30min; 频率:30-2000HZ; 占空比:正向50%，负向50%;阴极:不锈钢板； 搅拌形式:压缩空气式搅拌； 微弧氧化过程中，采用工业酒精进行循环冷却控制槽液温度，微弧氧化完成后，将零件卸下，并进行水洗、吹干，并采用SYS-802中温无氟封孔剂对微弧氧化后的微孔进行封孔，得到最终的镁合金微弧氧化陶瓷膜。2.根据权利要求1所述的镁合金微弧氧化陶瓷膜的制备方法，其特征在于:过程(2)配制微弧氧化溶液中:水中加入2g/L的氢氧化钾、7g/L的硅酸钠、lg/L的氟化钠和1.5g/L的六偏多聚磷酸钠。3.根据权利要求1所述的镁合金微弧氧化陶瓷膜的制备方法，其特征在于:过程(4)进行微弧氧化:微弧氧化的工艺参数为:温度:8°C; 电流密度:3A/dm2;时间:25min; 频率:1000HZ。
【专利摘要】本发明公开了一种镁合金微弧氧化陶瓷膜的制备方法，尤其涉及一种采用微弧氧化在镁合金表面生产陶瓷膜的方法，制备方法包括以下：除油-配液-连接-微弧氧化-水洗-吹干-封孔，其中配制微弧氧化溶液：在水中加入1～3g/L的氢氧化钾、5-10g/L的硅酸钠、0.5-1.5g/L的氟化钠和1～2g/L的六偏多聚磷酸钠，微弧氧化的工艺参数为：温度：5℃-10℃、电流密度：2.5-3.5A/dm2、时间：20min～30min、频率：30-2000HZ、占空比：正负向50%，采用本微弧氧化技术对镁合金进行表面陶瓷化处理，具有工艺过程简单，占地面积小，工艺处理能力强，生产效率高，适用于批量工业化生产等优点。
【IPC分类】C25D11/30
【公开号】CN105624764
【申请号】CN201610106198
【发明人】李育民, 陶利华, 张之岭, 张伟
【申请人】广东威铝铝业股份有限公司
【公开日】2016年6月1日
【申请日】2016年2月26日