Ppln掺镁铌酸锂晶体配件的制作方法

文档序号:6192140阅读:459来源:国知局
Ppln掺镁铌酸锂晶体配件的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种PPLN掺镁铌酸锂晶体配件,改善了接触方式,可便于测量数字化成像,其包括呈矩形的环框,环框的外侧设有可触端,由于光学垫片表面高度抛光,激光被反射回到传感器,会影响到数据的精度,一般要替换使用接触表面的数据收集传感器。可触端就是这样的接触表面的数据收集传感器,这样就改变了原本测量的接触方式,从而大大提高了数据的精度。
【专利说明】PPLN掺镁铌酸锂晶体配件
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种光学垫片配件,特别涉及一种用于PPLN掺镁铌酸锂晶体的垫片配件。
【背景技术】
[0002]光学垫片的表面是一种经过高质量的、非常精密的机加工和抛光的表面,需要用非接触式传感器,如激光测头进行测量。然而,由于光学垫片表面高度抛光,激光被反射回到传感器,会影响到数据的精度,替换的方法是,使用接触表面的数据收集传感器。又由于光学垫片对于即便是手指头碰一下都十分敏感,接触的方式还必须修改才能成功。
实用新型内容
[0003]本实用新型的目的是提供一种改善接触方式,可便于测量数字化成像的PPLN掺镁铌酸锂晶体配件。
[0004]根据本实用新型的一个方面,提供了一种PPLN掺镁铌酸锂晶体配件,包括呈矩形的环框,环框的外侧设有可触端。
[0005]其有益效果是,可触端为接触表面的数据收集传感器,这样就改变了原本测量的接触方式,从而大大提高了数据的精度。
[0006]在一些实施方式中,可触端为线型结构。
[0007]其有益效果是,测量仪需调节探测力,使它不会在垫片上留下痕迹。为了加速这个过程,用来定义垫片形状所需采集的点也需要事先进行定义。数据点的数量可以帮助确定弧的精度。影像测量仪在某些地方需要比较高的采点频率,因此可触端为线型结构是最优选择。
【专利附图】

【附图说明】
[0008]图1为本实用新型一实施方式的PPLN掺镁铌酸锂晶体配件的结构示意图。【具体实施方式】
[0009]下面结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。
[0010]图1示意性地显示了根据本实用新型的一种实施方式的PPLN掺镁铌酸锂晶体配件的结构。
[0011]如图1所示,整体为一个呈矩形的环框1,环框I具有一定的厚度。环框I的外侧设有两个可触端2。可触端2是在对称边上。
[0012]由于光学垫片表面高度抛光,激光被反射回到传感器,会影响到数据的精度,一般要替换使用接触表面的数据收集传感器。可触端2就是这样的接触表面的数据收集传感器,这样就改变了原本测量的接触方式,从而大大提高了数据的精度。
[0013]另外测量仪需调节探测力,使它不会在垫片上留下痕迹。为了加速这个过程,用来定义垫片形状所需采集的点也需要事先进行定义。数据点的数量可以帮助确定弧的精度。影像测量仪在某些地方需要比较高的采点频率,因此可触端2 —般需要设计成如图中的线型结构,线型结构是最优选择。
【权利要求】
1.PPLN掺镁铌酸锂晶体配件,包括呈矩形的环框,其特征在于,所述环框的外侧设有可触端。
2.根据权利要求1所述的PPLN掺镁铌酸锂晶体配件,其特征在于,所述可触端为线型结构。
【文档编号】G01B11/00GK203642874SQ201320339635
【公开日】2014年6月11日 申请日期:2013年6月14日 优先权日:2013年6月14日
【发明者】吴世涛 申请人:鞍山普照激光科技有限公司
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