专利名称：温度测定装置、温度校正装置及温度校正方法
技术领域：
本发明涉及一种用来对使用热处理机构将基板热处理于特定温度的热处理装置，测定所述热处理机构的温度的温度测定装置、具备该温度测定装置且用来校正所述热处理机构的温度的温度校正装置、以及使用该温度校正装置的温度校正方法。另外，此处所说的校正是指测量热处理机构的温度，且将该热处理机构的温度调节为期望值。
背景技术：
半导体元件制造步骤中的光刻(photol ithography)步骤是进行如下各种热处理在半导体晶片(下面称为“晶片”)上涂布光刻胶液后的加热处理(预烘干(pre-baking)处理)、在光刻胶膜上曝光特定图形后的加热处理(曝光后烘干(postexposure baking)处理)、将经曝光的光刻胶膜显影后的加热处理(后烘(post baking)处理)等。而且，在这些加热处理后也进行调节晶片温度的热处理。进而，也在蚀刻处理或·成膜处理等的等离子处理中，进行调节晶片温度的热处理。所述热处理例如是在热处理装置中将晶片载置在设为特定温度的热处理板上进行。而且，为了适当地进行该热处理，重要的是预先测量热处理板上的晶片温度分布，并基于据该测量结果，适当修正热处理板的温度。因此，以往进行测量该热处理中的晶片温度。为了测量该晶片的温度，而提出使用晶片型温度传感器，该晶片型温度传感器是在晶片表面上设置着多个温度传感器和将该多个温度传感器的传感器输出作为输出信号进行输出的接点。在这种情况下，使设在热处理装置内部的接触件和晶片上的接点接触。来自接点的输出信号是通过接触件输出到设在热处理装置外部的数据管理部。而且，数据管理部是基于输出信号，判别晶片温度(专利文献I)。先行技术文献专利文献专利文献I :日本专利特开2007-187619号公报
发明内容
[发明所要解决的问题]然而，在所述专利文献I的晶片型温度传感器上，由于多个温度传感器单独地和接点连接，因此，需要测定全部各个温度传感器的电阻值。在此情况下，数据管理部中管理的数据、即测量的温度数量变得极多。这样一来，当基于这些温度的测量结果，调节热处理板的温度时，该温度的控制变得极其复杂。因此，热处理板的温度调节存在改善的余地。而且，即便使用无线式测量装置，仍与所述专利文献I相同，由于测定所有设在晶片上的多个温度传感器的电阻值，因此，热处理板的温度控制变得极其复杂。本发明是鉴于上述问题研制而成，其目的在于在使用热处理机构将基板热处理于特定温度的热处理装置中，以简易方法适当地校正所述热处理机构的温度。[解决问题的手段]
为达成所述目的，本发明是用来对使用热处理机构将基板热处理于特定温度的热处理装置，测定所述热处理机构的温度的温度测定装置，其特征在于包括基板；以及惠斯登电桥(Wheatstone bridge)电路,设在所述基板上,且具备电阻值随着温度变化而变化的多个测温电阻器。根据本发明，可以形成在温度测定装置的基板上的惠斯登电桥电路达到平衡状态、即惠斯登电桥电路中的偏移电压变为零的方式，调节热处理机构的温度。在这种情况下，由于偏移电压变为零，因此，惠斯登电桥电路中的多个测温电阻器的电阻值、即由该测温电阻器所测量的基板的温度达到相等。因此，根据本发明，可以适当地调节热处理机构的温度，以在水平面内均匀地热处理基板。而且，可以通过以这种方式进行温度调节的热处理机构，而适当地进行后续的对于基板的热处理。而且，如果想要在基板上的多个区域中测定温度，则需要多个测温电阻器，因此，如果使用以往的方法，就要测量与该测温电阻器个数相应的多处温度。如果这样的话，则将使用所述多个参数来调节热处理机构的温度。与此相对，根据本发明，用于调节热处理机构的温度的参数仅为惠斯登电桥电路的偏移电压一个。因此，根据本发明，可以简易的控制， 调节热处理机构的温度。所述惠斯登电桥电路可以包括具有特定电阻值的固定电阻器。另外，所谓固定电阻器是指电阻值的变化相对于温度变化为零，或者电阻值的变化相对于温度变化小到可以忽视程度的电阻器。根据另一观点，本发明是用来对使用热处理机构将基板热处理于特定温度的热处理装置，校正所述热处理机构的温度的温度校正装置，其特征在于包括基板；惠斯登电桥电路，设在所述基板上，且具备电阻值随着温度变化而变化的多个测温电阻器；以及控制部，以所述惠斯登电桥电路达到平衡状态的方式，调节所述热处理机构的温度。另外，所谓惠斯登电桥电路达到平衡状态是指该惠斯登电桥电路的中点间的电位差变为零的状态、即惠斯登电桥电路的偏移电压变为零的状态。所述惠斯登电桥电路设有多个，且所述控制部可以多个所述惠斯登电桥电路达到平衡状态的方式，调节所述热处理机构的温度。所述控制部也可以所述惠斯登电桥电路中的电流值达到特定值的方式，调节所述热处理机构的温度。在这种情况下，可以使惠斯登电桥电路中的测温电阻器的电阻值成为特定值。因此，可以调节热处理机构的温度，以便在特定温度下将基板均匀地进行热处理。另外，在这种情况下，用来调节热处理机构的温度的参数为惠斯登电桥电路的偏移电压和电流值这两个，因此，可以通过比以往简易的控制，调节热处理机构的温度。也可将所述惠斯登电桥电路设置多个，且所述控制部可以多个所述惠斯登电桥电路中的电流值达到相等的方式，调节所述热处理机构的温度。所述惠斯登电桥电路可以包括具有特定电阻值的固定电阻器。所述控制部可在所述惠斯登电桥电路中测定不同部位的偏移电压，以在各个情况下，该惠斯登电桥电路达到平衡状态的方式，调节所述热处理机构的温度。也可将所述惠斯登电桥电路设置多个，且多个所述惠斯登电桥电路可以配置成锯齿状、栅格状、或连续蛇行状。所述热处理机构可以划分成多个区域，且在该每一区域中可进行温度调节。
根据另一观点，本发明是一种温度校正方法，该方法对使用热处理机构将基板热处理于特定温度的热处理装置，使用温度校正装置校正所述热处理机构的温度，其特征在于使用包括基板、以及设在所述基板上且具备电阻值随着温度变化而变化的多个测温电阻器的惠斯登电桥电路的所述温度校正装置，以所述惠斯登电桥电路达到平衡状态的方式，调节所述热处理机构的温度。也可将所述惠斯登电桥电路设置多个，且可以多个所述惠斯登电桥电路达到平衡状态的方式，调节所述热处理机构的温度。也可以所述惠斯登电桥电路中的电流值达到特定值的方式，调节所述热处理机构的温度。也可将所述惠斯登电桥电路设置多个，且可以多个所述惠斯登电桥电路中的电流值达到相等的方式，调节所述热处理机构的温度。所述惠斯登电桥电路还可以包括具有特定电阻值的固定电阻器。
也可以在所述惠斯登电桥电路中测定不同部位的偏移电压，且以在各个情况下，该惠斯登电桥电路达到平衡状态的方式，调节所述热处理机构的温度。所述热处理机构可以划分成多个区域，且在每一所述区域中可调节所述热处理机构的温度。[发明的效果]根据本发明，可以在使用热处理机构将基板热处理于特定温度的热处理装置中，通过简易的方法，适当地校正所述热处理机构的温度。
图I是表示本实施方式的温度校正装置和热处理装置的构成概略的说明图。图2是表示热处理板的构成概略的平面图。图3是表示温度检测工具的构成概略的平面图。图4是表示惠斯登电桥电路的构成概略的说明图。图5是表示温度检测工具的构成概略的侧视图。图6是表示另一实施方式的温度检测工具的构成概略的平面图。图7是表示另一实施方式的惠斯登电桥电路配置的说明图。图8是表示另一实施方式的温度检测工具的构成概略的平面图。图9是表示另一实施方式的温度检测工具的构成概略的平面图。图10是表示另一实施方式的温度检测工具的构成概略的平面图。图11是表示另一实施方式的温度检测工具的构成概略的平面图。[符号的说明]I 温度校正装置2 热处理装置10 温度检测工具30 盖部件41 接触件50 热处理板70 被处理晶片
71惠斯登电桥电路72测温电阻器73接触垫100控制部120基准惠斯登电桥电路121基准电阻器122基准接触垫131软性电缆 R1 R4 热板区域W晶片
具体实施例方式下面，说明本发明的实施方式。图I是表示本实施方式的温度校正装置I和应用该温度校正装置I的热处理装置2的构成概略的说明图。温度校正装置I包括温度检测工具10，该温度检测工具10是对热处理装置2调节下述作为热处理机构的热处理板50的温度，且载置在该热处理板50上。而且，热处理装置2是将作为基板的晶片W载置在热处理板50上，对该晶片W进行热处理。如图I所示，热处理装置2包含侧面形成有温度检测工具10或晶片W的搬入搬出口(未图示)的处理容器20。在处理容器20内设有位于上侧且沿铅垂方向自由升降移动的盖部件30、以及位于下侧且和盖部件30成为一体地形成处理室K的热板收纳部31。盖部件30具有大致圆筒形状。在盖部件30的下表面外周部形成有突起部40，且该突起部40和热板收纳部31抵接而形成处理室K。而且，在盖部件30的下表面，设有多个延伸到铅垂下方的例如弹簧针等接触件41。对于接触件41，使用具有导电性的材料。多个接触件41是和温度检测工具10的下述接触垫73对应(对向)地配置。而且，在盖部件30的上表面中央部设有排气部42。处理室K内的环境是从排气部42中均匀地进行排气。热板收纳部31包括收纳热处理板50且保持热处理板50的外周部的环状保持部件51、以及包围该保持部件51的外周的大致筒状的支撑环52。如图2所示，热处理板50被划分成多个、例如四个热板区域Rp R2> R3> R4O热处理板50是在例如平面视图中被划分成四等分。即，热板区域Rp R2、R3、R4分别具有中心角为90度的扇形形状。在热处理板50的各热板区域R1 R4，单独内置有通过电力供应而发热的加热器53，从而可对各热板区域R1 R4进行加热。各热板区域R1 R4的加热器53的发热量是由下述控制部100进行调节。控制部100可调节加热器53的发热量，从而将各热板区域R1 R4的温度控制为特定温度。如图I所示，在热处理板50的下方，设有用来从下方支撑温度检测工具10或晶片W进行升降的升降销60。升降销60可通过升降驱动机构61而在铅垂方向上升降。在热处理板50的中央部附近，形成着沿厚度方向贯通热处理板50的贯通孔62。升降销60可从热处理板50的下方上升且穿过贯通孔62，突出到热处理板50的上方。接下来，说明温度校正装置I的构成。如图I所示，温度校正装置I包含载置在热处理板50上的温度检测工具10。如图3所示，温度检测工具10包含作为基板的被处理晶片70。被处理晶片70是由和晶片W相同的材料、例如娃构成，且具有和晶片W相同的平面形状。另外，为了测定准确的温度，被处理晶片70优选与实际的晶片W相同，但是并不限定于此，形状、材质等也可以不同。例如，也可以使用LED (Light EmittingDiode,发光二极管)用闻散热基板。该基板作为基底基板而使用Al或Cu等金属，因此，耐热性也较闻，且因闻导热性，而即便高温环境下，被处理晶片70的翘曲也不会出现问题。在被处理晶片70上形成有多个惠斯登电桥电路71。在本实施方式中，多个惠斯登电桥电路71是遍及被处理晶片70的大致整面呈锯齿状配置。如图3及图4所示，各惠斯登电桥电路71具有通过配线74电气连接有四个测温电阻器72和四个接触垫73的构成。另外，这些测温电阻器72、接触垫73、配线74是例如通过对被处理晶片70进行光刻处理而成批地形成。而且，当被处理晶片70为导体时，只要在形成这些元件之前，对表面进行充分的绝缘加工即可。测温电阻器72是相对于温度变化电阻值进行变化的电阻器，且例如可以使用 RTD(Resistance Temperature Detector,电阻式温度检测器)或热敏电阻等。测温电阻器72是配置在被处理晶片70的温度测定点上。如图5所示，接触件41是在调节热处理板50的温度时和接触垫73接触。接触垫73使用具有导电性的材料、例如铝。如图4所示，四个接触垫73是配置在惠斯登电桥电路71的顶点部。而且，设在串联的两个测温电阻器72、72的两端部的一对接触垫73a、73a是用来对惠斯登电桥电路71施加电压。而且，设在串联的两个测温电阻器72、72的中间点的一对接触垫73b、73b是用来测定该接触垫73b、73b间的电压。即，接触垫73b、73b是用来测定惠斯登电桥电路71中的偏移电压。另外，图4中的箭头表示对惠斯登电桥电路71施加电压时的电流。另外，配线74和接触垫73 —样地使用例如铝。而且，如图I所示，温度校正装置I包含设在热处理装置2外部的控制部100。控制部100为例如电脑，且具备例如包括处理器、存储器、放大器、开关等的测量电路。控制部100可以通过该测量电路来测量惠斯登电桥电路71中的偏移电压等。而且，控制部100包含程序存储部(未图示)。程序存储部中存储着例如基于惠斯登电桥电路71中的偏移电压调节热处理板50的温度(加热器53的发热量)的程序。另外，所述程序例如可记录在电脑可读取的 HD (Hard Disk,硬盘)、FD (Flexible Disk,软盘)、⑶(Compact Disc,光盘)、MO (Magnet Optical Disk,磁光盘)、存储卡等可由电脑读取的存储媒体中，且可以从该存储媒体安装到控制部100。而且，当热处理装置2本身包含调节热处理板50温度的温度调节机构时，控制部100也可以基于测量的温度，控制该温度调节机构。只要根据热处理装置2所具有的功能来适当应对即可。接下来，说明使用以所述方式构成的温度校正装置1，调节热处理装置2的热处理板50的温度的方法。首先，将温度检测工具10搬入到热处理装置2。将温度检测工具10转移到预先上升且待机的升降销60上。其后，升降销60下降，将温度检测工具10载置在热处理板50上。此时，热处理板50的各热板区域R1 R4由控制部100调节为预先规定的初始温度。其后，盖部件30下降到特定位置，且将该盖部件30关闭。接下来，对载置在热处理板50上的温度检测工具10的被处理晶片70进行特定时间的热处理。另一方面，接触件41和载置在热处理板50上的温度检测工具10的接触垫73接触。而且，当对被处理晶片70的热处理结束后，通过接触件41对该被处理晶片70上的接触垫73a、73a施加特定电压。接下来，将测定结果的信号通过接触件41从接触垫73b、73b输出到控制部100。这样一来，在控制部100中测定惠斯登电桥电路71的偏移电压(接触垫73b、73b间的电压)。而且，控制部100以多个惠斯登电桥电路71的偏移电压变为零的方式，调节热处理板50的温度。S卩，控制部100以多个惠斯登电桥电路71的偏移电压变为零的方式，在每一热板区域R1 R4中调节热处理板50的温度，。另外，所谓惠斯登电桥电路71的偏移电压变为零是指该惠斯登电桥电路71中的四个测温电阻器72的电阻值达到相等。即，设有惠斯登电桥电路71的被处理晶片70的温度变得均匀。因此，如果所有惠斯登电桥电路71的偏移电压变为零，则在被处理晶片70整体中温度变得均匀。在以所述方式调节热处理板50的温度后，使升降销60上升，将温度检测工具10·从热处理装置2搬出。以此方式调节热处理板50的温度。另外，在无法通过一次温度调节而使所有惠斯登电桥电路71的偏移电压变为零的情况下，则进行多次温度调节。即，重复进行被处理晶片70的热处理、惠斯登电桥电路71的偏移电压的测定、及热处理板50的温度调节，使所有惠斯登电桥电路71的偏移电压为零。根据以上实施方式，以形成在被处理晶片70上的惠斯登电桥电路71达到平衡状态、即惠斯登电桥电路71中的偏移电压变为零的方式，调节热处理板50的温度。在这种情况下，由于偏移电压变为零，因此，惠斯登电桥电路71中的四个测温电阻器72的电阻值、SP由这些测温电阻器72测量的被处理晶片70的温度达到相等。而且，由于被处理晶片70上的所有惠斯登电桥电路71中的偏移电压变为零，因此这些惠斯登电桥电路71中的被处理晶片70的温度达到相等。因此，根据本实施方式，可以适当地调节热处理板50的温度，以使被处理晶片70在水平面内均匀地受到热处理。换句话说，本实施方式只要在调节热处理板50的温度时，能够确保被处理晶片70的温度的面内均匀性即可，且在无需绝对的温度调节时特别有用。热处理板50的设定输出原本具备可信度，但在实际现场中常有随着时间经过而出现输出值不均的个体。在这种情况下，在面内均匀性得到确保的时刻可视作已充分进行温度调节。而且，惠斯登电桥电路71包括四个测温电阻器72，因此，如果使用以往的方法，则需要测量四处温度。这样一来，则将使用所述四个参数，调节热处理板50的温度。与此相对，根据本实施方式，用来调节热处理板50的温度的参数仅为惠斯登电桥电路71的偏移电压这一个。如此，根据本实施方式，由于参数个数较少，因此可以通过简易的控制，调节热处理板50的温度。因此，能够减小热处理板50的加热器53所受的负载，并且能够在短时间内进行热处理板50的温度调节。此处，在测定测温电阻器的电阻值时，使用常用的双线连接式或四线连接式的情况下，对于一个测温电阻器设置两个或四个接触垫(两根或四根配线)。与此相对，在本实施方式的惠斯登电桥电路71中，对于四个测温电阻器72设置四个接触垫73(四根配线74)。因此，根据本实施方式，可以减少接触垫73的个数及配线74的根数。
进而，热处理板50划分成多个热板区域R1 R4,且各热板区域R1 R4单独地内置有加热器53。因此，可以对每一热板区域R1 R4调节温度，从而能够更严格地进行热处理板50的温度调节。在以上实施方式中，作为进行热处理板50的温度调节的参数，使用了惠斯登电桥电路71中的偏移电压，但是除了该偏移电压以外，也可以使用惠斯登电桥电路71中的电流值。在这种情况下，在热处理装置2中，对载置在热处理板50上的温度检测工具10进 行热处理后，除了测定该温度检测工具10中的惠斯登电桥电路71的偏移电压以外，还测定该惠斯登电桥电路71的电流值。接下来，控制部100以所有惠斯登电桥电路71的偏移电压变为零，并且使惠斯登电桥71的电流值达到特定值，且所有惠斯登电桥电路71中的电流值达到相等的方式，调节热处理板50的温度。根据本实施方式，可以使被处理晶片70上的所有惠斯登电桥电路71中的测温电阻器72的电阻值相等地成为特定值。因此，可以在特定温度下将被处理晶片70均匀地进行热处理的方式，调节热处理板50的温度。在这种情况下，用来调节热处理板50的温度的参数为惠斯登电桥电路71的偏移电压和电流值这两个，因此，可以通过比以往简易的控制来调节热处理板50的温度。另外，在上述实施方式中，控制部100中可以记录例如表示惠斯登电桥电路71中的电流值和被处理晶片70的温度的关系的表格(未图示)。在这种情况下，控制部100基于测定的惠斯登电桥电路71的电流值，使用所述表格，测量被处理晶片70的温度。由此，可以掌握热处理后的被处理晶片70的绝对温度。而且，在惠斯登电桥电路71中，可以将四个测温电阻器72中的一个替换成具有特定电阻值的固定电阻器。所谓固定电阻器是指电阻值的变化相对于温度变化为零、或者电阻值的变化小到可以忽视的程度的电阻器。例如，准备由一个具有1385Q的固定电阻器和三个PtlOOO (测温电阻器72)构成的惠斯登电桥电路71。已知PtlOOO在100°C时的电阻值将达到1385Q。在这种情况下，仅以惠斯登电桥电路71的偏移电压变为零的方式进行控制，而使剩下的三个测温电阻器72成为1385Q。即，将所述三个测温电阻器72控制在100°C。即便无法测定配置有固定电阻器的部位的温度，但是也可以实现绝对的温度控制而无需测定电流值。因此，在预先规定热处理板50的应该进行控制的温度的情况下，这种方法极其有效。另外，替换成固定电阻器的个数并不限定为一个，也可以为两个以上。在以上实施方式中，基于惠斯登电桥电路71的偏移电压变为零，而视作四个测温电阻器72各自的电阻变为相同。但是，实际上，只要惠斯登电桥电路71的左侧两个测温电阻器72具有彼此相同的电阻值，且右侧两个测温电阻器72具有彼此相同的电阻值，那么，即便左侧和右侧的测温电阻器72中电阻值不同，偏移电压也变为零。例如，左侧的两个测温电阻器为1000 Q，且右侧的两个测温电阻器为980 Q。在这种情况下，存在尽管惠斯登电桥电路71的左侧和右侧中温度不同，但也存在识别为四个测温电阻器均为相同温度的可能性。作为避免发生这种情况的方法，有效的是改变惠斯登电桥电路71的偏移电压的测定部位。首先，测定偏移电压，以及以偏移电压变为零的方式进行控制。到此为止的控制和所述实施例中说明情况相同。此处，保持着接触件41和被处理晶片70上的接触垫73a、73a、73b、73b接触的状态，进行第二次偏移电压的测定。到此为止是对接触垫73a、73a之间施加电压，但接着对接触垫73b、73b之间施加电压。接下来，从接触垫73a、73a通过接触件41测定惠斯登电桥电路71的偏移电压(接触垫73a、73a间的电压)。此处，只要第二次偏移电压(73a、73a间的电压)也为零，那么在惠斯登电桥电路71中，四个测温电阻器72均为相同温度。另外，所述第二次偏移电压的测定是在任意时序中设定。既可在第一次测定偏移电压之后立即进行，也可以设定为偏移电压为零之后，为了确认而进行第二次偏移电压的测定。以上的实施方式是在被处理晶片70上，将多个惠斯登电桥电路71配置成锯齿状，但是该多个惠斯登电桥电路71的配置并不限定于此。例如图6所示，在被处理晶片70上，也可以将多个惠斯登电桥电路71配置成栅格状。而且，例如图7所示，也可以使多个惠斯登电桥电路71连续地配置，如图8所示，在被处理晶片70上，也可以使所述多个惠斯登电桥电路71蜿蜒地配置。在任一情况下，均可基于惠斯登电桥电路71的偏移电压、或者偏移电压及电流值，以使被处理晶片70均匀地进行热处理的方式，调节热处理板50的温度。而且，以上实施方式的多个接触垫73是配置在惠斯登电桥电路71的顶点部，但是例如图9所示，多个接触垫73也可以沿着被处理晶片70的周缘部连续地进行配置。在这 种情况下，在惠斯登电桥电路71的顶点部配置和两根配线74连接的金属垫110。而且，各金属垫110和各接触垫73由配线111进行连接。金属垫110和配线111中使用具有导电性的材料、例如铝。另外，在本实施方式中，由于接触件41未和金属垫110接触，因此，也可以省略该金属垫110而将配线74和配线111直接连接。此处，当将温度检测工具10搬入到热处理装置2时，例如存在被处理晶片70从特定位置以在水平面内旋转的状态载置在热处理板50上的情况。在这种情况下，由于接触垫73沿着被处理晶片70的周缘部连续地配置，因此，可以使接触件41确实地和接触垫73接触。因此，可以确实地测定惠斯登电桥电路71的偏移电压或电流值，从而能够适当地调节热处理板50的温度。而且，由于在与测温电阻器72间隔的被处理晶片70的周缘部配置有接触垫73，因此，当接触件41和该接触垫73接触时，测温电阻器72不会因该接触件41的接触而受到温度变化的影响。因此，能够进一步确实地测定惠斯登电桥电路71的偏移电压或电流值。在以上实施方式中，如图10所示，可以将多个惠斯登电桥电路71中的一个惠斯登电桥电路作为基准惠斯登电桥电路120。基准惠斯登电桥电路120包括四个基准电阻器121而取代四个测温电阻器72。基准电阻器121具有电阻值不会随着温度变化而变化，且与测温电阻器72的电阻值相差特定量以上、例如300Q以上的电阻值。而且，基准惠斯登电桥电路120包括四个基准接触垫122而取代四个接触垫73。而且，多个接触垫73和基准接触垫122是沿着被处理晶片70的周缘部连续地进行配置。另外，基准惠斯登电桥电路120的其他构成因和所述实施方式中的惠斯登电桥电路71的构成相同而省略说明。如上所述，由于基准电阻器121具有电阻值不会随着温度变化而变化，且与测温电阻器72的电阻值相差特定量以上的电阻值，因此，可以区分被处理晶片70进行热处理中所测定的测温电阻器72的电阻值和基准电阻器121的电阻值。由此，可在控制部100中，掌握基准电阻器121相对热处理板50的位置，所以，可以掌握其他测温电阻器72的位置，也可以掌握热处理板50上的被处理晶片70的水平面内的位置。S卩，可以将基准电阻器121及测温电阻器72的位置和热处理板50的热板区域R1 R4建立关联。因此，根据本实施方式，可以对每一热板区域R1 R4适当地进行热处理板50的温度调节。以上实施方式是在测定惠斯登电桥电路71的偏移电压或电流值时，使接触件41和温度检测工具10的接触垫73接触，而本发明可以适用于具备惠斯登电桥电路71的各种温度检测工具10。例如图11所示，可以使用有线式温度检测工具10。温度检测工具10的接触垫73是通过配线130连接于软性电缆(flexible cable) 131。而且，软性电缆131是连接于控制部100。本实施方式是在测定惠斯登电桥电路71的偏移电压或电流值时，无需使接触件41和接触垫73接触。因此，也可以省略接触垫73，而将配线74和配线111直接连接。而且，也可以省略设在盖部件30的下表面的接触件41。
在这种情况下，温度检测工具10是配置在热处理装置2的内部，且控制部100是配置在热处理装置2的外部。而且，在这种状态下对被处理晶片70进行热处理，测定惠斯登电桥电路71的偏移电压或电流值。另外，在本实施方式的有线式温度检测工具10中，将测量电路设在控制部10，但是也可以将该测量电路设在被处理晶片70上。而且，温度检测工具10也可以使用无线式温度检测工具。在这种情况下，将设在控制部100的测量电路(未图示)设在被处理晶片70上。而且，惠斯登电桥电路71的偏移电压或电流值是从测量电路通过无线输出到控制部100。如上所述，无论使用有线式还是无线式温度检测工具10，均可基于惠斯登电桥电路71的偏移电压，或者偏移电压及电流值，调节热处理板50的温度，以将被处理晶片70均匀地进行热处理。在以上实施方式中，热处理板50是划分成四个热板区域R1 R4，但是此个数可以任意选择。而且，热处理板50的热板区域R1 R4的形状也可以任意选择。而且，在以上实施方式的热处理装置2中进行的热处理例如可为光刻处理中的热处理，也可为蚀刻处理或成膜处理等的等离子处理中的热处理。在这种情况下，转移到晶片W的热并不限定于来自热处理板50的热，也包含来自蚀刻气体或等离子的导热。以上，一边参照附图一边说明了本发明的较佳实施方式，但是本发明并不限定于所述示例。本领域技术人员应该明白在权利要求记载的思想范畴内，可以设想各种变更例或修正例，这些当然也属于本发明的技术范围。本发明并不限定于该示例，可以采用各种方式。本发明也可以应用于基板为除了晶片以外的FPD(Flat Panel Display，平板显示器)、光罩用的图罩(mask reticle)等其他基板的情况。
权利要求
1.ー种温度測定装置，其是用来对使用热处理机构将基板热处理于特定温度的热处理装置，測定所述热处理机构的温度，其特征在于包括 基板；以及 惠斯登电桥电路，设在所述基板上，且具备电阻值随着温度变化而变化的多个测温电阻器。
2.根据权利要求I所述的温度測定装置，其特征在于 所述惠斯登电桥电路包括具有特定电阻值的固定电阻器。
3.ー种温度校正装置，其是用来对使用热处理机构将基板热处理于特定温度的热处理装置，校正所述热处理机构的温度，其特征在于包括 基板； 惠斯登电桥电路，设在所述基板上，且具备电阻值随着温度变化而变化的多个测温电阻器；以及 控制部，以所述惠斯登电桥电路达到平衡状态的方式，调节所述热处理机构的温度。
4.根据权利要求3所述的温度校正装置，其特征在于 所述惠斯登电桥电路设有多个，且 所述控制部是以多个所述惠斯登电桥电路达到平衡状态的方式，调节所述热处理机构的温度。
5.根据权利要求3或4所述的温度校正装置，其特征在于 所述控制部是以所述惠斯登电桥电路中的电流值达到特定值的方式，调节所述热处理机构的温度。
6.根据权利要求3至5中任ー权利要求所述的温度校正装置，其特征在于 所述惠斯登电桥电路设有多个，且 所述控制部是以多个所述惠斯登电桥电路中的电流值达到相等的方式，调节所述热处理机构的温度。
7.根据权利要求3或4所述的温度校正装置，其特征在于 所述惠斯登电桥电路包括具有特定电阻值的固定电阻器。
8.根据权利要求3至7中任ー权利要求所述的温度校正装置，其特征在于 所述控制部是在所述惠斯登电桥电路中，測定不同部位的偏移电压，以在各自的情况下，该惠斯登电桥电路达到平衡状态的方式，调节所述热处理机构的温度。
9.根据权利要求3至8中任ー权利要求所述的温度校正装置，其特征在于 所述惠斯登电桥电路设有多个，且 多个所述惠斯登电桥电路是配置成锯齿状、栅格状、或连续蛇行状。
10.根据权利要求3至9中任ー权利要求所述的温度校正装置，其特征在于 所述热处理机构是划分成多个区域，且对该每一区域可进行温度调节。
11.ー种温度校正方法，其是对使用热处理机构将基板热处理于特定温度的热处理装置，使用温度校正装置，校正所述热处理机构的温度，其特征在于 使用包括基板、以及设在所述基板上且具备电阻值随着温度变化而变化的多个测温电阻器的惠斯登电桥电路的所述温度校正装置，以所述惠斯登电桥电路达到平衡状态的方式，调节所述热处理机构的温度。
12.根据权利要求11所述的温度校正方法，其特征在于 所述惠斯登电桥电路设有多个，且 以多个所述惠斯登电桥电路达到平衡状态的方式，调节所述热处理机构的温度。
13.根据权利要求11或12所述的温度校正方法，其特征在于 以所述惠斯登电桥电路中的电流值达到特定值的方式，调节所述热处理机构的温度。
14.根据权利要求11至13中任ー权利要求所述的温度校正方法，其特征在于 所述惠斯登电桥电路设有多个，且 以多个所述惠斯登电桥电路中的电流值达到相等的方式，调节所述热处理机构的温度。
15.根据权利要求11或12所述的温度校正方法，其特征在于 所述惠斯登电桥电路包括具有特定电阻值的固定电阻器。
16.根据权利要求11至15中任ー权利要求所述的温度校正方法，其特征在于 在所述惠斯登电桥电路中，測定不同部位的偏移电压，且以在各自的情况下，该惠斯登电桥电路达到平衡状态的方式，调节所述热处理机构的温度。
17.根据权利要求11至16中任ー权利要求所述的温度校正方法，其特征在于 所述热处理机构是划分成多个区域，且 在所述每一区域中，调节所述热处理机构的温度。
全文摘要
本发明提供一种温度测定装置、温度校正装置及温度校正方法。在使用热处理机构将基板热处理于特定温度的热处理装置中，通过简单的方法来适当校正所述热处理机构的温度。温度校正装置的温度检测工具(10)包括载置在热处理板上的被处理晶片(70)、以及设在被处理晶片(70)上的多个惠斯登电桥电路(71)。惠斯登电桥电路(71)包括四个电阻值随着温度变化而变化的测温电阻器(72)、以及供接触件(41)接触的四个接触垫(73)。温度校正装置的控制部是以惠斯登电桥电路(71)达到平衡状态，即惠斯登电桥电路(71)的偏移电压变为零的方式，调节热处理板的温度。
文档编号G01K7/16GK102759417SQ201210111088
公开日2012年10月31日 申请日期2012年4月16日 优先权日2011年4月27日
发明者东广大, 林圣人 申请人:东京毅力科创株式会社