专利名称：热扩散压阻式mems压力传感器芯片级老化方法
技术领域：
本发明涉及一种热扩散压阻式MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems，微电子机械系统)压力传感器芯片级老化方法。
背景技术：
目前国际上对芯片的老化已经越来越重视，出现了一些专业芯片级老化方法。近十年来，特别是美国、台湾等国家和地区传感器技术相对成熟，芯片级老化方法发展也相当迅猛。与国外利用九十年代先进技术开发的产品相比，近些年国内扩散硅传感器管芯一直未能有效地解决可靠性等技术问题。目前国内绝大多数传感器生产厂商都采取在管芯压焊封装后进行老化筛选以剔除早期失效器件的方法来提高器件的可靠性。该方法固然能起到提高器件可靠性的目的，但效率低下且成本较高，不利于传感器的大规模生产。
发明内容
针对上述现有热扩散压阻式MEMS压力传感器芯片级老化方法所存在的问题和不足，本发明的目的是提供一种成本较低、简便、高效、可靠性高的热扩散压阻式MEMS压力传感器芯片级老化方法。
本发明是这样实现的一种热扩散压阻式MEMS压力传感器芯片级老化方法，包括以下步骤1)光刻淀积了金属的硅片，形成管芯电极及老化所需引线；2)为老化引线接电极，并将所述硅片整体放入老化设备中进行老化；3)老化完成后将所述老化引线刻蚀掉。
优选地，该方法的步骤3)之后还包括终测筛选出合格管芯，剔除不合格管芯。
优选地，所述硅片上管芯的老化引线是互相连接的，管芯通过该互相连接的老化引线整体连接于老化电极中。
优选地，所述管芯连接于老化电极中具体为并联连接方式。
本发明利用管芯在硅片上有规律分布的特点，通过巧妙的引线设计在硅片上一次完成所有管芯的互连，在老化时大圆片上所有的管芯都得到电老化，使早期失效管芯在终测时一并被剔除，从而使余下的管芯都具有很高的可靠性。相对于现在管芯在压焊封装后再进行老化筛选，简化了老化方法，减少了所需使用的老化设备，大大地提高了老化的效率并大幅度降低了生产成本。
下面结合附图对本发明进一步详细地说明图1是本发明电极形成前管芯分布示意图；图2是本发明电极形成后带互连引线的管芯分布示意图；图3是本发明老化后去掉互连引线后带电极的管芯分布示意图。
具体实施例方式
本发明主要针对的是利用了“损耗金属”进行扩散硅压阻压力传感器大圆片级老化方法。主要包括以下步骤1、准备好淀积了金属厚度为1um的大圆硅片1，如图1所示。
2、光刻大圆硅片形成管芯电极4、大圆片级老化所需的引线3，该引线与管芯2连接，使各管芯串联，互连引线3和各管芯2连接良好；如图2所示。互连引线3线宽设计为15um。这里，管芯电极4和互连引线通过光刻同时形成，各管芯正负电极分别通过如图所示的两组互连引线3连接起来后最终会聚到焊盘上，然后通过焊盘外接老化电源。
3、将上述刻蚀过的大圆片1放入85摄氏度恒温条件同时通入氮气的老化箱中，根据所需的老化条件供给大圆片10V的稳定电压对大圆片进行老化，老化时间为96小时。这里，氮气也可以氩气、氖气等惰性气体替代。
4、老化完成之后通过光刻将金属互连引线刻蚀掉而只留下管芯电极；如图3所示。
5、终测筛选出合格管芯，剔除包括早期失效在内的不合格管芯。
权利要求
1.一种热扩散压阻式MEMS压力传感器芯片级老化方法，其特征在于，该方法包括以下步骤1)光刻淀积了金属的硅片，形成管芯电极及老化所需引线；2)为老化引线接电极，并将所述硅片整体放入老化设备中进行老化；3)老化完成后将所述老化引线刻蚀掉。
2.如权利要求1所述的热扩散压阻式MEMS压力传感器芯片级老化方法，其特征在于，该方法的步骤3)之后还包括终测筛选出合格管芯，剔除不合格管芯。
3.如权利要求1所述的热扩散压阻式MEMS压力传感器芯片级老化方法，其特征在于，所述硅片上管芯的老化引线是互相连接的，管芯通过该互相连接的老化引线整体连接于老化电极中。
4.如权利要求3所述的热扩散压阻式MEMS压力传感器芯片级老化方法，其特征在于，所述管芯连接于老化电极中具体为并联连接方式。
全文摘要
本发明公开了一种热扩散压阻式MEMS压力传感器芯片级老化方法，包括以下步骤1)光刻淀积了金属的硅片，形成管芯电极及老化所需引线；2)为老化引线接电极，并将所述硅片整体放入老化设备中进行老化；3)老化完成后将所述老化引线刻蚀掉。本发明利用管芯在硅片上有规律分布的特点，通过巧妙的引线设计在硅片上一次完成所有管芯的互连，在老化时大圆片上所有的管芯都得到电老化，使早期失效管芯在终测时一并被剔除，从而使余下的管芯都具有很高的可靠性。相对于现在管芯在压焊封装后再进行老化筛选，简化了老化方法，减少了所需使用的老化设备，大大地提高了老化的效率并大幅度降低了生产成本。
文档编号G01L1/18GK1657892SQ20051001146
公开日2005年8月24日 申请日期2005年3月23日 优先权日2005年3月23日
发明者张威, 吴健昌, 张大成 申请人:北京青鸟元芯微系统科技有限责任公司