专利名称：用于现场衬底温度监控的方法和设备的制作方法
技术领域：
本发明一般涉及衬底制造技术，尤其涉及用于现场衬底温度监控的方法和设备。
背景技术：
在诸如在平板显示器制造中使用的半导体基板或玻璃板的衬底(substrate)的处理中经常使用等离子体。例如，作为衬底处理的一部分，衬底被分成多个小片(die)或矩形区域，它们中的每个都将变成集成电路。然后，在一系列步骤中处理衬底，其中，材料被选择性地去除(蚀刻法)和沉积(沉积作用)，以在其上形成电组件。
在典型等离子体处理中，在蚀刻之前，用硬化乳剂的薄膜(即，例如光刻胶掩膜)覆盖衬底。然后，选择性地去除硬化乳剂区域，使得露出下层的一部分。然后，将衬底置于衬底支撑结构上的等离子体处理室中，衬底支撑结构包括单极或双极电极，被称作卡盘(chuck)或基座(pedestal)。然后，适当的蚀刻剂源流入处理室中，然后被撞击，以形成等离子体，蚀刻衬底的露出区域。
能够被调整以最优化等离子体处理的一组处理变量包括气体成分、气相、气流、气压、RF功率密度、电压、磁场强度、和衬底温度。尽管理论上对每个处理步骤最优化每个变量可能是有益的，但实际上通常很难实现。
例如，为了在等离子体处理装置中提高衬底的等离子体处理的均匀性，希望在进行蚀刻、材料被沉积在其上(例如，通过CVD或PVD技术)、和/或去除光刻胶时控制衬底的露出表面的温度。例如，如果衬底温度升高到某温度之上，则可能发生衬底损坏(例如，光刻胶损坏)，并且可能改变与温度相关的化学反应。衬底温度也可以通过改变衬底表面上聚合膜(例如，聚氟碳(poly-floro-carbon))的沉积率来显著地影响等离子体选择性。仔细监控可以使变化最小化，允许用于其他参数的更宽的处理窗口，以及改善过程控制。然而，实际上，直接确定温度而不影响等离子体处理可能是很困难的。
在普通的温度测量技术中，衬底上连接热电偶。为了测量其自身温度与衬底温度之差，热电偶必须与样本机械接触。然而，在很多情况下，在处理期间接触衬底表面是不能接受或不切实际的。此外，通常难以热隔离热电偶。即，测量的温度可能不仅包括由衬底产生的辐射，而且可能包括由热电偶附近的其他部件(例如卡盘)传播的热能。
另一套技术包括使用电磁探测器。例如，电磁高温计由衬底发出的辐射(例如，光致发光)的强度来计算温度。一般地，对应于衬底特殊结构、组成、和质量，衬底可以吸收某频率的电磁辐射，然后在另一频率发出辐射。然而，因为等离子体处理系统内的其他加热结构也可能在相同频率产生辐射，从背景隔离衬底测量可能有问题。此外，因为大多数光学测量技术对于衬底之间的物理变化(例如，掺杂等级、电路布局、背面膜等)很敏感，通常难以确定绝对温度。即，不能很容易地知道零点温度。此外，对于小于大约100℃(通常在等离子体处理中使用)的衬底温度，辐射能量可能非常小并且难以检测。
在另一电磁技术中，干涉计用于测量由于吸收的热能导致的衬底厚度的变化。一般地，干涉计通过检测在两个表面之间反射的电磁波束的相差来测量物理位移。在等离子体处理系统中，电磁波束可以在一个频率(对于该频率衬底是半透明的)传播，并且设置为在衬底下方一个角度。然后，波束的第一部分可以在衬底的底面上反射，而波束的剩余部分可以在衬底的顶面上反射。但是，如上所述，因为大多数光学测量技术对衬底之间的物理变化很敏感，通常难以确定绝对温度。之后，衬底厚度的变化通常只与温度的相应变化相关。
另一种电磁技术是DRS，或者漫反射光谱法。通过漫反射(或发射)的入射白光的光谱分析，DRS确定半导体衬底的温度。然而，这种技术依赖测量相对微弱的漫散射光信号。任何使衬底不透光的处理都使DRS信号太低以至于不能进行准确的温度测量(即，用金属覆盖衬底，用吸收层覆盖衬底，自由载流子吸收等)。此外，类似的其他电磁技术也要承受前面所述的衬底变化的灵敏度。
参考图1，示出等离子体处理系统100的简图。一般地，一组适合的气体通过入口108从气体分配系统122流入室102中。为了处理(例如，蚀刻或沉积)位于静电卡盘116上的衬底114(例如，半导体基板或玻璃板)的露出区域，这些等离子体处理气体可以随后被离子化，以形成等离子体110。
气体分配系统122一般包括容纳等离子体处理气体(例如，C4F8、C4F6、CHF3、CH2F3、CF4、HBr、CH3F、C2F4、N2、O2、Ar、Xe、He、H2、NH3、SF6、BCl3、Cl2、WF6等)的压缩气筒124a-f。气筒124a-f还可以通过提供局部排气通风的外壳128来保护。质量流(mass flow)控制器126a-f一般是用于半导体工业的独立(self-contained)装置(包括传感器、控制阀、以及控制和信号处理电子装置)，以测量和调节到等离子体处理系统的气体的质量流。
通过绝缘体窗口104使感应线圈131与等离子体隔离，并且感应线圈通常在等离子体处理气体中感应出时变电流，以产生等离子体110。窗口不仅保护感应线圈不受等离子体110影响，而且允许生成的RF场穿入等离子体处理室中。而且，匹配网络132通过导线130a-b连接到感应线圈131，匹配网络还可以连接到RF生成器。匹配网络132试图使RF发生器138(典型地操作在13.56MHz和50ohms)的阻抗与等离子体110的阻抗相匹配。
一般地，为了在点燃等离子体时达到热平衡，一些类型的制冷系统连接到卡盘。制冷系统本身通常包括通过卡盘内的空腔抽取冷却剂的冷却器，以及被注入卡盘与衬底之间的氦气。然后，在等离子体处理期间在晶片中生成的热量通过氦流入卡盘中，并流出至位于远处的热交换器单元。
然而，虽然衬底温度一般在一定范围内稳定，但是通常不知道其准确值。而且，因为衬底温度不能直接测量，可能很难最优化该方法。例如，在为了制造特定衬底而创建一组等离子体处理步骤中，可以建立一组对应的处理变量或方法。因为许多等离子体处理方法还要求温度变化约为十分之几摄氏度，所以衬底间的温度再现性通常很重要。
在典型等离子体处理系统中，衬底温度可以通过计算沉积到衬底上的等离子体能量以及从He压力和卡盘表面条件导出的热传导系数来确定。然而，因为制冷系统也可以以开环方式操作，随后的热流变化可能使衬底温度在精密方法参数以外改变。
而且，等离子体处理室自身的物理结构可能改变。例如，在清洁处理室期间，可以通过在没有衬底的情况下撞击等离子体，从等离子体处理系统中去除处理污染物。然而，在该清洁处理中，因为卡盘不再由衬底覆盖，其随后被蚀刻。当处理被重复时，衬底的表面粗糙度增加，随后改变其热传导率。最后，方法的参数无效。因为确定何时准确地达到该点通常是不切实际的，在一定操作时间之后，卡盘通常被替换，实际上通常这只是它使用寿命的一部分。因为昂贵的卡盘可能被不必要的替换，从而增加了生产成本，而且因为等离子体处理系统必须离线几个小时以替换卡盘，从而减少了产量。
此外，也需要调节方法参数。例如，处理工程师可能希望在等离子体处理期间增加钝化等级。此外，制造装置的其他相同部件可能在不同时间安装或者用于不同等级，并且其维护周期不需要与其他的相匹配。当将处理用于更新版本的等离子体处理系统时或当将处理用于可以处理更大衬底尺寸(例如，200mm至300mm)的等离子体处理系统时，可能需要调整方法参数。理想地，保持相同的方法参数(例如，化学、能量、和温度)是有利的。然而，因为衬底温度通常被推测并且不被测量，为了达到相似产品轮廓，可能需要通过反复试验来充分地调节处理。
根据如上所述，希望实现用于现场衬底温度监控的改善的方法和装置。
发明内容
在一个实施例中，本发明涉及在等离子体处理系统中确定衬底温度的方法。该方法包括在衬底支撑结构上设置衬底，其中，衬底支撑结构包括卡盘。该方法还包括为衬底创建温度校准曲线，通过在第一等温状态期间用电磁测量装置至少测量第一衬底温度并且用物理测量装置测量第一卡盘温度来创建温度校准曲线。该方法还包括在等离子体处理期间采用来自电磁测量装置的测量值和温度校准曲线来确定衬底的温度。
在一个实施例中，本发明涉及在等离子体处理系统中用于确定衬底温度的设备。该设备包括在衬底支撑结构上设置衬底的装置，其中，衬底支撑结构包括卡盘。该设备还包括为衬底创建温度校准曲线的装置，通过在第一等温状态期间用电磁测量装置至少测量第一衬底温度并且用物理测量装置测量第一卡盘温度来创建温度校准曲线。该设备还包括在等离子体处理期间采用来自电磁测量装置的测量值和温度校准曲线来确定衬底温度的装置。
本发明的这些和其他特征将在随后的本发明的详细描述中并结合附图更详细地描述。
通过实例描述本发明，并且不限于此，在附图中，相同的标号代表相同的元件，并且其中图1示出等离子体处理系统的简图；图2示出根据本发明的一个实施例的等离子体处理系统的简图，其中，在导入等离子体之前从衬底获取电磁和热电偶测量值；图3示出根据本发明的一个实施例的等离子体处理系统的简化方法，其中，在导入等离子体之前从衬底获取电磁和热电偶测量值；以及图4示出根据本发明的一个实施例的双抛光300mm硅衬底在多种温度下的电磁吸收的简图。
具体实施例方式
现在将根据在附图中示出的一些优选实施例详细描述本发明。在以下描述中，为了提供对本发明的彻底理解，将阐述大量的细节。然而，本领域技术人员将明白，没有这些细节描述的一些或者全部，本发明也可以实现。在其他实例中，为了避免不必要地模糊本发明，没有详述众所周知的处理步骤和/或结构。
根据本发明的一个实施例，以不明显的形式，在等离子体处理系统中采用一组热电偶测量值和一组电磁测量值，以确定基本精确的衬底温度。如前所述，因为先前方法有问题，很难精确地现场确定衬底的温度。热电偶很难做到热隔离，并且直接连接到衬底上也存在问题。而电磁探测器可能对衬底间的物理变化过于敏感。实际上，在没有用于校准随后的测量值的一组初始相对准确的绝对温度测量值的情况下，只能推测处理过程中每个衬底的真实温度。而且，由于缺乏热隔离或存在衬底变化而造成的不确定度数可能大大地压倒所测量的温度。
在另一实施例中，通过在初始等温状态(例如，热平衡)期间，在等离子体处理系统中通过获取单组电磁和热电偶测量值来创建校准曲线。例如，在等离子体处理系统中放置衬底之后并且在实际开始这种处理之前(即，无等离子体条件)，一旦在衬底下面施加He气，就可以使衬底的温度与下面静电卡盘的温度基本相同。这里，可以用物理温度测量装置(例如，热电偶等)测量卡盘的一组测量值，并且用电磁温度测量装置(例如，窄带高温计、单色仪、光栅、带通光滤波器、热电偶装置等)测量衬底的一组测量值。然后可以从这些测量值来确定特定校准曲线。
在另一实施例中，通过获取多组电磁和热电偶测量值来创建校准曲线。例如，如前所述，在等离子体处理系统中放置衬底之后并且在实际开始这种处理之前(即，无等离子体条件)，一旦在衬底下面施加He气，就可以使衬底的温度与下面静电卡盘的温度基本相同。这里，可以用物理温度测量装置测量卡盘的第一组测量值，并且用电磁温度测量装置测量衬底的第一组测量值。然后，可以改变衬底和卡盘的温度几度，并且可以获取第二组测量值。可以从第一和第二组测量值和/或其他组测量值来确定特定校准曲线。
参考图2，示出根据本发明的一个实施例的等离子体处理系统的简图，其中，在导入等离子体之前从衬底获取电磁和热电偶测量值。首先，衬底214进入等离子体处理室，并且被放置在卡盘216上。如上所述，为了达到热平衡，一些类型的制冷系统连接到卡盘。制冷系统本身通常包括穿过卡盘216内的空腔206抽取冷却剂的冷却器，氦气220输入到室216与衬底214之间以提供传热介质。等离子体处理系统还包括电磁温度测量装置210、电磁辐射发射器208、和物理温度测量装置212(例如，热电偶)。
在导入等离子体气体之前以及在卡盘和衬底处于热隔离之后，获取第一组温度测量值。首先，用物理温度测量装置212测量卡盘的温度，同时还通过使用数学模型用数字计算机计算衬底的温度，该数学模型使用通过电磁温度测量装置210检测的电磁辐射。即，电磁辐射发射器208将已知光谱组成(例如，红外光谱等)的电磁辐射发射至衬底214，该电磁辐射依次反射回电磁温度测量装置210。对于一些模型，单个这种校准测量已经足够了，但是对于其他模型，需要第二测量值。在这种情况下，衬底214和卡盘216的温度随后改变，但仍保持在基本等温状态，并且获取第二组温度测量值。通过对每个衬底执行这种校准测量，在等离子体处理期间可以说明衬底间的变化并且可以测量精确的衬底温度。
参考图3，示出根据本发明的一个实施例的等离子体处理系统的简化方法，其中，在导入等离子体之前从衬底获取电磁和热电偶测量值。首先，在步骤302中，将衬底放置在衬底支撑结构上。在步骤304中，使氦气混合物在衬底与卡盘之间流动。在步骤306中，使用物理温度测量装置(即，热电偶等)计算第一卡盘温度。在步骤308中，还使用电磁温度测量装置计算第一衬底温度。
然后，在步骤310中，改变衬底和卡盘的温度一组量。在步骤312中，使用物理温度测量装置计算第二卡盘温度。在步骤314中，使用电磁温度测量装置计算第二衬底温度。以及最后，在步骤316中，通过该组测量的温度来创建校准曲线。
在另一实施例中，硅的电磁辐射吸收可以用于确定衬底温度。即，测量的电磁辐射吸收曲线(例如，IR等)可以以已知的方式随衬底温度改变。尽管不希望被理论束缚，通常当电磁辐射(即，光)指向薄板衬底时，其可能被部分传导和/或反射。当穿过衬底传播时，辐射被吸收。只有能量高于带隙能量的光子才可能被吸收。那些能量低于带隙能量的光子将不受影响地穿过衬底。在透明与不透明状态之间的跃迁(transition)被称作吸收边沿，并且其通过强坡(strongslope)改变吸光率、透射率(在通过衬底之后收集光)、或反射光谱(收集反射光)来表征。
在低温情况下，主要吸收机制是对导带跃迁(conduction bandtransition)的电子价。硅具有间接能隙，意味着导带的最小值与价带的最大值具有不同的动量，使得因为不能遵守动量守恒，电子(或空穴)不能直接的从一个带移动到其他带。因此，通过点阵振动间的相互作用和一个或几个声子(非零动量)的发射或者吸收来帮助跃迁如果动量保持在入射光子和声子之间，则入射辐射将完全被点阵吸收。在0°K，点阵的原子根本不移动。当温度升高时，原子开始在它们的平衡位置周围振动，热激发声子。这些声子的活动对取决于吸收边沿的温度部分负责。
自由载流子吸收也起到重要作用。在相同的带中，它是电子(在导带中)或空穴(价带中)的跃迁。热激发自由载流子，使得这种类型的吸收随着温度而增加，并且甚至可能使衬底变得完全不透明。杂质可以帮助这种跃迁，使得当硅被掺杂时，他们可能具有更强的影响。一般地，因为吸收边沿以考虑数学模型的创建的方式随着温度而改变，一旦单一温度已知，它可以用于精确地测量衬底温度。
例如，现在参考图4，示出根据本发明的一个实施例的在多种温度下用于双抛光300mm硅衬底的电磁吸收。为短波长(高能量)402时，衬底不透明并且吸收高。为长波长404(大于1.2微米，低能量)时，衬底透明。在退出衬底之前电磁辐射进入衬底并且被反射，然后经过干涉，因此我们在长波长和穿过吸收边沿看到边缘。如预期的，在边缘随着波长增加期间波长越长，硅变得越来越透明，在退出之前，光在衬底中具有更长的传播路线，使得边缘周期变得更长。
随着温度的增长，穿过吸收边沿的边缘似乎是衰减的，并且周期减小。它们在99℃时完全消失。在温度增加时，曲线的吸收边沿转换到更长的波长，而在短波长(短于1.03微米)时，所有温度的吸收均非常相似，并且沿着线性曲线。大于1.18微米时，因为在这些温度下的大振幅边缘，一般在最低温(21.4℃，39℃，60℃、和74℃)时反射超过100％。特别地，在1.05微米区域406，吸收边沿可能随着温度变化。因此，该“膝波长(knee wavelength)”可以是用于生成温度校准曲线的优选区域。
根据本发明的另一实施例，使用低热块卡盘(low-thermal masschuck)。该低热块卡盘是低热块制热/制冷系统的一部分，该系统使用上述方法接收温度设置点以及衬底温度测量的结果。控制系统调节卡盘温度，以将衬底保持在设定点值。可以采用额外的控制方法来利用穿过He的传热速率取决于He的压力这一事实，并且这样允许控制器执行既快又好的温度控制。
虽然通过多个优选实施例描述了本发明，存在落入本发明范围内的变化、替换、和等同物等。例如，虽然本发明已与Lam Research等离子体处理系统(例如，ExelanTM，ExelanTMHP，ExelanTMHPT，2300TM，VersysTMStar等)结合描述，但是也可以使用其他等离子体处理系统。本发明还可以使用不同直径(例如，200mm、300mm等)的衬底。此外，可以使用其他物理温度测量装置和其他电磁温度测量装置。还应该注意，有许多实现本发明的方法的可选途径。
本发明的优点包括在等离子体处理系统中现场测量衬底的温度。附加优点可以包括创建最优等离子体处理方法，最优化等离子体处理结构的替换(例如卡盘)，增强等离子体处理本身的产量，便于方法从第一等离子体处理系统到第二等离子体处理系统的确定和转移，以及延长卡盘的使用寿命。
已经描述了典型实施例和最佳方式，保持在如权利要求所限定的本发明的主题和精神内，可以对上述实施例作出修改和改变。
权利要求
1.一种在等离体处理系统中确定衬底的温度的方法，包括将所述衬底放置在衬底支撑结构上，其中，所述衬底支撑结构包括卡盘；为所述衬底创建温度校准曲线，通过在第一等温状态期间用电磁测量装置至少测量第一衬底温度和用物理测量装置测量第一卡盘温度来创建所述温度校准曲线；在等离子体处理期间，采用来自所述电磁测量装置的测量值和所述温度校准曲线来确定所述衬底的温度。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括在第二等温状态期间用所述电磁测量装置测量第二衬底温度，以及用所述物理测量装置测量第二卡盘温度。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底位于所述等离子体与所述电磁测量装置之间。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底支撑结构还包括所述物理温度测量装置。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述电磁测量装置包括窄带高温计。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述电磁测量装置包括单色仪。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述电磁测量装置包括光栅。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述电磁测量装置包括带通光滤波器。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述物理温度测量装置是热电偶装置。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底是基板。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底是玻璃板。
12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述组电磁频率包括红外光谱。
13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述等离子体处理系统包括化学汽相沉积。
14.根据权利要求1所述的方法，其中，所述等离子体处理系统包括等离子体增强化学汽相沉积。
15.根据权利要求1所述的方法，其中，所述等离子体处理系统包括物理汽相沉积。
16.根据权利要求1所述的方法，其中，所述等离子体处理气体包括碳。
17.根据权利要求1所述的方法，其中，所述等离子体处理气体包括氢。
18.根据权利要求1所述的方法，其中，所述等离子体处理气体包括氟。
19.根据权利要求1所述的方法，其中，所述等离子体处理气体包括氮。
20.根据权利要求1所述的方法，其中，所述等离子体处理气体包括氧。
21.根据权利要求1所述的方法，其中，所述等离子体处理气体包括氩。
22.根据权利要求1所述的方法，其中，所述等离子体处理气体包括氙。
23.根据权利要求1所述的方法，其中，所述等离子体处理气体包括氦。
24.根据权利要求1所述的方法，其中，所述等离子体处理气体包括硫。
25.一种在等离子体处理系统中确定衬底的温度的设备，包括将所述衬底放置在衬底支撑结构上的装置，其中，所述衬底支撑结构包括卡盘；为所述衬底创建温度校准曲线的装置，通过在第一等温状态期间用电磁测量装置至少测量第一衬底温度和用物理测量装置测量第一卡盘温度来创建所述温度校准曲线；在等离子体处理期间采用来自所述电磁测量装置的测量值和所述温度校准曲线来确定所述衬底的温度的装置。
26.根据权利要求25所述的设备，还包括在第二等温状态期间用所述电磁测量装置测量第二衬底温度以及用所述物理测量装置测量第二卡盘温度的装置。
27.根据权利要求25所述的设备，其中，所述衬底位于所述等离子体与所述电磁测量装置之间。
28.根据权利要求25所述的设备，其中，所述衬底支撑结构还包括所述物理温度测量装置。
29.根据权利要求25所述的设备，其中，所述电磁测量装置包括窄带高温计。
30.根据权利要求25所述的设备，其中，所述电磁测量装置包括单色仪。
31.根据权利要求25所述的设备，其中，所述电磁测量装置包括光栅。
32.根据权利要求25所述的设备，其中，所述电磁测量装置包括带通光过滤器。
33.根据权利要求25所述的设备，其中，所述物理温度测量装置是热电偶装置。
34.根据权利要求25所述的设备，其中，所述衬底是基板。
35.根据权利要求25所述的设备，其中，所述衬底是玻璃板。
36.根据权利要求25所述的设备，其中，所述组电磁频率包括红外光谱。
37.根据权利要求25所述的设备，其中，所述等离子体处理系统包括化学汽相沉积。
38.根据权利要求25所述的设备，其中，所述等离子体处理系统包括等离子体增强化学汽相沉积。
39.根据权利要求25所述的设备，其中，所述等离子体处理系统包括物理汽相沉积。
40.根据权利要求25所述的设备，其中，所述等离子体处理气体包括碳。
41.根据权利要求25所述的设备，其中，所述等离子体处理气体包括氢。
42.根据权利要求25所述的设备，其中，所述等离子体处理气体包括氟。
43.根据权利要求25所述的设备，其中，所述等离子体处理气体包括氮。
44.根据权利要求25所述的设备，其中，所述等离子体处理气体包括氧。
45.根据权利要求25所述的设备，其中，所述等离子体处理气体包括氩。
46.根据权利要求25所述的设备，其中，所述等离子体处理气体包括氙。
47.根据权利要求25所述的设备，其中，所述等离子体处理气体包括氦。
48.根据权利要求25所述的设备，其中，所述等离子体处理气体包括硫。
49.一种在等离子体处理系统中在等离子体处理期间确定衬底的温度的方法，包括创建使所述衬底的温度变化与所述衬底的光学性能变化相关的数学模型，包括a)将所述衬底放置在所述等离子体处理系统的衬底支撑结构上，其中，所述衬底支撑结构包括卡盘，b)在所述衬底与所述卡盘之间导入传热气体，c)使所述衬底和所述卡盘达到热平衡，在热平衡时使用接触测量技术测量所述卡盘温度，d)将已知光谱组成的电磁辐射引导到所述衬底的表面上，e)获取第一电磁能量测量值，所述第一电磁能量测量值测量响应于所述引导从所述衬底的所述表面反射的第一电磁能量，f)采用使用所述接触测量技术测量的所述卡盘温度和所述第一电磁能量测量值来创建所述数学模型；以及在所述等离子体处理期间计算所述衬底的所述温度，包括获取第二电磁能量测量值，在所述等离子体处理期间，所述第二电磁能量测量值测量从所述衬底的所述表面反射的第二电磁能量，以及在所述等离子体处理期间，使用数字计算机，采用使用所述接触测量技术测量的所述卡盘温度、所述第一电磁能量测量值，所述第二电磁能量测量值、以及所述数学模型，执行所述计算所述衬底的所述温度。
全文摘要
本发明公开了一种在等离子体处理系统中确定衬底温度的方法。该方法包括将衬底放置在衬底支撑结构上，其中，衬底支撑包括卡盘。该方法还包括为衬底创建温度校准曲线，通过在第一等温状态期间用电磁测量装置至少测量第一衬底温度以及用物理测量装置测量第一卡盘温度来创建温度校准曲线。该方法还包括在等离子体处理期间采用电磁测量装置的测量值和温度校准曲线来确定衬底的温度。
文档编号G01K15/00GK1886641SQ200480034639
公开日2006年12月27日 申请日期2004年11月15日 优先权日2003年11月24日
发明者罗伯特·J·斯蒂格 申请人:朗姆研究公司