一种共轭磁介质电涡流传感器的制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种共轭磁介质电涡流传感器，用于单晶、多晶太阳能硅片的非接触测试，获得硅片的电导从而根据硅片厚度计算出体电阻率。包括：壳体；检测部，所述检测部包括E型铁芯、采样线圈、激励线圈，所述采样线圈和所述激励线圈为同轴线圈，所述采样线圈和所述激励线圈的绕线分别绕卷在所述E型铁芯的两个槽中；线圈引线，用于分别将所述采样线圈和所述激励线圈的绕线端部从检测部引出，所述线圈引线引出端由绝缘体灌封固定。本共轭磁介质电涡流传感器的适应环境温度、湿度范围较宽，结构刚度好、也适合在线型检测场合的安装应用、工作稳定、重复性好、使用寿命长、造价低具有较高性能价格比等优点。
【专利说明】一种共轭磁介质电涡流传感器
【技术领域】
[0001]本发明属于传感器领域，具体属于硅片厚度测试的电涡流传感器领域。
【背景技术】
[0002]作为一种新型太阳能电池硅片的电阻率非接触测试共轭磁介质的电涡流传感器是基于电涡流测试技术中以保证固定其他变量函数不变的设计、制作和尺寸因子的确定，使得导体电导成为测试中的单值变量函数的一种传感器。
[0003]现有的非接触式测量的传感器产生的涡流激励的指向性、穿透力都不够，具有测量不精确的隐患。
[0004]因此，亟需一种能增强涡流激励的指向性、穿透力的共轭磁介质电涡流传感器。
【发明内容】
[0005]为了解决现有技术中存在的上述问题，提供一种共轭磁介质电涡流传感器。
[0006]本发明所采用的技术方案是:一种共轭磁介质电涡流传感器，用于单晶、多晶太阳能硅片的非接触测试，包括:壳体；检测部，包括E型铁芯、采样线圈、激励线圈，上述采样线圈和上述激励线圈为同轴线圈，上述采样线圈和上述激励线圈的绕线分别绕卷在上述E型铁芯的两个槽中；线圈引线，用于分别将上述采样线圈和上述激励线圈的绕线端部从检测部引出，上述线圈引线引出端由绝缘体灌封固定。
[0007]优选的，还包括屏蔽膜，上述屏蔽膜设于上述E型铁芯开口端部。
[0008]优选的，上述E型铁芯采用lJ79NiFe合金。
[0009]优选的，还包括用于上述激励线圈接线的接线桩柱。
[0010]优选的，还包括用于固定上述接线桩柱和上述E型铁芯的电木板。
[0011]优选的，上述壳体采用纯铁或者lJ79NiFe合金。
[0012]优选的，上述绝缘体为环氧树脂。
[0013]优选的，还包括轴向的备用出线孔。
[0014]优选的，还包括用于安装的螺纹孔。
[0015]采用本技术方案的有益效果是:本装置结构简单，包括:壳体；检测部，包括E型铁芯、采样线圈、激励线圈，所述采样线圈和所述激励线圈为同轴线圈，所述采样线圈和所述激励线圈的绕线分别绕卷在所述E型铁芯的两个槽中；线圈引线，用于分别将所述采样线圈和所述激励线圈的绕线端部从检测部引出，所述线圈引线引出端由绝缘体灌封固定。能形成共轭磁场，使得电涡流传感器的共轭磁介质结构能有效增强涡流激励和指向性、穿透力。
【专利附图】
【附图说明】
[0016]为了使本发明的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明，其中:图1是本发明实施例1的剖视面结构示意图；图2是本发明实施例1的测试面结构示意图；
图3是本发明实施例1的螺孔面结构示意图；
图4是本发明实施例1的结构示意图；
图中，1.壳体2.环氧树脂灌封固定部3.接线桩柱4.电木板5.线圈引出导线6.E型铁芯7.采样线圈8.激励线圈9.磁、电屏蔽膜10.M3安装用螺纹孔11.轴向的备用引线孔12.被测硅片13.测试平台。
【具体实施方式】
[0017]下面结合附图详细说明本发明的具体实施例。
[0018]实施例1
如图1-3所示，包括圆柱型壳体1，E型铁芯6，采样线圈7、激励线圈8，其中采样线圈7和激励线圈8分别绕制在E型铁芯的两个开槽中，在壳体I中固定有激励线圈8的接线桩柱3，接线桩3和E型铁芯6采用电木板4固定，采样线圈7和激励线圈8通过线圈引线5引出壳体1，线圈引线5在壳体内部的部分由环氧树脂2灌封固定在壳体I中，在E型铁芯6开口端部设有电、磁屏蔽膜9。壳体及E型铁芯采用lJ79NiFe合金。本装置适应环境温度、湿度范围较宽，结构刚度好 ，工作稳定、重复性好、使用寿命长、造价低，具有较高性能价格比等优点。
[0019]如图4所示，工作时，采用两个电涡流传感器并使传感器E形铁芯6开口轴向处对接形成共轭磁场安装方式，并且两E形铁芯间设置为保持< 1.5mm的间隙，两铁芯间的间隙为测试工作区间。被测硅片12设于测试平台13上，并放置在两相对设置的传感器间隙之间，本装置电涡流传感器适用于检测≤0.7mm厚的太阳能电池硅片，根据间隙距离与共轭磁场半径比能得到较大的线性变量范围。本装置在采用共轭磁场安装，即两个传感器相对设置，并且两E形铁芯间设置为保持< 1.5_的间隙，使得电涡流传感器的共轭磁介质结构能有效增强涡流激励和指向性、穿透力。
[0020]实施例2
其余与实施例1相同，不同之处在于，壳体I采用纯铁，传感器的顶端螺孔面设有轴向的备用引线孔11，引出线也可以通过轴向备用引线孔11引出，使得传感器的接线有径向与轴向两种可适应安装要求的引出导线方法。
[0021]实施例3
其余与实施例1相同，不同之处在于，传感器还包括两个用于安装的M3螺纹孔10，方便在检测场合的安装。
[0022]本发明的有益效果是:本装置结构简单，包括:壳体；检测部，包括E型铁芯、采样线圈、激励线圈，所述采样线圈和所述激励线圈为同轴线圈，所述采样线圈和所述激励线圈的绕线分别绕卷在所述E型铁芯的两个槽中；线圈引线，用于分别将所述采样线圈和所述激励线圈的绕线端部从检测部引出，所述线圈引线引出端由绝缘体灌封固定。能形成共轭磁场，使得电涡流传感器的共轭磁介质结构能有效增强涡流激励和指向性、穿透力。
[0023]以上所述的仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。
【权利要求】
1.一种共轭磁介质电涡流传感器，用于单晶、多晶太阳能硅片的非接触测试，其特征在于，包括:壳体； 检测部，包括E型铁芯、采样线圈、激励线圈，所述采样线圈和所述激励线圈为同轴线圈，所述采样线圈和所述激励线圈的绕线分别绕卷在所述E型铁芯的两个开槽中； 线圈引线，用于分别将所述采样线圈和所述激励线圈的绕线端部引出，所述线圈引线引出端由绝缘体灌封固定。
2.根据权利要求1所述的共轭磁介质电涡流传感器，其特征在于，还包括屏蔽膜，所述屏蔽膜设于所述E型铁芯开口端部。
3.根据权利要求1所述的共轭磁介质电涡流传感器，其特征在于，所述E型铁芯采用lJ79NiFe 合金。
4.根据权利要求1所述的共轭磁介质电涡流传感器，其特征在于，还包括用于所述激励线圈接线的接线桩柱。
5.根据权利要求1所述的共轭磁介质电涡流传感器，其特征在于，还包括用于固定所述接线桩柱和所述E型铁芯的电木板。
6.根据权利要求1所述的共轭磁介质电涡流传感器，其特征在于，所述壳体采用纯铁或者lJ79NiFe合金。
7.根据权利要求1所述的共轭磁介质电涡流传感器，其特征在于，所述绝缘体为环氧树脂。
8.根据权利要求1所述的共轭磁介质电涡流传感器，其特征在于，还包括轴向的备用出线孔。
9.根据权利要求1所述的共轭磁介质电涡流传感器，其特征在于，还包括用于安装的螺纹孔。
【文档编号】G01B7/06GK103712549SQ201310697496
【公开日】2014年4月9日 申请日期:2013年12月18日 优先权日:2013年12月18日
【发明者】赵丹, 颜友钧, 郑钰 申请人:江苏瑞新科技股份有限公司