线路板的制造方法

专利名称：线路板的制造方法
技术领域：
本发明涉及线路板的制造方法，具体涉及挠性线路板等的线路板的制造方法。
背景技术：
挠性线路板等的线路板包括基底绝缘层；形成在基底绝缘层上的导体图案；在 基底绝缘层上形成为覆盖导体图案的覆盖绝缘层。在该线路板的制造过程中，公知有依次 形成基底绝缘层、导体图案及覆盖绝缘层，然后光学检测导体图案的形状的好坏。例如，提出有这样的方案如图5所示，将包括基底绝缘层42、导体图案41及覆盖 绝缘层45的线路板40载置在金属制的支承台44的上表面，然后从上侧对线路板40照射 光，利用被线路板40反射的反射光检查导体图案41 (例如，参照日本特开2006-112845号 公报)。具体而言，利用C⑶摄像机检测作为反射光的、光通过覆盖绝缘层45而被导体图 案41反射而成的图案反射光51，并利用CCD摄像机检测作为反射光的、光通过覆盖绝缘层 45及从导体图案41暴露的基底绝缘层42而被支承台44反射的台反射光52。并且，在日本特开2006-112845号公报中的导体图案41的检查过程中，利用图案 反射光51和台反射光52的光量差、即它们之间的对比度(明暗差)识别导体图案41的形 状，从而判断导体图案41的形状的好坏。另外，在日本特开2006-112845号公报中，在图案反射光51和台反射光52之间的 对比度较低的情况下，存在难以识别导体图案41的形状的问题，为了消除该问题，提出有 这样的方案通过将台反射光52的反射率降低到10%以下，能确保图案反射光51和台反 射光52之间的较高的对比度。另一方面，以往提出有这样的方案在布线电路图案的制造过程中，检查出存在于 导体图案上的异物(例如，日本特开平11-307883号公报)。具体而言，如图5的实线所示，在异物46由橡胶等树脂材料构成的情况下，光通过 覆盖绝缘层45而被异物46反射的异物反射光53的反射率较低，因此，能确保异物反射光 53和图案反射光51之间的较高的对比度，从而能检查存在于导体图案41上的异物。但是，如图5的虚线所示，在从导体图案41暴露的基底绝缘层42的上表面存在有 异物46时，异物反射光53及台反射光52的反射率都较低，因此，它们之间的对比度变得较 低。因此，难以检查出存在于从导体图案41暴露的基底绝缘层42的上表面的异物46。

发明内容
本发明的目的在于提供一种线路板的制造方法，其能容易且同时实施导体图案的 检查和存在于从导体图案暴露的基底绝缘层上的异物的检查。本发明的线路板的制造方法的特征在于，该制造方法包括下述工序准备线路板的工序，该线路板包括基底绝缘层、形成在上述基底绝缘层上的导体 图案、和在上述基底绝缘层上形成为覆盖上述导体图案的覆盖绝缘层；将上述线路板配置在支承台上的工序；通过将光从上述线路板的上侧朝向上述线路板照射来检测图案反射光、台反射光和异物反射光，利用它们之间的对比度检查上述导体图案及上述异物的工序， 上述图案反射光是上述光通过上述覆盖绝缘层被上述导体图案反射而成的；上述台反射光 是上述光通过上述覆盖绝缘层及从上述导体图案暴露的上述基底绝缘层被上述支承台反 射而成的；上述异物反射光是上述光通过上述覆盖绝缘层被存在于从上述导体图案暴露的 上述基底绝缘层上的异物反射而成的；在检查上述导体图案及上述异物的工序中，上述台反射光的反射率为25 55%， 上述异物反射光的反射率为10%以下。另外，在本发明的线路板的制造方法中，优选上述基底绝缘层及上述覆盖绝缘层 的光透射率分别为60%以上。另外，在本发明的线路板的制造方法中，优选上述图案反射光的反射率比上述台 反射光的反射率高20%以上。另外，在本发明的线路板的制造方法中，优选上述光的波长为500nm以上。采用本发明的线路板的制造方法，在检查导体图案及异物的工序中，台反射光的 反射率为25 55%，异物反射光的反射率为10%以下。因此，能够较均衡地、且较高地设定图案反射光与台反射光之间的对比度、台反射 光与异物反射光之间的对比度。因此，能容易且同时实施导体图案的检查和存在于从导体图案暴露的基底绝缘层 上的异物的检查。


图1是沿利用本发明的线路板的制造方法制造成的线路板的一实施方式的宽度 方向剖切的剖视图。图2是本发明的线路板的制造方法的一实施方式的工序图，其中，(a)是准备基底绝缘层的工序；(b)是形成导体图案的工序；(c)是形成覆盖绝缘层的工序；(d)是在不存在异物、正常形成有布线的线路板中检查导体图案及异物的工序；(d')是在存在有异物、布线短路的线路板中检查导体图案及异物的工序。图3是用于实施图2的实施方式的输送装置的概略结构图。图4是用于实施检查工序的检查装置的概略结构图。图5是以往技术的说明图，表示检查在导体图案上存在有异物的线路板的工序。图6表示实施例1的检查工序的图像处理图。图7表示实施例2的检查工序的图像处理图。图8表示实施例3的检查工序的图像处理图。图9表示比较例1的检查工序的图像处理图。图10表示比较例2的检查工序的图像处理图。图11表示比较例3的检查工序的图像处理图。
具体实施例方式图1是沿利用本发明的线路板的制造方法制造成的线路板的一实施方式的宽度 方向(与长度方向正交的方向)剖切的剖视图，图2是本发明的线路板的制造方法的一实 施方式的工序图，图3是用于实施图2的实施方式的输送装置的概略结构图，图4是用于实 施后述的检查工序的检查装置的概略结构图。在图1中，该线路 板1是形成为沿长度方向延伸的平带薄片状的挠性线路板，其包 括基底绝缘层2、形成在基底绝缘层2上的导体图案3、以覆盖导体图案3的方式在基底绝 缘层2上形成的覆盖绝缘层5。作为形成基底绝缘层2的绝缘材料，例如使用聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺 (Polyamideimide)、丙烯、聚醚腈、聚醚磺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二 醇酯、聚氯乙烯等的合成树脂。从耐热性、光的透过性等方面考虑，优选使用聚酰亚胺。另外，根据需要，在上述的绝缘材料中添加颜料等。为了调整后述的检查工序中的 台反射光8的反射率R2，以适当的比例添加颜料。基底绝缘层2与沿长度方向延伸的线路板1的外形形状相对应地形成为平带薄片 状。基底绝缘层2相对于波长500nm以上的光(优选500 1500nm的光，更优选500 IOOOnm的光)的光透射率Tl例如为60%以上，优选为70%以上，更优选为80%以上，通常 为100%以下。基底绝缘层2的光透射率Tl在不满足上述范围的情况下，有时难以将台反射光8 的反射率R2(后述)设定在期望的范围内。上述的基底绝缘层2的光透射率Tl能够这样算出在线路板1的基底绝缘层2之 夕卜，由上述绝缘材料形成与基底绝缘层2大致相同厚度的薄片(基底用薄片)，利用分光光 度计等测量并算出该薄片的光透射率，将其作为上述光透射率Tl。另外，基底绝缘层2的厚度例如为5 50 μ m，优选为10 40 μ m。作为用于形成导体图案3的导体材料，例如使用铜、镍、金、焊锡或它们的合金等 的导体材料。从电阻、对光的反射性的方面出发，优选使用铜。导体图案3 —体地包括沿长度方向延伸、在宽度方向相互空开间隔地排列配置 的布线6和配置在各布线6的长度方向两端部的未图示的端子部。另外，各布线6被覆盖绝 缘层5覆盖，而未图示的各端子部从覆盖绝缘层5暴露。另外，导体图案3形成为截面(宽 度方向截面)大致矩形状。导体图案3的厚度例如为3 30 μ m，优选为5 20 μ m。另外，各布线6及各端子 部的宽度(宽度方向长度)可以相同也可以不同，例如为5 500 μ m，优选为15 200 μ m， 各布线6之间的间隔(宽度方向的间隔)及各端子部间的间隔可以相同，也可以不同，例如 为5 200 μ m，优选为5 100 μ m。覆盖绝缘层5覆盖布线6而电密封布线6。作为形成覆盖绝缘层5的绝缘材料，使 用与形成上述基底绝缘层2的绝缘材料相同的绝缘材料。覆盖绝缘层5在基底绝缘层2的上表面覆盖布线6，且形成为使端子部暴露的图 案。另外，覆盖绝缘层5覆盖从导体图案3暴露的基底的上表面。覆盖绝缘层5相对于波长为500nm以上的光(优选500 1500nm的光、更优选500 IOOOnm的光)的光透射率T2例如为60 %以上，优选为70 %以上，更优选为80 %以 上，通常为100%以下。另外，覆盖绝缘层5的光透射率T2与基底绝缘层2的光透射率Tl 可以相同也可以不同，优选相同。在覆盖绝缘层5的光透射率T2不满足上述范围的情况下，有时难以将台反射光 8的反射率R2(后述)、甚至图案反射光7的反射率Rl (后述)及异物反射光9的反射率 R3(后述)设定在期望的范围内。上述覆盖绝缘层5的光透射率T2能够这样算出在与线路板1的覆盖绝缘层5之夕卜，由上述的绝缘材料形成与覆盖绝缘层5大致相同厚度的薄片(覆盖用薄片)，利用分光 光度计等测量并算出该薄片的光透射率，将其作为上述的光透射率T2。另外，覆盖绝缘层5的厚度例如为10 50 μ m，优选为14 20 μ m。接着，参照图2 图4说明本发明的线路板的制造方法的一实施方式。在该方法中，如图3所示，利用使用输送装置13的辊对辊法实施线路板1的制造 中的各工序(图2(a) (d'))。输送装置13例如包括相互空开间隔配置的放卷辊16及 卷取辊17。采用辊对辊法，例如在各工序中将以辊状卷绕到放卷辊16上的长条状的基底绝 缘层2朝向卷取辊17放卷，以卷取辊17卷取的方式进行辊输送，在该辊输送中途，依次实 施图2所示的各工序。首先，在该方法中，如图2(a)所示，将卷绕于放卷辊16的薄片准备为基底绝缘层 2。接着，在该方法中，如图2 (b)所示，以具有布线6及端子部的布线电路图案在基底 绝缘层2上形成导体图案3。导体图案3例如由减去法、添加法等公知的图案形成方法形 成。接着，在该方法中，如图2(c)所示，以覆盖导体图案3的方式在基底绝缘层2上以 上述图案形成覆盖绝缘层5。例如利用涂敷树脂溶液或粘贴树脂薄片等公知的方法形成覆盖绝缘层5。在涂敷树脂溶液的方法中，例如，首先调制含有感光剂和上述绝缘材料的溶液的 感光性的树脂溶液(清漆)。将感光性的清漆涂敷在含有导体图案3的基底绝缘层2的上 表面整个面上并使其干燥，形成覆盖膜。接着，隔着光掩模对覆盖膜曝光后进行显影，从而 加工成图案，并根据需要进行加热使其固化。在粘贴树脂薄片的方法中，将预先形成为上述图案的绝缘材料的薄片层叠在基底 绝缘层2及导体图案3上，然后进行轧制及加热。由此，准备了包括基底绝缘层2、形成在基底绝缘层2上的导体图案3、以及以覆盖 导体图案3的方式形成在基底绝缘层2上的覆盖绝缘层5的线路板1 (检查工序前的线路 板1)。然后，如图2(d)及(d')所示，将线路板1配置在支承台4 (后述)上，接着，检查 导体图案3和异物11 (检查工序)。在检查工序中，使用图4所示的检查装置12。检查装置12配置在放卷辊16和卷取辊17之间。检查装置12包括发光部14和 受光部15，其配置在输送到放卷辊16及卷取辊17之间的线路板1的厚度方向上侧；支承 台4，其与发光部14、受光部15相对配置在厚度方向下侧。
发光部14在输送方向上隔开间隔地相对配置。各发光部14的与线路板1相对的 下表面作为光10发光的发光面，从各发光面发出的光10在各发光部14的中间聚光在线路 板1上，各发光部14采用以其聚光部分(沿线路板1的宽度方向的聚光线)为中心的线对 称的方式相互倾斜配置。具体而言，各发光部14例如为能发出波长500nm以上的光(优选为500 1500nm 的光，更优选为500 IOOOnm的光)10的灯，优选使用含有上述波长的、能照射光的波长的 LED(发光二极管)作为光源。当光10的波长处于上述范围 内时，在检查工序中，能提高基底绝缘层2的光透射 率Tl及覆盖绝缘层5的光透射率T2，能将台反射光8的反射率R2 (后述)设定在期望的范 围内。因此，能更进一步均衡地设定图案反射光7与台反射光8之间的对比度(后述)及 台反射光8与异物反射光9之间的对比度(后述)。受光部15在厚度方向上隔开间隔配置在线路板1的上侧，在输送方向上配置在各 发光部14之间。另外，受光部15的下表面作为接受光10被线路板1及支承台4反射的反 射光(后述)7、8及9的受光面，该受光面位于发光部14的上方，与聚光部分的上侧相对配置。具体而言，受光部15例如由近红外线摄像机、C⑶摄像机等构成，从通用性的方面 出发，优选由CCD摄像机构成，更具体而言，由能读取与线路板1的输送方向正交的线(聚 光线)的线扫描式CCD摄像机。支承台4构成大致平板状，其上表面(表面)形成为平滑面。另外，为了将后述的 台反射光8的反射率R2设定在期望的范围内，作为形成支承台4的材料，例如使用不锈钢 (具体而言是SUS304等)、铝、铜、镍等的金属材料例如聚四氟乙烯等的氟类树脂材料等。另 夕卜，根据需要，在支承台4的上表面形成金属膜。作为形成金属膜的材料，例如使用与形成上述支承台4的金属材料相同的金属材 料。形成金属膜的材料和形成支承台4的金属材料通常由不同种类的材料组合而成。金属 膜的厚度例如为0. 1 100 μ m。支承台4配置在所输送的线路板1的下侧。支承台4的上表面与线路板1的下表 面能自由滑动地相接触，由此来支承线路板1。另外，在支承台4上形成有未图示的、沿厚度 方向贯穿的贯穿孔，在该贯穿孔的下端连接有压缩机。另外，在该检查装置12中，从发光部14照射的照射光10和被受光部15接收的反 射光所成的角度θ例如设定为90度以下，优选设定为45度以下。另外，发光部14的发光 面和线路板1的聚光部分之间的长度例如设定为5 300nm，优选设定为10 lOOnm。另 夕卜，线路板1的聚光部分及受光部15的受光面之间的长度例如设定在20 300mm。并且，使基底绝缘层2的下表面与支承台4的上表面接触地将卷绕于放卷辊16上 的线路板1朝向卷取辊17放卷，从而将线路板1配置在支承台4上。然后，中断放卷辊16的放卷及卷取辊17的卷取，接着，使压缩机工作，通过贯穿孔 吸引空气，从而将线路板1固定(吸附)在支承台4上。然后，利用检查装置12同时检查线路板1的导体图案3及异物11。在该检查工序中，将上述波长的光(照射光)10从线路板1的上侧照射到线路板 1上。具体而言，将上述波长的光10从发光部14朝向线路板1照射。
利用受光部15检测由上述光10的照射产生的如图2(d)及图2(d')所示的图案 反射光7、台反射光8、异物反射光9，上述图案反射光7是上述照射光10通过覆盖绝缘层 5被导体图案3的表面反射而成的，上述台反射光8是上述照射光10通过覆盖绝缘层5及 从导体图案3暴露的基底绝缘层2 (导体图案3之间的基底绝缘层2)被支承台4反射而成 的，上述异物反射光9是上述照射光10通过覆盖绝缘层5被异物11反射而成的。
图案反射光7的反射率Rl例如为50%以上，优选为60%以上，更优选为65%以 上，通常为100%以下。作为图案反射光7的反射率R1，采用由受光部15检测出的图案反射光7的光量与 从发光部14照射出的照射光10的光量为100%时的光量的比率(=(图案反射光7的光 量)/(照射光10的光量)X 100%)而求出。另外，台反射光8以下述光为主要成分上述光是指照射光10从覆盖绝缘层5的 上表面入射并朝向下方通过覆盖绝缘层5内部、接着从基底绝缘层2的上表面入射并朝向 下方通过基底绝缘层2内部、接着被支承台4的上表面反射、然后再次朝向上方通过基底绝 缘层2内部、接着再次朝向上方通过覆盖绝缘层5内部、然后从覆盖绝缘层5的上表面射出 的光。另外，台反射光8以下述光为次要成分上述光是指照射光10被覆盖绝缘层5的 上表面反射的光(未图示)和从覆盖绝缘层5的上表面入射、接着被基底绝缘层2的上表 面(覆盖绝缘层5及基底绝缘层2的边界)反射、然后再次朝向上方通过覆盖绝缘层5内 部、接着从覆盖绝缘层5的上表面射出的光(未图示)。这样的台反射光8的反射率R2为25 55%，优选为30 50%，更优选为35 45%。作为台反射光8的反射率R2，采用由受光部15检测出的台反射光8的光量与从 发光部14照射出的照射光10的光量为100%时的光量的比率(=(台反射光8的光量)/ (照射光10的光量)X 100% )而求出。异物反射光9的反射率R3由形成覆盖绝缘层5的绝缘材料及形成后述的异物11 的材料决定，例如为10 %以下，优选为5 %以下，更优选为以下，通常为0.2%以上。作为异物反射光9的反射率R3，采用由受光部15检测出的异物反射光9的光量与 从发光部14照射出的照射光10的光量为100%时的光量的比率(=(异物反射光9的光 量)/(照射光10的光量)X 100%)而求出。异物反射光9是照射光10从覆盖绝缘层5的上表面入射朝向下方通过覆盖绝缘 层5内部、接着被异物11的表面反射、然后再次朝向上方通过覆盖绝缘层5内部、然后从覆 盖绝缘层5的上表面射出的光。如图2(d')所示，异物11存在于被判断为不良品的线路板1中从导体图案3暴 露的基底绝缘层2的上表面上，被覆盖绝缘层5覆盖。具体而言，异物11存在于导体图案 3(在宽度方向上相邻的各布线6)之间、导体图案3(宽度方向最外侧的布线6)的宽度方向 外侧。另外，异物11也可以存在于导体图案3之间及导体图案3的整个上表面。异物11的形状并不特别限定，另外，作为形成异物11的材料，并不特别限定，例如 举出碳黑、碳纳米管、碳纤维、石墨(graphite)等碳类无机材料(除了金属材料之外的导电 性无机材料)、例如举出橡胶、粘接剂等有机材料(树脂材料)等。
特别地，在含有由损坏导体图案3的性能(电信号传递性能)的材料形成的异物 11的情况下，线路板1被判断为确实是不良品，需要除去该线路板1或对该线路板1施加标 记(施加表示不良品的标记)。因此，作为形成要检测的异物11的材料，尤其可举出导电性 无机材料(除了金属材料外)。并且，根据检测到的反射光7、8及9(图案反射光7、台反射光8及异物反射光9) 的光量之间的对比度(光量之差)同时检测导体图案3及异物11。
S卩，利用与受光部15相连接的CPU(未图示)等对由受光部15检测到的反射光7、 8及9的光量进行数据处理，形成图像处理图(线路板1的俯视的图像处理图，参照图6 图8)，在形成的图像处理图中，通过显现导体图案3、基底绝缘层2、覆盖绝缘层5及异物11 来检查导体图案3及异物11。具体而言，如图2 (d)、图2 (d')、图6 图8所示，利用图案反射光7及台反射光 8之间的对比度来检查导体图案3。在导体图案3的检查中，利用图案反射光7及台反射光8之间的对比度来获取导 体图案3的图案的数据，利用CPU形成图像处理图，根据该图像处理图正确地识别导体图案 3的图案形状，正确地判断布线6或端子部的缺陷、布线6之间或端子部之间的短路等。图案反射光7及台反射光8之间的对比度是指它们的反射率之差D1，更具体而言 是指由图案反射光7的反射率Rl中减去台反射光8的反射率R2的值Dl ( = R1-R2)，该Dl 的值例如为20%以上，优选为30%以上，通常为70%以下。换言之，图案反射光7的反射率 Rl比台反射光8的反射率R2高例如20%以上，优选为高30%以上。当图案反射光7及台反射光8之间的对比度处于上述范围内时，能更加正确地判 断导体图案3的形状的好坏。并且，在上述导体图案3的检查中，如图2(d')所示，在由图案反射光7及台反 射光8之间的对比度获得的图案数据为导体图案3的图案数据中不存在的图案数据的情况 下，判断为导体图案3的形状为不良(布线6短路)。另一方面，如图2(d)所示，在由图案 反射光7及台反射光8之间的对比度获得的图案数据与原始的导体图案3的图案数据没有 差异的情况下，判断为导体图案3的形状为正常。如图2(d')、图6 图8所示，利用台反射光8与异物反射光9之间的对比度检 查异物11。在异物11的检查中，利用台反射光8与异物反射光9之间的对比度获得从导体图 案3暴露的基底绝缘层2及覆盖基底绝缘层2的上表面的覆盖绝缘层5的图案数据，利用 CPU形成图像处理图，根据该图像处理图正确地识别从导体图案3暴露的基底绝缘层2及覆 盖基底绝缘层2的上表面的覆盖绝缘层5的图案形状，正确地判断是否存在异物11。台反射光8与异物反射光9之间的对比度是指它们的反射率之差D2，更具体而言 是指由台反射光8的反射率R2中减去异物反射光9的反射率R3时的值D2( = R2-R3)，该 值D2例如为20%以上，优选为30%以上，通常为70%以下。换言之，台反射光8的反射率 R2比异物反射光9的反射率R3例如高20%以上，优选为高30%以上。并且，在上述异物11的检查中，如图2(d')所示，在由台反射光8及异物反射光 9之间的对比度获得的图案数据为在从导体图案3暴露的基底绝缘层2及覆盖基底绝缘层 2的上表面的覆盖绝缘层5的图案数据中不存在的图案数据的情况下，判断为在从导体图案3暴露的基底绝缘层2的上表面存在有异物11，并判断为被覆盖绝缘层5覆盖。另一方面，如图2(d)所示，在由台反射光8及异物反射光9之间的对比度获得的图案数据与原来的从导体图案3暴露的基底绝缘层2及覆盖基底绝缘层2的上表面的覆盖 绝缘层5的图案数据没有差异的情况下，判断为在从导体图案3暴露的基底绝缘层2的上 表面不存在异物11，且判断为未被覆盖绝缘层5覆盖。另外，使用上述波长的光10的检查通常在常温(25°C )下实施，检查后的线路板1 的表面(覆盖绝缘层5的表面)的温度例如为常温或30°C以下，优选为25°C以下。S卩，导 体图案3及异物11的检查前后的线路板1的温度上升的范围例如为5°C以下。然后，在该方法中，解除由压缩机进行的吸引而解除线路板1向支承台4的固定， 然后再次开始由输送装置13进行线路板1的输送。由此，用卷取辊17卷取检查工序后的 线路板1，并且依次从放卷辊16重新放卷检查工序前的线路板1将其配置及固定在支承台 4上。然后，实施与上述同样的检查工序。在检查装置12中反复进行这样的检查工序。然后，利用卷取辊17进行卷取，将被判断为不良品的线路板1从长条状的基底绝 缘层2上切离去除或对其做标记，另一方面，将被判断为良品的线路板1做为产品。并且，采用该方法，在导体图案3及异物11的检查工序中，台反射光8的反射率R2 为25 55%，异物反射光9的反射率R3为10%以下。因此，能均衡地、且较高地设定图案反射光7与台反射光8之间的对比度、台反射 光8与异物反射光9之间的对比度。结果，能容易且同时实施导体图案3的检查和存在于从导体图案3暴露的基底绝 缘层2的上表面的异物11的检查。另外，在上述说明中，作为本发明的线路板的制造方法，例示出了辊对辊法，但并 不限定于此，例如虽然未图示，也可以使用单薄片法等。另外，在上述说明中，作为由本发明的线路板的制造方法获得的线路板，例示出 了基底绝缘层2未被金属支承层等支承的挠性线路板，但虽然未图示，也可以广泛应用于 基底绝缘层2的周端部的下表面被金属支承层支承、将金属支承层设为加强层的挠性线路 板、COF基板(包含TAB带式载体等)、带电路悬挂基板等的各种线路板的制造。实施例以下表示实施例及比较例，来更具体地说明本发明，但本发明并不限定于任何实 施例及比较例。实施例1采用使用上述图3所示的输送装置的辊对辊法，依次实施以下工序，来制造挠性 线路板。S卩，准备由宽300mm、厚12.5μπι的聚酰亚胺(A)构成的长条薄片状的基底绝缘层 (参照图2(a))。接着，利用添加法以具有布线及端子部的布线电路图案在该基底绝缘层上形成由 厚8 μ m的铜构成的导体图案(参照图2 (b))。各布线的宽度为30 μ m,各端子部的宽度为 30 μ m，各布线之间的间隔为60 μ m，各端子部之间的宽度为60 μ m。接着，在从布线暴露的基底绝缘层上混入平均粒子径为20μπι的碳黑(异物)。接着，在包含导体图案及异物的基底绝缘层的上表面整面上涂敷感光性聚酰胺酸(polyamic acid)的清漆，使其干燥后进行曝光，接着进行显影，加工成上述图案，再进行加热固化，从而形成由聚酰亚胺(A)构成的厚12. 5μπι的覆盖绝缘层(参照图2(c))。由此，准备了挠性线路板。接着，如上述图4所示，使用包括发光部(光源LED扩散照明)、受光部(线扫描 式CXD摄像机、型号P3-80-12K40、DALSA公司制)、在表面形成有厚度为0. 5 μ m的锡膜的 支承台(不锈钢(SUS304)制)的检查装置，同时检查碳黑及导体图案(参照图2的(d)及 (d'))。在检查装置中，从发光部照射出的光和被受光部接收的光所成的角度为10度，发 光部的发光面和挠性线路板的聚光部分之间的长度为50mm，受光部的受光面和挠性线路板 的聚光部分之间的长度为120mm。在该检查中，使用波长670nm的光在温度25°C时实施。在图6中表示通过数据处理得到的图像处理图，并在表1中表示检查中的评价。另外，将由与基底绝缘层及覆盖绝缘层相同材料的聚酰亚胺(A)构成的、厚度为 12. 5μπι的薄片形成为基底用薄片及覆盖用薄片，利用分光光度计(商品名V-670、紫外线 可视近红外分光光度计、日本分光社制)分别测定薄片的波长为670nm的光透射率(Tl及 T2)。将该结果示于表1中。实施例2在检查工序中，除了使用具有代替锡膜而在表面上形成有厚0. 5 μ m的铜膜的支 承台的检查装置以外，实施与实施例1同样的检查工序。将通过数据处理获得的图像处理图示于图7中，将检查的评价示于表1中。实施例3在准备挠性线路板的过程中，除了将基底绝缘层的材料及厚度分别改变为聚酰亚 胺(B)及18 μ m、将覆盖绝缘层的材料及厚度分别改变为聚酰亚胺(B)及18 μ m之外，与实 施例1同样地准备挠性线路板。另外，在检查工序中，除了使用具有代替锡膜而在表面上形成厚度为0. 5 μ m的铜 膜的支承台的检查装置、代替波长为670nm的光而使用波长为720nm的光以外，实施与实施 例1同样的检查工序。在图8中表示通过数据处理获得的图像处理图，在表1中表示检查中的评价。另外，将由与基底绝缘层及覆盖绝缘层相同材料的聚酰亚胺(B)构成的、厚度为 18μπι的薄片形成为基底用薄片及覆盖用薄片，利用分光光度计(商品名V-670、紫外线 可视近红外分光光度计、日本分光社制)分别测定薄片的波长为720nm的光透射率(Tl及 T2)。将该结果示于表1中。比较例1在准备挠性线路板的过程中，除了将基底绝缘层的材料及厚度分别改变为聚酰亚 胺(C)及10 μ m、将覆盖绝缘层的材料及厚度分别改变为聚酰亚胺(C)及10 μ m之外，与实 施例1同样地准备挠性线路板。另外，在检查工序中，除了使用具有代替锡膜而在表面上形成厚度为0.5μπι的镍 膜的支承台的检查装置、代替波长为670nm的光而使用波长为970nm的光以外，实施与实施 例1同样的检查工序。
在图9中表示通过数据处理获得的图像处理图，在表1中表示检查中的评价。另外，将由与基底绝缘层及覆盖绝缘层相同材料的聚酰亚胺(C)构成的、厚度为 ΙΟμπι的薄片形成为基底用薄片及覆盖用薄片，利用分光光度计(商品名V-670、紫外线 可视近红外分光光度计、日本分光社制)分别测定薄片的波长为970nm的光透射率(Tl及 T2)。将该结果示于表1中。比较例2 在准备挠性线路板的过程中，除了在导体图案的表面上进一步形成厚度为0. 5μπι 的镀镍层之外，与实施例1同样地准备挠性线路板。另外，在检查工序中，除了使用具有代替锡膜而在表面上形成厚度为0.5μπι的铜 膜的支承台的检查装置、代替波长670nm的光而使用波长970nm的光以外，实施与实施例1 同样的检查工序。在图10中表示通过数据处理获得的图像处理图，在表1中表示检查中的评价。另外，将由与基底绝缘层及覆盖绝缘层相同材料的聚酰亚胺(A)构成的、厚度为 12. 5μπι的薄片形成为基底用薄片及覆盖用薄片，利用分光光度计(商品名V-670、紫外线 可视近红外分光光度计、日本分光社制)分别测定薄片的波长为970nm的光透射率(Tl及 T2)。将该结果示于表1中。比较例3在准备挠性线路板的过程中，除了将基底绝缘层的材料及厚度分别改变为聚酰亚 胺(C)及10 μ m、将覆盖绝缘层的材料及厚度分别改变为聚酰亚胺(C)及10 μ m、在导体图 案的表面上进一步形成厚度为0. 5 μ m的镀镍层之外，与实施例1同样地准备挠性线路板。另外，在检查工序中，除了使用在表面上未形成锡膜的支承台(不锈钢(SUS304) 制)、代替波长为670nm的光而使用波长为850nm的光以外，实施与实施例1同样的检查工 序。在图11中表示通过数据处理获得的图像处理图，在表1中表示检查中的评价。另外，将由与基底绝缘层及覆盖绝缘层相同材料的聚酰亚胺(C)构成的、厚度为 ΙΟμπι的薄片形成为基底用薄片及覆盖用薄片，利用分光光度计(商品名V-670、紫外线 可视近红外分光光度计、日本分光社制)分别测定薄片的波长为850nm的光透射率(Tl及 T2)。将该结果示于表1中。表 1
性地解释。对于本领域技术人员来说本 发明显而易见的变形例包含在本发明的技术方案 中。
权利要求
一种线路板的制造方法，其特征在于，该制造方法包括下述工序准备线路板的工序，该线路板包括基底绝缘层、形成在上述基底绝缘层上的导体图案、以覆盖上述导体图案的方式形成在上述基底绝缘层上的覆盖绝缘层；将上述线路板配置在支承台上的工序；通过从上述线路板的上侧朝向上述线路板照射光来检测图案反射光、台反射光和异物反射光，利用该图案反射光、台反射光和异物反射光之间的对比度检查上述导体图案及上述异物的工序，上述图案反射光是上述光通过上述覆盖绝缘层被上述导体图案反射而成的；上述台反射光是上述光通过上述覆盖绝缘层及从上述导体图案暴露的上述基底绝缘层被上述支承台反射而成的；上述异物反射光是上述光通过上述覆盖绝缘层被存在于从上述导体图案暴露的上述基底绝缘层上的异物反射而成的；在检查上述导体图案及上述异物的工序中，上述台反射光的反射率为25～55％，上述异物反射光的反射率为10％以下。
2.根据权利要求1所述的线路板的制造方法，其特征在于，上述基底绝缘层及上述覆 盖绝缘层的光透射率分别为60%以上。
3.根据权利要求1所述的线路板的制造方法，其特征在于，上述图案反射光的反射率 比上述台反射光的反射率高20%以上。
4.根据权利要求1所述的线路板的制造方法，其特征在于，上述光的波长为500nm以上。
全文摘要
本发明提供一种线路板的制造方法，其包括下述工序准备线路板的工序；将线路板配置在支承台上的工序；通过将光从上述线路板的上侧朝向上述线路板照射来检测图案反射光、台反射光和异物反射光，利用它们之间的对比检查导体图案及异物的工序。在检查导体图案及异物的工序中，台反射光的反射率为25～55％，异物反射光的反射率为10％以下。
文档编号G01N21/956GK101865863SQ20101013221
公开日2010年10月20日 申请日期2010年3月16日 优先权日2009年4月15日
发明者丰田佳弘, 井原辉一 申请人:日东电工株式会社