一种宽照度全色成像探测芯片的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种宽照度全色成像探测芯片，包括面阵电控双模平面液晶微透镜、面阵全色探测器和驱控预处理模块；面阵全色探测器被划分成多个阵列分布的子面阵全色探测器，每个子面阵全色探测器包括数量和排布方式相同的多个阵列分布的光敏元；面阵电控双模平面液晶微透镜与面阵全色探测器匹配耦合，包括多个阵列分布的单元电控双模平面液晶微透镜，每单元电控双模平面液晶微透镜与一个子面阵全色探测器对应；面阵电控双模平面液晶微透镜基于入射光的强度，对其进行定向汇聚、发散或维持光束的空间传输形态。本实用新型的探测芯片可实现宽照度范围内的全色图像信息获取，测量精度高，目标和环境适应性好，易与常规光学系统耦合。
【专利说明】一种宽照度全色成像探测芯片
【技术领域】
[0001]本实用新型属于成像探测【技术领域】，更具体地，涉及一种宽照度全色成像探测芯片。
【背景技术】
[0002]迄今为止，基于面阵焦平面光敏架构的全色成像装置已进入家庭，并在工农业生长、教学、科研和国防等领域，成为基础性的图像信息获取手段。对核心性的光敏阵列而言，能否不断提升应对复杂背景环境中的强光和弱光目标这一能力，已成为推动阵列化光敏器件持续快速发展的一个重要源动力。迄今为止，人们通过持续不断地研发阵列规模越来越大的光敏芯片，提高光敏材料的光电灵敏度，降低光敏结构噪声并发展专用图像信息处理算法等，增强成像探测效能以及目标和环境适应能力。另一方面，通过给面阵光敏器件配置微纳光学结构来提升成像探测性能指标并进一步扩展功能，如典型的集成有MEMS、折射或衍射微透镜、光子晶体、微纳光学天线等的光敏组件，以及耦合了无移动部件的电控、磁控、光控、声控或热控光学功能的成像探测架构等。近期发展目标是:(一)采用级联或多元系光敏材料来拓宽光敏阵列的光辐照适用范围；(二)通过微纳光学结构实现微/纳秒级时间常数的通光能流调控；(三)发展随环境或目标辐射情况，对投射到光敏芯片表面的能流压缩场其光功率分布进行调变，从增大和减小可探测的光强分布这两个相反方向上作有效延拓，实现基于光电转换的压缩光场其空间再分布情形下的成像探测效能增强。
[0003]一般而言，基于面阵焦平面光敏结构捕捉目标的图像信息，主要针对光敏阵列通过成像光学系统映射划分的、特定物距处的目标其网格状平面架构的出射光场，该物距由光学系统的焦距界定。每一个平面目标网格与面阵焦平面结构中的一个特定光敏元对应。由平面目标网格出射的阵列化波束，通过成像光学系统被压缩投送到光敏阵列上，并进一步转化为阵列化的光电响应图案即电子图像。这一成像体制的缺陷主要表现在:(一)由成像光学系统构建的能流压缩场其光强变动程度，受光敏材料的感光灵敏阈制约，其可变动范围相对有限，目前主要通过调变成像光学系统的通光孔径这样的低速机械操作实现，无法适应光强的快速改变；(二)光子型器件受限于微纳光电变换结构的分布密度，其响应辐照光场的强度变动范围相对狭小，光强过大会陷于饱和，过低则因信噪比或信杂比低而难以提取光电信号；(三)光热型器件因光电灵敏度目前仍较低，仅适用于辐照较强的场合；(四)辐照适应性差，无法快速适应入射光场其强度的剧烈变化；(五)目标和环境适应性不足，无法将强杂散或干扰光与强度相对较弱的目标辐射，融合在一个统一的探测架构下。因此，找到简捷、高效和灵巧的技术措施，以及可显著增大光敏器件的辐照度适用范围的成像探测方式，已成为发展先进全色成像技术所面临的重点和难点问题，迫切需要新的突破。
实用新型内容
[0004]针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本实用新型提供了一种宽照度全色成像探测芯片，可实现宽照度范围内的全色图像信息获取，测量精度高，环境适应性好，结构紧凑，易与其它光学/光电/机械结构匹配f禹合。
[0005]为实现上述目的，本实用新型提供了 一种宽照度全色成像探测芯片，其特征在于，包括面阵电控双模(光汇聚、光发散)平面液晶微透镜、面阵全色探测器和驱控预处理模块；其中，所述面阵全色探测器被划分成多个阵列分布的子面阵全色探测器，每个子面阵全色探测器包括数量和排布方式相同的多个阵列分布的光敏元；所述面阵电控双模平面液晶微透镜与所述面阵全色探测器匹配耦合，包括多个阵列分布的单元电控双模平面液晶微透镜，每单元电控双模平面液晶微透镜与一个子面阵全色探测器对应；所述面阵电控双模平面液晶微透镜基于入射光的强度情况，对其进行定向汇聚、发散或维持光束的空间传输形态，从而在各子面阵全色探测器上形成小尺寸汇聚光斑、具有相对较暗的中心漏光场的大尺寸亮环或基于成像光学系统构建的汇聚光束所形成的聚焦斑；所述面阵全色探测器执行从光到电的光电转换操作，得到光电响应信号；所述驱控预处理模块提取所述面阵全色探测器的光敏元上的非饱和光电响应信号，并进行量化和非均匀性校正，得到目标图像数据。
[0006]优选地，所述面阵电控双模平面液晶微透镜与所述面阵全色探测器均为mXn元，其中，m、η均为大于I的整数。
[0007]优选地，所述子面阵全色探测器为pXq元，其中，P、q均为大于I的整数。
[0008]优选地，所述驱控预处理模块采用SoC与FPGA结合的结构。
[0009]优选地，所述驱控预处理模块还用于为所述面阵电控双模平面液晶微透镜和所述面阵全色探测器提供驱动和调控信号，驱动所述面阵电控双模平面液晶微透镜和所述面阵全色探测器工作，并对施加在所述面阵电控双模平面液晶微透镜上的电压信号进行调控。
[0010]优选地，还包括陶瓷外壳和金属支撑散热板；其中，所述陶瓷外壳位于所述金属支撑散热板的上方，所述金属支撑散热板与所述陶瓷外壳固联，用于支撑各功能结构和散热，所述驱控预处理模块、所述面阵全色探测器和所述面阵电控双模平面液晶微透镜同轴顺序置于所述陶瓷外壳内，其中，所述面阵全色探测器位于所述驱控预处理模块的上方，所述面阵电控双模平面液晶微透镜位于所述面阵全色探测器的上方且其光入射面通过所述陶瓷外壳的面部开孔裸露出来。
[0011]优选地，所述驱控预处理模块上设有第一端口和第一指示灯，所述面阵全色探测器上设有第二端口和第二指示灯，所述面阵电控双模平面液晶微透镜上设有第三端口和第三指示灯；所述第一端口用于从所述驱控预处理模块向所述面阵全色探测器和所述面阵电控双模平面液晶微透镜输出驱动和调控信号，还用于接收所述面阵全色探测器向所述驱控预处理模块输出的阵列化的非饱和光电响应信号，还用于接收外部设备向探测器输入的工作指令，所述第一指示灯用于指示所述驱控预处理模块是否处在正常的工作状态；所述第二端口用于输入所述驱控预处理模块提供给所述面阵全色探测器的驱动和调控信号，还用于从所述面阵全色探测器向所述驱控预处理模块输出阵列化的非饱和光电响应信号，所述第二指示灯用于指示所述面阵全色探测器是否处在正常的工作状态；所述第三端口用于输入所述驱控预处理模块提供给所述面阵电控双模平面液晶微透镜的驱动和调控信号，所述第三指示灯用于指示所述面阵电控双模平面液晶微透镜是否处在正常的工作状态。
[0012]优选地，所述驱控预处理模块上设有第四端口和第四指示灯，所述第四端口用于将所述目标图像数据从所述驱控预处理模块输出，所述第四指示灯用于指示所述驱控预处理模块是否处在正常的图像数据输出状态。[0013]优选地，所述驱控预处理模块上设有第五端口和第五指示灯，所述第五端口用于接入电源线以连接外部电源，所述第五指示灯用于指示电源是否接通。
[0014]总体而言，通过本实用新型所构思的以上技术方案与现有技术相比，具有以下有益效果:
[0015]1、宽照度范围内的成像探测。通过耦合面阵电控双模平面液晶微透镜与面阵全色探测器，可基于液晶的电控汇聚/发散/变焦效能，实现宽照度范围内的成像探测操作。
[0016]2、测量精度高。由于本实用新型采用面阵电控双模平面液晶微透镜和面阵全色探测器，它们均具有极高的阵列规模并被混合集成而具有极高的结构稳定性。
[0017]3、可测量的目标出射光强变动范围大。由于本实用新型采用了单元电控双模平面液晶微透镜与子面阵全色探测器匹配耦合的探测架构，本实用新型具有可测量的目标光强变动范围较大的优点。
[0018]4、环境适应性好。由于本实用新型采用了面阵全色探测器及宽温区液晶结构，本实用新型具有环境适应性好的优点。
[0019]5、使用方便。本实用新型的面阵电控双模平面液晶微透镜、面阵全色探测器和驱控预处理模块集成在单个芯片上，接插方便，易与常规光学系统、电子和机械装置匹配耦
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【专利附图】
【附图说明】
[0020]图1是本实用新型实施例的宽照度全色成像探测芯片的结构示意图；
[0021]图2是本实用新型实施例的宽照度全色成像探测芯片的工作原理示意图，其中，(A)为光路示意图；(B)为子面阵全色探测器上的光形态示意图；(Cl)为单元电控双模平面液晶微透镜的等效电控状态-1 ;(C2)为单元电控双模平面液晶微透镜的等效电控状态-2 ；(D)为强辐射场景下单元电控双模平面液晶微透镜对光的作用示意图；(E)为常规场景下单元电控双模平面液晶微透镜对光的作用示意图；(F)为弱辐射场景下单元电控双模平面液晶微透镜对光的作用示意图。
[0022]图1中:1_第一端口，2-第一指示灯，3-驱控预处理模块，4-第二端口，5-第二指示灯，6-面阵全色探测器，7-第三端口，8-第三指示灯，9-面阵电控双模平面液晶微透镜，10-第四指示灯，11-第四端口，12-第五端口，13-陶瓷外壳，14-金属支撑散热板，15-第五指示灯。
【具体实施方式】
[0023]为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。此外，下面所描述的本实用新型各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。
[0024]如图1所示，本实用新型实施例的宽照度全色成像探测芯片包括:陶瓷外壳13、金属支撑散热板14、驱控预处理模块3、面阵全色探测器6和面阵电控双模平面液晶微透镜9。
[0025]陶瓷外壳13位于金属支撑散热板14的上方。金属支撑散热板14与陶瓷外壳13固联，用于支撑和散热。驱控预处理模块3、面阵全色探测器6和面阵电控双模平面液晶微透镜9同轴顺序置于陶瓷外壳13内。其中，驱控预处理模块3采用SoC和FPGA结合的结构，面阵全色探测器6位于驱控预处理模块3的上方，面阵电控双模平面液晶微透镜9位于面阵全色探测器6的上方且其光入射面通过陶瓷外壳13的面部开孔裸露出来。
[0026]面阵全色探测器6被划分成多个阵列分布的子面阵全色探测器，每个子面阵全色探测器包括数量和排布方式相同的多个阵列分布的光敏元。面阵电控双模平面液晶微透镜9包括多个阵列分布的单元电控双模平面液晶微透镜，通过执行加电操作调整液晶结构的模态，面阵电控双模平面液晶微透镜9能对入射光束进行光汇聚和光发散操作。面阵电控双模平面液晶微透镜9与面阵全色探测器6匹配耦合，每单元电控双模平面液晶微透镜与一个子面阵全色探测器对应。面阵电控双模平面液晶微透镜9与面阵全色探测器6均为mXn元，其中，m、n均为大于I的整数。子面阵全色探测器为PXq元，其中，P、q均为大于I的整数，例如，子面阵全色探测器可以是6X6元、7X7元、8X8元甚至更大规模阵列。可以根据面阵电控双模平面液晶微透镜9和面阵全色探测器6的阵列规模和结构尺寸，调整子面阵全色探测器的规模。子面阵全色探测器的规模越大，可响应的入射光波强度/照度的可变化范围越大。
[0027]面阵电控双模平面液晶微透镜9与面阵全色探测器6混合集成，构成可在宽照度范围(相当于目标出射光强可在宽范围内变动)内工作的液晶基全色成像探测架构。不同强度的入射光波进入面阵电控双模平面液晶微透镜9后，经各单元电控双模平面液晶微透镜的定向电控汇聚/发散/变焦等处理，被送至与各单元电控双模平面液晶微透镜对应的子面阵全色探测器的特定光敏元上，并被转换成电信号。驱控预处理模块3提取光敏元上的非饱和光电响应信号并进行量化和非均匀性校正，得到光强/照度可在大范围内变动的目标图像数据并通过输出端口输出。
[0028]驱控预处理模块3还用于为面阵电控双模平面液晶微透镜9和面阵全色探测器6提供驱动和调控信号，驱动面阵电控双模平面液晶微透镜9和面阵全色探测器6工作，并对施加在面阵电控双模平面液晶微透镜9上的电压信号和面阵全色探测器6转换的电信号进行调控。
[0029]驱控预处理模块3上设有第一端口 1、第四端口 11、第五端口 12、第一指示灯2、第四指示灯10和第五指示灯15。其中，第一端口 I用于从驱控预处理模块3向面阵全色探测器6和面阵电控双模平面液晶微透镜9输出驱动和调控信号，还用于接收面阵全色探测器6向驱控预处理模块3输出的阵列化的非饱和光电响应信号，还用于接收外部设备向探测器输入的工作指令，第四端口 11用于将经驱控预处理模块3预处理后的图像数据输出，第五端口 12用于接入电源线以连接外部电源。第一指示灯2用于指示驱控预处理模块3是否处在正常的工作状态，驱控预处理模块3处在正常的工作状态则第一指示灯2闪烁，否则熄灭，第四指示灯10用于指示驱控预处理模块3是否处在正常的图像数据输出状态，驱控预处理模块3处在正常的图像数据输出状态则第四指示灯10闪烁，否则熄灭，第五指示灯15用于指示电源是否接通，电源接通则第五指示灯15亮，否则熄灭。
[0030]面阵全色探测器6上设有第二端口 4和第二指示灯5。其中，第二端口 4用于输入驱控预处理模块3提供给面阵全色探测器6的驱动和调控信号，还用于从面阵全色探测器6向驱控预处理模块3输出阵列化的非饱和光电响应信号，第二指示灯5用于指示面阵全色探测器6是否处在正常的工作状态，面阵全色探测器6处在正常的工作状态则第二指示灯5闪烁,否则熄灭。
[0031]面阵电控双模平面液晶微透镜9上设有第三端口 7和第三指示灯8。其中，第三端口 7用于输入驱控预处理模块3提供给面阵电控双模平面液晶微透镜9的驱动和调控信号，第三指示灯8用于指示面阵电控双模平面液晶微透镜9是否处在正常的工作状态，面阵电控双模平面液晶微透镜9处在正常工作状态则第三指示灯8闪烁，否则熄灭。
[0032]上述第一端口 1、第二端口 4、第三端口 7、第四端口 11、第五端口 12、第一指示灯
2、第二指示灯5、第三指示灯8、第四指示灯10及第五指示灯15均通过陶瓷外壳13的面部开孔裸露出来。
[0033]下面结合图1说明本实用新型实施例的宽照度全色成像探测芯片的工作过程。
[0034]首先用并行信号线将第一端口 I分别连接第二端口 4和第三端口 7，该并行信号线同时作为与外部设备连接的通讯线，以送入开始工作和中止工作指令。用并行数据线连接第四端口 11，电源线连接第五端口 12。通过并行信号线从第一端口 I送入电源开启指令，芯片开始自检，此时第一指示灯2、第二指示灯5、第三指示灯8、第四指示灯10及第五指示灯15接通闪烁，自检通过后，第五指示灯15亮，第一指示灯2、第二指示灯5、第三指示灯8和第四指示灯10熄灭，探测器进入工作状态。通过并行信号线从第一端口 I送入开始工作指令后，探测器开始进行图像数据测量。驱控预处理模块3分别经第二端口 4和第三端口 7向面阵全色探测器6和面阵电控双模平面液晶微透镜9输入驱动和调控信号，面阵全色探测器6由第二端口 4和第一端口 I向驱控预处理模块3输入非饱和光电响应信号,此时第一指示灯2、第二指示灯5和第三指示灯8再次接通闪烁。非饱和光电响应信号经驱控预处理模块3处理后得到的图像数据由第四端口 11输出。
[0035]图2是本实用新型实施例的宽照度全色成像探测芯片的工作原理示意图，为使本领域技术人员更好地理解本实用新型，下面结合图2详细说明本实用新型的宽照度全色成像探测芯片的工作原理。
[0036]如图2 (A)所示，宽照度全色成像探测芯片被置于成像光学系统的焦面处。基于液晶结构的加电状态，目标光波将形成弱光汇聚斑、发散光场或未加电状态下的常规焦斑。
[0037]如图2 (B)所示，面阵电控双模平面液晶微透镜与面阵全色探测器混合集成，构成芯片中的液晶基宽照度全色成像探测架构。液晶器件与全色探测器的组合方式为:每单元电控双模平面液晶微透镜与7X7元子面阵全色探测器对应，也可以根据面阵电控双模平面液晶微透镜和面阵全色探测器的阵列规模和结构尺寸情况，进一步扩展子面阵探测器的阵列规模，该操作等效于进一步增大可响应的入射光波其强度(辐照度)的可变动程度。对单元电控双模平面液晶微透镜而言，通过在液晶结构的层叠式图案化电极中选取特定电极执行加电操作，可通过不同模态下的液晶结构对入射光束进行变换处理，包括光汇聚、光发散或维持光束基于成像光学系统构建的汇聚式空间传输形态等，形成如图所示的典型汇聚光斑或因强光束发散形成的环状强光发散区和相对较暗、较小的中心漏光区等典型形态。
[0038]由幅度不同的电压信号驱控的单元电控双模平面液晶微透镜，将呈现可调控的光汇聚或光发散能力。上述情形可用表面曲率不同的曲面轮廓折射微透镜呈现不同的光汇聚或光发散能力来等效，如图(Cl)所示的等效电控状态-1中，单元电控双模平面液晶微透镜等效为单元凹折射微透镜，如图(C2)所示的等效电控状态-2中，单元电控双模平面液晶微透镜等效为单元凸折射微透镜。[0039]针对如典型的强闪烁、眩目激光或太阳耀斑等强光目标或强辐射场景，通过电控双模平面液晶微透镜的光发散作用，可将强入射光驱赶到与单元电控双模平面液晶微透镜对应的子面阵全色探测器的边缘结构或边缘光敏元上。此时，受强发散光照射的光敏元将呈状态可恢复的饱和光电响应态。强入射光被电控双模平面液晶微透镜定向驱赶后余存的弱漏光，将散布在其它光敏元上。通过提取漏光束的光电响应信号并用于图像构建，将得到强光目标或场景的图像信息。通过调变施加在液晶微透镜上的电压信号，将改变光发散态，即调变强发散光束在子面阵全色探测器上的分布形态，同时也等效调变了漏光束的分布形态和能态。入射光强越大，所形成的漏光斑的结构尺寸和强度相应越大，如图2 (D)所示。
[0040]对液晶结构选择不加电状态则针对常规目标和场景。由于液晶结构对基于成像光学系统构建的汇聚光束其空间分布形态和波束能态的影响极为有限，此时的宽照度全色成像探测芯片将退化为常规全色成像探测芯片，如图2 (E)所示。
[0041]针对如典型的黑暗条件下的弱光目标和场景，通过电控液晶微透镜的光汇聚作用，可将每单元电控双模平面液晶微透镜上的弱入射光束收集到与其对应的子面阵全色探测器的局域光敏元上并被转换成电信号，驱控预处理模块提取这些电信号并用于图像构建，将得到弱光目标与场景的图像信息。入射光强越低，通过电控增强液晶微透镜的光汇聚所形成的汇聚光斑的结构尺寸相应越小，或者说汇聚光斑所覆盖的子面阵探测器上的光敏元数量将越少，极端情形是极弱入射光被压缩到了单个光敏元上。上述操作的核心是在不改变热噪声这一前提下，通过提高光能集中度来增大信噪比，增强成像探测效能，如图2(F)所示。
[0042]基于液晶微透镜的电控模式切换与电调焦特性，一方面可以根据目标及背景情况，受控增大或减小用于光电转换的光辐照强度。另一方面，可使因突发的环境或对抗性因素诱发的光强度剧烈变动对成像探测的影响得到可视性的快速响应，从而提高获取电子目标图像信息的准确性和适应能力。
[0043]本领域的技术人员容易理解，以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种宽照度全色成像探测芯片，其特征在于，包括面阵电控双模平面液晶微透镜、面阵全色探测器和驱控预处理模块；其中， 所述面阵全色探测器被划分成多个阵列分布的子面阵全色探测器，每个子面阵全色探测器包括数量和排布方式相同的多个阵列分布的光敏兀； 所述面阵电控双模平面液晶微透镜与所述面阵全色探测器匹配耦合，包括多个阵列分布的单元电控双模平面液晶微透镜，每单元电控双模平面液晶微透镜与一个子面阵全色探测器对应； 所述面阵电控双模平面液晶微透镜基于入射光的强度，对其进行定向汇聚、发散或维持光束的空间传输形态，从而在各子面阵全色探测器上形成小尺寸汇聚光斑、具有相对较暗的中心漏光场的大尺寸亮环或基于成像光学系统构建的汇聚光束所形成的聚焦斑； 所述面阵全色探测器执行从光到电的光电转换操作，得到光电响应信号； 所述驱控预处理模块提取所述面阵全色探测器上的光敏元的非饱和光电响应信号，并进行量化和非均匀性校正，得到目标图像数据。
2.如权利要求1所述的宽照度全色成像探测芯片，其特征在于，所述面阵电控双模平面液晶微透镜与所述面阵全色探测器均为mXn元，其中，m、n均为大于I的整数。
3.如权利要求1所述的宽照度全色成像探测芯片，其特征在于，所述子面阵全色探测器为PXq元，其中，p、q均为大于I的整数。
4.如权利要求1至3中任一项所述的宽照度全色成像探测芯片，其特征在于，所述驱控预处理模块采用SoC与FPGA结合的结构。
5.如权利要求1所述的宽照度全色成像探测芯片，其特征在于，所述驱控预处理模块还用于为所述面阵电控双模平面液晶微透镜和所述面阵全色探测器提供驱动和调控信号，驱动所述面阵电控双模平面液晶微透镜和所述面阵全色探测器工作，并对施加在所述面阵电控双模平面液晶微透镜上的电压信号进行调控。
6.如权利要求1所述的宽照度全色成像探测芯片，其特征在于，还包括陶瓷外壳和金属支撑散热板；其中， 所述陶瓷外壳位于所述金属支撑散热板的上方，所述金属支撑散热板与所述陶瓷外壳固联，用于支撑各功能结构和散热，所述驱控预处理模块、所述面阵全色探测器和所述面阵电控双模平面液晶微透镜同轴顺序置于所述陶瓷外壳内，其中，所述面阵全色探测器位于所述驱控预处理模块的上方，所述面阵电控双模平面液晶微透镜位于所述面阵全色探测器的上方且其光入射面通过所述陶瓷外壳的面部开孔裸露出来。
7.如权利要求6所述的宽照度全色成像探测芯片，其特征在于，所述驱控预处理模块上设有第一端口和第一指示灯，所述面阵全色探测器上设有第二端口和第二指示灯，所述面阵电控双模平面液晶微透镜上设有第三端口和第三指示灯； 所述第一端口用于从所述驱控预处理模块向所述面阵全色探测器和所述面阵电控双模平面液晶微透镜输出驱动和调控信号，还用于接收所述面阵全色探测器向所述驱控预处理模块输出的阵列化的非饱和光电响应信号，还用于接收外部设备向探测器输入的工作指令，所述第一指示灯用于指示所述驱控预处理模块是否处在正常的工作状态；所述第二端口用于输入所述驱控预处理模块提供给所述面阵全色探测器的驱动和调控信号，还用于从所述面阵全色探测器向所述驱控预处理模块输出阵列化的非饱和光电响应信号，所述第二指示灯用于指示所述面阵全色探测器是否处在正常的工作状态； 所述第三端口用于输入所述驱控预处理模块提供给所述面阵电控双模平面液晶微透镜的驱动和调控信号，所述第三指示灯用于指示所述面阵电控双模平面液晶微透镜是否处在正常的工作状态。
8.如权利要求7所述的宽照度全色成像探测芯片，其特征在于，所述驱控预处理模块上设有第四端口和第四指示灯，所述第四端口用于将所述目标图像数据从所述驱控预处理模块输出，所述第四指示灯用于指示所述驱控预处理模块是否处在正常的图像数据输出状态。
9.如权利要求8所述的宽照度全色成像探测芯片，其特征在于，所述驱控预处理模块上设有第五端口和第五指示灯，所述第五端口用于接入电源线以连接外部电源，所述第五指示灯用于指示电源 是否接通。
【文档编号】G01J1/42GK203479394SQ201320585052
【公开日】2014年3月12日 申请日期:2013年9月22日 优先权日:2013年9月22日
【发明者】张新宇, 康胜武, 佟庆, 罗俊, 张静, 赵慧, 桑红石, 谢长生 申请人:华中科技大学