实现塞曼背景校正原子吸收的背景值计算和显示的方法

文档序号:5867448阅读:477来源:国知局
专利名称:实现塞曼背景校正原子吸收的背景值计算和显示的方法
技术领域
本发明涉及一种实现背景值计算和显示方法,特别是涉及一种实现塞曼背景校正 原子吸收的背景值计算和显示方法。
背景技术
本领域人士众所周知,塞曼背景校正是一种优良的背景校正方法。样品光束测量 总吸收信号,参考光束测量背景信号,两者相减得到净原子吸收信号。通常塞曼背景校正的 仪器显示两者相减后的净原子吸收信号和背景信号,因为背景信号作为基体的信息而作为 分析结果的参考。然而实际上所显示的背景值并不是真正的背景值,其原因是无论采用交变磁场和 恒定磁场在测量获得的参考道吸光度中包含着原子吸收信号,它们都是σ成分的吸收。也 就是说参考到信号是背景吸收与ο成分的吸收之和。鉴于塞曼背景校正中无论是交变磁场还是恒定磁场,只要在分析过程中磁场强度 保持不变,参考道中的原子吸收即ο成分的吸收与样品道中的原子吸收(对应于恒定磁场 的是Π成分吸收;对应于交变磁场的是总原子吸收)具有极其恒定的关系。因此可以利用 这一点,即在进行标准曲线测量时,同时对σ成分的吸收进行曲线拟合,在计算参考道吸 光度时同时减去对应样品的ο成分的吸收,这样可以使显示的参考道信号为真正的背景 吸收。

发明内容
针对上述问题,本发明的主要目的在于提供一种实现塞曼背景校正原子吸收的一 种背景值计算的方法,与普通的实现塞曼背景校正原子吸收的一种背景值计算的方法相 比,本发明在塞曼背景校正原子吸收中准确计算和显示真实背景吸收值,提供更为准确的 分析信息。本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题的—、计算真实背景值的原理因为参考道吸收信号为样品的真实背景吸收与原子吸收中ο成分的吸收之和, 且ο成分的吸收与样品道中的原子吸收具有极其恒定的关系,所以我们可以用标准样品 (真实背景值为0)测量时的参考道信号作为原子吸收中ο成分,作为样品测量时相应的 O成分,从而获得真实背景值。具体我们可以在标准样品系列测量后,利用校正曲线中的参考道信号Aref和样品 道信号Asam数据(Asam = Atotal(std)-Aref(Std)),拟合出参考道信号Aref和样品道信号Asam数据之 间的关系表达式AMf = F2(Asam),这时的Am为原子吸收中σ成分Ao ;在样品测定时,真实 背景值为参考道信号Kef和由F2 (Asam)计算得出的Ao的差,即Abkg = Aref-F2 (Atotal-Aref)。二、计算真实背景值包括如下步骤(1).建立校正曲线
1.测量每一个标准样品的样品的总吸收信号At。tal(std);参考道信号Arefistd)2.计算每一个测量点的样品道信号Asam = Atotal(std)-Aref(Std)3.拟合出浓度C和样品道信号Asam曲线方程C = F1 (Asam),这里 F1 表示函数关系,Asam = Atotal(std)-Aref(std)4.拟合出原子吸收中σ成分Ασ和样品道信号Asam曲线方程 _7] Ao= Aref = F2 (Asam),这里 F2 表示函数关系,Asam = Atotal(std)-Aref(std)(2).在测量实际样品时,扣除原子吸收中σ成分Ao

1.测量每一个样品的样品的总吸收信号Attrtal ;参考道信号Aref2.计算每一个测量点的样品道信号Asam = Atotal-Aref3.计算每一个测量点的原子吸收中。成分A。=F2(Asam)4.计算出真实背景值Abkg = Aref-A σ(3).信号图形显示参考道吸收、进行了背景校正的吸收、和真实背景三个信号的 曲线。本发明的积极进步效果在于本发明提供的一种实现塞曼背景校正原子吸收的一 种背景值计算和显示方法具有以下优点1.本发明获得样品的真实背景值。2.本发明直观显示出参考道吸收、进行了背景校正的吸收、和真实背景三参数间 的大小和关系。


图1为表1数据对应的“浓度C-吸光度A曲线”图;图2为A-Aref曲线图;图3原有火焰塞曼背景校正的信号图;图4新计算方法火焰塞曼背景校正原子吸收信号图;图5原有计算方法石墨炉塞曼背景校正的信号图;图6新计算方法石墨炉塞曼背景校正原子吸收信号图。
具体实施例方式下面结合附图给出本发明的较佳实施例,以详细说明本发明的技术方案。(1).建立校正曲线1.测量每一个标准样品的总吸收信号At。tal(std);参考道信号Aref(std),数据见表1。表1为水溶液标准样品光束、参考光束、背景校正后的吸光度与浓度的关系示例 数据。表1 标准样品吸光度与浓度示例数据
"^l背景校正后的吸~~样品光束吸光 参考光束吸光
C(mg/L)光度 A度 Atotal度 AMf
~~0 0 0 0
2.计算每一个测量点的样品道信号Asam = At。tal(std)-Arefistd),数据见表1。3.拟合出浓度C和样品道信号Asam曲线方程C = O. 012Asam,曲线见图 1。4.拟合出原子吸收中σ成分Ασ和样品道信号Asam曲线方程Aref = 0. 6667Asam,Ao= Aref,曲线见图 2。

(2).在测量实际样品时,扣除原子吸收中σ成分Ao 1.测量每一个样品的样品的总吸收信号Attrtal ;参考道信号Aref2.计算每一个测量点的样品道信号Asam = Atotal-Aref3.计算每一个测量点的原子吸收中σ成分Ασ = 0. 6667Asam4.计算出真实背景值Abkg = Aref-A σ(3).信号图形显示参考道吸收、进行了背景校正的吸收、和真实背景三个信号的 曲线图3原有火焰塞曼背景校正的信号图;该图为自来水中铜的火焰原子吸收测定信 号图。在图3中,表示时间和吸光度A的关系,图中31号线表示校正了背景的原子吸收 信号,32号线为参考道信号,该参考道信号不表示实际样品的背景,实际样品中并没有背

ο图4新计算方法火焰塞曼背景校正原子吸收信号图;该图样品同上,为自来水中铜的火焰原子吸收测定信号图,本图与图3的区别在 于添加了一条实际背景值数据线43,图4表示时间和吸光度A的关系,图中41表示校正了 背景的原子吸收信号,42号线为参考道信号,43为用本专利计算方法计算的实际背景值, 真实反映了实际样品中没有背景。图5原有计算方法石墨炉塞曼背景校正的信号图;该图为尿样中铜的塞曼石墨炉测定信号图,在图5中,表示了时间和吸光度A的关 系,图中52曲线表示校正了背景的原子吸收信号;51曲线为参考道信号,包含了背景吸收 和ο成分的吸收,不完全是实际样品的背景。图6新计算方法石墨炉塞曼背景校正原子吸收信号图。该图样品同上,为尿样中 铜的塞曼石墨炉测定信号图,本图与图5的区别在于添加了一条实际背景值数据线62。图6表示时间和吸光度A的关系,图中63曲线表示校正了背景的原子吸收信号; 61曲线为参考道信号,包含了背景吸收和σ成分的吸收,不完全是实际样品的背景。62为 用本专利计算方法计算的实际背景值,直观和真实反映了实际样品中背景吸收值。以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术 人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本 发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内 ,本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其 等效物界定。
权利要求
1.一种实现塞曼背景校正原子吸收的背景值计算的方法,其特征在于该方法包括如 下步骤第一步建立校正曲线(1).测量每一个标准样品的总吸收信号At。tal(std);参考道信号AMf(std);(2).计算每一个测量点的样品道信号Asam= At。tal(std)-Areffetd);(3).拟合出浓度C和样品道信号Asam曲线方程C = F1 (Asam),这里 F1 表示函数关系,Asam = Atotal(std)-Arefistd);(4).拟合出原子吸收中σ成分Ασ和样品道信号Asam曲线方程 Ao= Aref = F2 (Asam),这里 F2 表示函数关系,Asam = Atotal(std)-Arefistd); 第二步在测量实际样品时,扣除原子吸收中σ成分Ao (1).测量每一个样品的样品的总吸收信号At。tal ;参考道信号; ⑵.计算每一个测量点的样品道信号Asam = Atotal-Aref ;(3).计算每一个测量点的原子吸收中σ成分Ασ=F2(Asam);(4).计算出真实背景值Abkg= AMf-A ο ;在进行制作校正曲线的同时拟合计算参考道吸光度与校正了背景的原子吸收信号的 相关关系,即计算Aref = F2 (Atotal(std)-Aref(Std)),并以此拟合关系为基础,在每一个测量点计 算真实背景值,即计算 Abkg = Aref-F2 (Atotal-Aref)。
2.一种实现塞曼背景校正原子吸收的背景值计算和显示的方法,其特征在于信号图 形显示参考道吸收、进行了背景校正的吸收、和真实背景三个信号的曲线。
全文摘要
本发明公开了一种塞曼背景校正原子吸收的一种背景值计算和显示方法,其特征在于在进行制作校正曲线的同时拟合计算参考道吸光度与校正了背景的原子吸收信号的相关关系,即计算Aref=F2(Atotal(std)-Aref(std)),并以此拟合关系为基础,在每一个测量点计算真实背景值,即计算Abkg=Aref-F2(Atotal-Aref);本发明提供的一种获得样品的真实背景值的塞曼背景校正原子吸收的一种背景值计算方法,并直观显示出参考道吸收、进行了背景校正的吸收、和真实背景三参数间的大小和关系。
文档编号G01J3/42GK102141509SQ201010103279
公开日2011年8月3日 申请日期2010年1月29日 优先权日2010年1月29日
发明者刘志高, 杨啸涛, 陈建钢 申请人:上海华之光谱仪器有限公司
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