专利名称：穿隧效应元件及物理量/电气量转换器的制作方法
技术领域：
本发明涉及接受加速度、压力、荷重、位移等物理量而产生变形，并且示出与上述变形相对应的电阻变化的穿隧效应元件，以及根据该穿隧效应元件的电阻变化把上述物理量变换为电气量的加速度转换器、压力转换器、荷重转换器、位移转换器等的物理量/电气量转换器。
背景技术：
在以往的微小检测元件中，有在用于对检测对象物的压力变化进行检测的传感器部上设置使磁部件的一部分具有磁致伸缩部的穿隧磁电阻效应元件的元件(例如，参照专利文献1)。以下，把该技术称为第1现有示例。
另外，在以往的具有穿隧磁电阻效应元件的应力传感器中，有利用磁屏蔽包围穿隧磁电阻效应元件的传感器(例如，参照专利文献2)。以下，把该技术称为第2现有示例。
根据上述的第1和第2现有示例，与电阻变化量小到几百mΩ的应变计相比，具有以下两个优点，(1)由于不需要惠斯登电桥电路等，所以电路结构简单，(2)由于有助于压敏的面积较小，所以能够检测细微部位的局部位移。
日本特开2002-148132号公报(权利要求1， 、 ～ ，图4、图5)[专利文献2]日本特开2003-37312号公报(权利要求1， ～ ，图1)但是，在上述的第1现有示例中，(1)在检测动作中需要对穿隧磁电阻效应元件施加相同的外部磁场，(2)作为传感器部，除穿隧磁电阻效应元件外，也可以使用磁电阻效应元件、巨大磁电阻效应元件、磁阻抗元件或电磁感应线圈，由此可知，并不是利用穿隧迁移概率变化这一穿隧效应元件固有的特性。即，上述的微小检测元件的动作原理完全通过对磁致伸缩部件施加应力来使力矩旋转，穿隧磁电阻效应元件的电阻值因此而变化。因此，当在与本来应该检测的压力对应的电阻变化中，作为噪声施加了因干扰磁场而引起的电阻变化时，存在不能获得稳定的输出的问题。因此，例如具有难以应用到磁盘装置的加速度传感器和车载用的冲击传感器等产生较大的干扰磁场的场所的问题。
另一方面，根据上述的第2现有示例，由于利用磁屏蔽来包围磁电阻效应元件，所以在即使像磁盘装置内或汽车内那样产生较大的干扰磁场的环境下，也能够获得稳定的输出。但是，在该第2现有示例中使用的磁电阻效应元件，除穿隧磁电阻效应元件外，也可以使用具有各向异性磁电阻效应的元件、具有巨大磁电阻效应(GMR效应)的元件，所以并不是利用穿隧迁移概率变化这一穿隧效应元件固有的特性。因此，在检测对象物是磁性材料时当然不能适用，存在缺少通用性的问题。
并且，在上述的第1现有示例中，通过在绝缘性基板上依次层叠Fe20-Ni80膜等自旋极化率较大的导电性磁性薄膜、氧化铝(Al2O3)膜和Fe-Co50膜等磁致伸缩常数较大的磁性薄膜，来构成穿隧磁电阻效应元件。即，由于夹着穿隧势垒(barrier)的下侧薄膜和上侧薄膜的材料不同，所以认为各自的热膨胀系数存在差异。因此，在检测对象物所处的环境具有温度变动时，在穿隧势垒周边部产生热膨胀应力，有可能成为热漂移等的原因。另外，在上述的第2现有示例中，关于穿隧磁电阻效应元件的具体结构和材料没有任何公开及披露，所以不能解决上述问题。
发明内容
本发明就是鉴于上述情况而提出的，其目的在于提供一种可以解决上述课题的穿隧效应元件及物理量/电气量转换器。
为了解决上述问题，本发明之一的穿隧效应元件的特征在于，具有绝缘层，其形成有穿隧势垒；下部电极，其具有导电性，且形成于所述绝缘层的下表面；上部电极，其具有导电性，且形成于所述绝缘层的上表面；以及传递部件，其形成于所述绝缘层、所述下部电极和所述上部电极周围，并把检测对象物的举动传递给所述绝缘层。
并且，本发明之二的特征在于，在本发明之一的穿隧效应元件中，所述穿隧效应元件检测所述检测对象物的应力变化，来作为电阻变化。
并且，本发明之三的穿隧效应元件的特征在于，在本发明之一的穿隧效应元件中，电阻值和面积的积即面积电阻率小于等于100kΩ·μm2。
并且，本发明之四的穿隧效应元件的特征在于，在本发明之一的穿隧效应元件中，所述下部电极和所述上部电极是非磁性体。
并且，本发明之五的穿隧效应元件的特征在于，在本发明之一的穿隧效应元件中，所述下部电极和所述上部电极是相同材质。
并且，本发明之六的穿隧效应元件的特征在于，在本发明之一的穿隧效应元件中，因应力而产生的内部固有的变形小于±3％。
并且，本发明之七的物理量/电气量转换器的特征在于，具有本发明之一的穿隧效应元件；与所述下部电极电连接的第1布线部；以及与所述上部电极电连接的第2布线部。
并且，本发明之八的物理量/电气量转换器的特征在于，具有本发明之二的穿隧效应元件；与所述下部电极电连接的第1布线部；以及与所述上部电极电连接的第2布线部。
并且，本发明之九的物理量/电气量转换器的特征在于，具有本发明之三的穿隧效应元件；与所述下部电极电连接的第1布线部；以及与所述上部电极电连接的第2布线部。
并且，本发明之十的物理量/电气量转换器的特征在于，具有本发明之四的穿隧效应元件；与所述下部电极电连接的第1布线部；以及与所述上部电极电连接的第2布线部。
并且，本发明之十一的物理量/电气量转换器的特征在于，具有本发明之五的穿隧效应元件；与所述下部电极电连接的第1布线部；以及与所述上部电极电连接的第2布线部。
并且，本发明之十二的物理量/电气量转换器的特征在于，具有本发明之六的穿隧效应元件；与所述下部电极电连接的第1布线部；以及与所述上部电极电连接的第2布线部。
根据本发明，可以提供不受因下部电极和上部电极的热膨胀系数差异而造成的漂移的影响、并且不易受来自外来磁场的影响的具有通用性的穿隧效应元件。
图1是表示本发明的实施方式1的穿隧效应元件的外观结构的局部透视立体图。
图2是表示构成图1所示的穿隧效应元件的传感器部的外观结构的立体图。
图3是表示把图1所示的穿隧效应元件安装在检测对象物上的状态的局部透视立体图。
图4是表示构成穿隧效应元件的传感器部的直径与面积电阻率RA的关系的估算结果示例的图。
图5是表示构成传感器部的铝的厚度与面积电阻率RA的关系的一例的图。
图6是表示构成传感器部的铝的厚度与面积电阻率RA的关系的一例的图。
图7是用于测定把图1所示的穿隧效应元件安装在检测对象物上时得到的电阻变化率的概念图。
图8是图7的A部分的放大图。
图9是表示频度相对于电阻变化率的关系的一例的图。
图10是用于估算构成图1所示的穿隧效应元件的传感器部的电阻变化率的示意图。
图11用于测定把图1所示的穿隧效应元件安装在检测对象物上时得到的电阻变化率的概念图。
图12(a)是说明上方弯曲(UB)的意思的概念图，(b)是说明下方弯曲(DB)的意思的概念图。
图13是表示重复上方弯曲(UB)和下方弯曲(DB)时得到的电阻变化率的一例的图。
图14是表示构成本发明的实施方式2的穿隧效应元件的传感器部的外观结构的俯视图。
具体实施例方式
实施方式1图1是表示本发明的实施方式1的穿隧效应元件1的结构的外观图，图2是表示构成图1所示的穿隧效应元件1的传感器部2的外观结构的立体图，图3是表示把图1所示的穿隧效应元件1安装在检测对象物21上的状态的局部透视立体图。该示例的穿隧效应元件1由传感器部2、布线部3和4构成，在其周围填充着传递部件(填充材料)5。传感器部2如图2所示，由构成穿隧势垒的绝缘层11、下部电极12和上部电极13构成。绝缘层11例如由氧化铝(Al2O3)、氧化镁(MgO)等构成，大致呈圆柱状。绝缘层11的直径例如约为100nm，厚度例如约为1nm。下部电极12和上部电极13例如均是非磁性体，由作为良导体的钽(Ta)等构成，大致呈圆柱状。下部电极12和上部电极13的直径例如都是约100nm，厚度例如都是约30nm。
并且，在图1中，布线部3例如由铜(Cu)等构成。布线部3由俯视观看时大致呈T字状的板部3a、大致呈圆柱状的柱状部3b、大致呈圆盘状的焊盘部3c构成。板部3a的宽阔部3aa和狭窄部3ab形成为一体。板部3a的厚度例如为200nm。宽阔部3aa的大致中央上表面与下部电极12的下表面电连接。另一方面，狭窄部3ab的与宽阔部3aa相反侧的端部上表面与柱状部3b的下表面电连接。另外，柱状部3b的上表面与焊盘部3c的下表面电连接。由金(Au)等构成的探针6接触焊盘部3c的上表面，探针6的未图示的另一端与未图示的检测电路电连接。
并且，布线部4例如由铜(Cu)等构成。布线部4由俯视观看时大致呈T字状的板部4a、和大致呈圆盘状的焊盘部4b构成。板部4a的宽阔部4aa和狭窄部4ab形成为一体。板部4a的厚度例如为200nm。宽阔部4aa的大致中央下表面虽然在图1中未示出，但与上部电极13的上表面电连接。另一方面，狭窄部4ab的与宽阔部4aa相反侧的端部上表面与焊盘部4b的下表面电连接。由金(Au)等构成的探针7接触焊盘部4b的上表面，探针7的未图示的另一端与未图示的检测电路电连接。
填充材料5由氧化铝(Al2O3)、氧化镁(MgO)等绝缘物构成。填充材料5例如图3所示，在检测对象物21的上表面牢固地填充在穿隧效应元件1的周围，以便将检测对象物21的举动通过填充材料5高效地传递给穿隧效应元件1。以上说明的穿隧效应元件1和填充材料5中，除构成穿隧效应元件1的绝缘层11以外，在检测对象物的上表面使用化学气相生长(CVDChemical Vapor Deposition)法、真空蒸镀法或溅射法等薄膜形成技术、光刻(lithography)技术、蚀刻技术、电镀技术等形成。
另一方面，在利用氧化铝(Al2O3)构成绝缘层11时，利用以下任一方法形成，(1)在下部电极12上形成金属铝后，在大气中自然氧化；(2)在下部电极12上形成金属铝后，在大气中利用等离子氧化法进行真空氧化；(3)利用CVD法、真空蒸镀法或溅射法等薄膜形成技术形成氧化铝(Al2O3)膜。
下面，说明按照上面所述设定传感器部2的尺寸、形状、材质等的理由。首先，传感器部2为了检测细微部位的局部位移，当然是越小越好，但在缩小传感器部2时，一般电阻值升高，并且存在加工问题。另外，在传感器部2的电阻值较高的情况下(例如大于等于100MΩ)，在下部电极12和上部电极13之间应该施加的电压变高，直流电源必须使用非普通的电路元件。另一方面，在传感器部2的电阻值较低的情况下(例如小于等于10Ω)，有可能在绝缘层11中产生漏电流。因此，传感器部2的电阻值优选100Ω～1MΩ。
因此，为了在传感器部2较小时也使传感器部2的电阻值保持100Ω～1MΩ，需要把传感器部2的电阻值和面积的积即面积电阻率RA(Resistance Area Product)抑制得较低，本发明的发明者们通过认真研究的结果，判明面积电阻率RA优选小于等于100kΩ·μm2。图4表示大致呈圆柱状的传感器部2的直径与面积电阻率RA的关系的估算结果。在图4中，划有阴影的范围是实用范围。因此，在该实施方式1中，把传感器部2的直径设为100nm。并且，在设计传感器部2的直径小于等于10nm的细微传感器时，优选面积电阻率RA小于等于1kΩ·μm2。
下面，说明构成传感器部2的绝缘层11的厚度与面积电阻率RA的关系。首先，本发明的发明者们考虑了传感器部2根据以下所示的动作原理动作时的情况。
(a)对传感器部2施加加速度、压力、荷重、位移等物理量时，该物理量传递给构成穿隧势垒的绝缘层11，并且绝缘层11变形。作为绝缘层11的变形，最明显的是绝缘层11的厚度。
(b)在绝缘层11的厚度变化时，传感器部2的电阻值呈对数函数变化。
因此，传感器部2为了相对于所施加的物理量获得较大的电阻值变化，绝缘层11的厚度是重要因素。图5是表示在构成传感器部的下部电极的上表面形成的铝的厚度与面积电阻率RA的关系的一例的图(参照小林和雄等三人，“トンネル型巨大磁気抵抗スピンバルブ型トンネル接合”，まてりあ，Materia Japan第37卷第9号(1988)，第736-740页)。其中，铝的厚度是指在利用氧化铝(Al2O3)形成用于构成传感器部的绝缘层时，在下部电极上形成的自然氧化前的金属铝的厚度。根据图5可知，面积电阻率RA在铝厚度小于1.3nm的区域中，对铝厚度的依赖性较大，作为传感器部能够获得较大的电阻变化。
本发明的发明者们对铝厚度比上述图5所示的厚度更薄的区域，通过实验求出铝厚度与面积电阻率RA的关系。图6是表示通过该实验求出的铝厚度与面积电阻率RA的关系的一例的图。图6所示的实验结果为，作为下部电极和上部电极使用具有厚度30nm的钽(Ta)膜。在图6中可知，当铝的厚度变化10％时，面积电阻率RA仅线性地变化70％。即，面积电阻率RA在铝的厚度小于等于1.3nm的区域中，对铝厚度的依赖性较大，作为传感器部2能够获得较大的电阻变化。由于1.3nm的铝变成2.0nm～2.5nm的氧化铝膜，所以在本实施方式1中，把绝缘层11的厚度约设为1nm。面积电阻率RA呈线性变化的上限厚度不会因其材质变化而出现较大变化。绝缘层11的厚度下限是可以实现均匀的成膜的0.4nm左右。
并且，绝缘层11、下部电极12和上部电极13均大致呈圆柱状，穿隧接合部分呈圆形，这是因为更加重视容易加工性，对于绝缘层11、下部电极12和上部电极13的形状和穿隧接合的形状，只要它们没有加工上的问题，可以是大致四方柱状和矩形等任意形状。接下来，构成传感器部2的下部电极12和上部电极13均是非磁性体，利用作为良导体的钽(Ta)等构成。因此，由于下部电极12和上部电极13的热膨胀系数相同，所以不会遭受因热膨胀系数不同而造成的漂移的影响。下部电极12和上部电极13均由钽(Ta)等非磁性体构成，所以不易受来自外来磁场的影响。
下面，说明把具有上述结构的穿隧效应元件1安装在检测对象物上时得到的电阻变化率。如图7所示，例如，在利用AlTiC等构成的大致方柱状的检测对象物22的正面，以规定间隔形成多个穿隧效应元件1，并且填充填充材料5(省略图示)。检测对象物22的宽度约为0.25mm。在图7中仅示出一个穿隧效应元件1。图8是图7的A部分的放大图。安装穿隧效应元件1，使得构成穿隧效应元件1的传感器部2位于从检测对象物22的中心O偏移0.1mm的位置上。并且，在检测对象物22的上表面，隔开40mm的间隔(支点间距离)由支撑部件23和24支撑着，并从下方朝向上方推压检测对象物22的下表面，使检测对象物22向下方弯曲约1mm。此时，使各一对探针同时接触各个穿隧效应元件1的两个焊盘3c和4b，以测定电阻值。由此，如图9所示，可以确认0.2％(无负荷电阻约300Ω)的电阻变化。另外，在穿隧效应元件1的内部，由于在其制造过程中产生的应力，存在最大±3％的变形，但是，该内在变形在穿隧效应元件1的构成要素的弹性变形范围内。因此，使用穿隧效应元件1的应力变化的检测是以该内在变形为前提进行的。
以下，计算通过使检测对象物22弯曲而在传感器部2上产生的变形，估算基于该变形的传感器部2的电阻变化率。图10是用于估算传感器部2的电阻变化率的示意图。在图10中，h表示上述支点间距离的一半，此时为20mm。另外，a表示为了使检测对象物22弯曲而推压的量(推压量)，此时为1mm。并且，r表示以检测对象物22的中心线O为圆周的曲率半径。因此，在h、a和r之间具有算式(1)所示的关系。
r2＝h2+(r-a)2……(1)在算式(1)中代入h＝20mm、a＝1mm时，曲率半径r为200.5mm。
此处，如图8所示，由于传感器部2从检测对象物22的中心O偏移0.1mm，所以传感器部2的曲率半径r为200.4mm。因此，传感器部2的横向压缩率如算式(2)所示为0.049％。
{(200.5-200.4)/200.5}×100＝0.049(％) ……(2)在利用氧化铝构成绝缘层11时，氧化铝的泊松比为0.24，所以用算式(3)表示从横方向按压传感器部2时的绝缘层11的膜厚的变化率。
0.24×0.049＝0.11760.012(％) ……(3)根据经验可知，根据图6所示的铝厚度与面积电阻率RA的关系，当铝的厚度变化10％时，面积电阻率RA变化70％。此时，由于绝缘层11的厚度变化0.012％，所以电阻变化率如算式(4)所示可以估算为0.084％。
0.012×70/10＝0.084(％)……(4)将该估算值“0.084％”与实测值“0.2％”比较，估算值略小。但是，由于考虑了测定误差和估算时未考虑的要素、例如传感器部2周边的立体结构等的影响等各种因素，所以认为上述估算值比较合适。
然后，如图11所示，在大致四棱柱状的检测对象物31的正面，以规定间隔形成多个穿隧效应元件1，并且填充填充材料5(省略图示)。图11的检测对象物31的宽度与图7所示的检测对象物22相同，约为0.25mm，同样在从检测对象物31的中心O偏移0.1mm的位置上安装未图示的穿隧效应元件。并且，把未对检测对象物31施加任何外力的状态作为初始状态(SS)，然后把上方弯曲(UB)、释放状态(RE)、下方弯曲(DB)和释放状态(RE)作为一个循环，仅执行两个循环，使各一对探针25同时接触各个穿隧效应元件1的两个焊盘3c和4b，以测定电阻值。
此处，所谓上方弯曲(UB)如图12(a)所示，指在检测对象物31的下表面隔开40mm的间隔(支点间距离)由支撑部件32和33支撑着，并从上方朝向下方推压检测对象物31的上表面，使检测对象物31向上方弯曲约2mm。另一方面，所谓下方弯曲如图12(b)所示，指在检测对象物31的上表面隔开40mm的间隔(支点间距离)由支撑部件32和33支撑着，并从下方朝向上方推压检测对象物31的下表面，使检测对象物31向下方弯曲约2mm。
图13表示测定结果的一例。在图13中，折线a表示图11所示的区域a的电阻变化率的特性，折线b表示图11所示的未施加任何外力的区域b的电阻变化率的特性，折线c表示图11所示的未施加任何外力的区域c的电阻变化率的特性。根据图13可知，在上方弯曲(UB)和下方弯曲(DB)时显示出大致相反的特性。即，该穿隧效应元件1可以对检测对象物31的弯曲方向进行检测。
这样，根据本发明的实施方式1，与电阻变化量小到几百mΩ的应变计相比，当然可以获得穿隧效应元件的一般效果，即(1)由于不需要惠斯登电桥电路等，所以电路结构简单，(2)由于有助于压敏的面积较小，所以能够检测细微部位的局部位移。另外，根据本发明的实施方式1，下部电极12和上部电极13均是非磁性体，利用作为良导体的钽(Ta)等构成。因此，下部电极12和上部电极13的热膨胀系数相同，所以不会受到因热膨胀系数差异而造成的漂移的影响，并且不易受来自外来磁场的影响。因此，在即使像磁盘装置内或汽车内那样产生较大的干扰磁场的环境下，也能够获得稳定的输出。另外，即使检测对象物是磁性材料也能够适用，所以具有很好的通用性。
实施方式2图14是表示构成本发明的实施方式2的穿隧效应元件的传感器部41的外观结构的俯视图。该示例的传感器部41由构成穿隧势垒的绝缘层42x和42y、下部电极43、上部电极44x和44y构成。绝缘层42x和42y例如由氧化铝(Al2O3)、氧化镁(MgO)等构成，大致呈长方体状。绝缘层42x和42y的厚度例如约为1nm。绝缘层42x在未图示的检测对象物的矩形状的一个划分区域上，隔着把检测对象物的举动传递给绝缘层的传递部件46，沿图中x方向平行地形成。另一方面，绝缘层42y在未图示的检测对象物的矩形状的一个划分区域上，隔着上述传递部件46，沿图中y方向平行地形成。
下部电极43和上部电极44x及44y例如均是非磁性体，由作为良导体的钽(Ta)等构成，大致呈长方体状。下部电极43和上部电极44x及44y的厚度例如都约为30nm。下部电极43形成为覆盖未图示的检测对象物的矩形状的一个划分区域的大致整个表面。上部电极44x在未图示的检测对象物的矩形状的一个划分区域上，沿图中x方向平行地形成。另一方面，上部电极44y在未图示的检测对象物的矩形状的一个划分区域上，沿图中y方向平行地形成。另外，下部电极43的上表面中，在除去绝缘层42x、42y和布线用区域43a的区域形成绝缘材料层45。关于构成以上说明的传感器部41的绝缘层42x和42y、下部电极43、上部电极44x和44y的形成方法，与上述实施方式1相同。并且，在检测对象物上以规定间隔设置具有这种结构的检测器。另外，绝缘材料层45由与绝缘层42x和42y相同的氧化物等绝缘材料构成，但不需要形成穿隧势垒。这样，根据本发明的实施方式2，能够容易获得检测对象物的X轴方向和Y轴方向的物理量变化的二维分布。
以上，参照附图详细说明了该实施方式，但具体结构不限于该实施方式，不脱离本发明宗旨的范围内的设计变更等也包括在本发明中。
例如，在上述的实施方式1和2中，没有特别提及安装传感器部的检测对象物的材质。检测对象物的材质只要是极薄的玻璃基板、塑料薄膜等能够弯曲的材质，可以是任何材质。
并且，在上述的实施方式1中，示出了在检测对象物22的正面安装穿隧效应元件1来检测检测对象物22的上下方向的弯曲的示例，但不限于此。例如，在检测对象物22的上表面形成传感器部2来检测平面方向的弯曲时，只要把相对于图1所示的形成方向的检测对象物22的长度方向作为轴，使传感器部2旋转90度来形成，并且变更布线部的形成方向即可。
并且，在上述的实施方式2中，示出了仅在传感器部41的下表面侧具有检测对象物的示例，但不限于此。例如，在传感器部41的上表面侧也具有检测对象物时，只要在绝缘层42x、42y、绝缘材料层45等的上表面形成其他传递部件即可。
并且，在上述各实施方式中，示出了在检测对象物上直接形成穿隧效应元件的示例，但不限于此，可以与上述的以往的应变计相同，例如在隔膜等应变体上形成后安装在检测对象物上。
并且，上述的各个实施方式只要其目的和结构等没有特殊矛盾和问题，可以相互沿用彼此的技术。
权利要求
1.一种穿隧效应元件，其特征在于，具有绝缘层，其形成有穿隧势垒；下部电极，其具有导电性，且形成于所述绝缘层的下表面；上部电极，其具有导电性，且形成于所述绝缘层的上表面；以及传递部件，其形成于所述绝缘层、所述下部电极和所述上部电极周围，并把检测对象物的举动传递给所述绝缘层。
2.根据权利要求1所述的穿隧效应元件，其特征在于，所述穿隧效应元件检测所述检测对象物的应力变化，来作为电阻变化。
3.根据权利要求1所述的穿隧效应元件，其特征在于，电阻值和面积的积即面积电阻率小于等于100kΩ·μm2。
4.根据权利要求1所述的穿隧效应元件，其特征在于，所述下部电极和所述上部电极是非磁性体。
5.根据权利要求1所述的穿隧效应元件，其特征在于，所述下部电极和所述上部电极是相同材质。
6.根据权利要求1所述的穿隧效应元件，其特征在于，因应力而产生的内部固有的变形小于±3％。
7.一种物理量/电气量转换器，其特征在于，具有权利要求1的穿隧效应元件；与所述下部电极电连接的第1布线部；以及与所述上部电极电连接的第2布线部。
8.一种物理量/电气量转换器，其特征在于，具有权利要求2的穿隧效应元件；与所述下部电极电连接的第1布线部；以及与所述上部电极电连接的第2布线部。
9.一种物理量/电气量转换器，其特征在于，具有权利要求3的穿隧效应元件；与所述下部电极电连接的第1布线部；以及与所述上部电极电连接的第2布线部。
10.一种物理量/电气量转换器，其特征在于，具有权利要求4的穿隧效应元件；与所述下部电极电连接的第1布线部；以及与所述上部电极电连接的第2布线部。
11.一种物理量/电气量转换器，其特征在于，具有权利要求5的穿隧效应元件；与所述下部电极电连接的第1布线部；以及与所述上部电极电连接的第2布线部。
12.一种物理量/电气量转换器，其特征在于，具有权利要求6的穿隧效应元件；与所述下部电极电连接的第1布线部；以及与所述上部电极电连接的第2布线部。
全文摘要
本发明提供一种不受因下部电极和上部电极的热膨胀系数差异而造成的漂移的影响、并且不易受来自外来磁场的影响的具有通用性的穿隧效应元件。所公开穿隧效应元件(1)具有形成有穿隧势垒的绝缘层(11)；形成于绝缘层(11)下面的具有导电性的下部电极(12)；形成于绝缘层(11)上面的具有导电性的上部电极(13)；形成于绝缘层(11)、下部电极(12)和上部电极(13)周围，把检测对象物的举动传递给绝缘层(11)的传递部件(5)。
文档编号G01P15/12GK1841033SQ20061006704
公开日2006年10月4日 申请日期2006年3月31日 优先权日2005年3月31日
发明者桑岛哲哉, 太田尚城 申请人:Tdk株式会社