专利名称：一种p型太阳能级单晶硅棒性能测试样片制取方法
技术领域：
本发明涉及一种P型太阳能级单晶硅棒性能测试样片的制取方法。
背景技术：
目前，我们在对太阳能级单晶硅棒进行测试时，通常采用直接用测试仪器在硅棒的横截断面或硅棒表面进行测试，这种方法只能大约估测硅棒的裸寿命和电阻率性能，并且对其他内部指标无法测试，造成产品质量状态不清，并且硅棒表面的污染或表面损伤对性能测试影响较大，导致性能处于临界状态的硅棒报废，降低了硅棒的利用率，加大生产成本。随着光伏市场的暗淡萧条，对太阳能电池用原材料即单晶硅棒的产品质量要求提 高，仅用电阻率和寿命表达硅棒的质量不能满足后端客户的需求，因此，必须采用制备硅棒样片的方法准确表不产品性能。
发明内容
本发明的目的是提供一种P型太阳能级单晶硅棒性能测试样片的制备方法，可以用硅片的测试性能真实的表达硅棒的性能，提高了硅棒的利用率，减少了硅棒的损失。本发明采用的技术方案通过下列步骤实现⑴在单晶硅棒的头尾部分分别切割出厚度不大于5mm的硅片；⑵用抛光设备对娃片表面进行机械打磨抛光直至无明显刀痕；⑶投放于硝酸、氢氟酸的混合溶液中浸泡至少5分钟；⑷待有大量黄烟产生时，夹取娃片，用纯水浸泡I 3分钟；(5)将硅片的正反两面用无水乙醇冲洗，然后吹干，吹干后应看不到水溃。其中硝酸和氢氟酸的体积比例为I : 5。本发明使用的混合酸液槽由聚四氟乙烯等耐腐蚀材料制成，中间有格档，方便硅片正反面均匀腐蚀，避免腐蚀时翻动硅片，保证硅片正反面的一致性。采用本发明，可以用硅片的测试性能真实的表达硅棒的性能，提高硅棒的利用率，减少硅棒的损失；同时，腐蚀前硅片已机械抛光，可减少腐蚀时间，酸液可重复利用。
具体实施例方式下面结合具体的实施例对本发明作进一步说明。I.在单晶硅棒的头尾部位切断出厚度为3mm的硅片，硅片表面平整，无肉眼看见的斜面。2.用金刚砂对太阳能级单晶硅片的正反面进行机械打磨抛光，直至抛光表面无刀痕，成镜面为止。3.将抛光后的硅片置于硝酸和氢氟酸体积比为I :5的混合酸液中，浸泡5分钟后，除去氧化层以及损伤层，达到硅片表面的均匀化学减薄。
4.腐蚀后的硅片置于纯水中浸泡，2分钟后，用无水乙醇冲洗吹干，直至硅片表面 无水溃为止。
权利要求
1.ー种P型太阳能级单晶硅棒性能测试样片的制备方法，其特征是包括以下步骤 (1)在单晶硅棒的头尾部分别切割出厚度不大于5mm的硅片； (2)用抛光设备对硅片表面进行机械打磨抛光直至无明显刀痕； (3)投放于硝酸和氢氟酸的混合溶液中浸泡至少5分钟； (4)待有大量黄烟产生时，夹取硅片，用纯水浸泡I 3分钟； (5)将硅片的正反两面用无水こ醇冲洗，然后吹干，吹干后应看不到水溃。
2.如权利要求I所述的P型太阳能级单晶硅棒性能测试样片的制备方法，其特征是所述硝酸和氢氟酸的体积比为I : 5。
全文摘要
本发明涉及一种P型太阳能级单晶硅棒性能测试样片的制取方法。包括以下步骤⑴用切断机沿硅单晶体的头尾横截面分别切割硅单晶测试样片，⑵用抛光设备对硅片表面进行机械打磨抛光，除去硅片表面因切割产生的刀痕以及表面机械应力损伤层，⑶样片置于酸液中腐蚀，除去深度损伤层，消除硅片表面的杂质污染，⑷将测试样片投放纯水中浸泡，捞出吹干。经本发明制取的样片可真实表达单晶硅棒的性能参数，提高单晶硅棒的利用率。
文档编号G01N1/28GK102680297SQ20121016174
公开日2012年9月19日 申请日期2012年5月23日 优先权日2012年5月23日
发明者刘秦, 吴凯, 张素敏, 曹博, 郭樱花 申请人:陕西西京电子科技有限公司