电信号的生成装置制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种电信号的生成装置，包括接地屏蔽层、主绝缘层、辅助绝缘层、半导体、用于与信号源连接的第一主导体和第二主导体以及用于连接所述第一主导体和所述第二主导体的中间接头，所述中间接头包裹于所述第一主导体与所述第二主导体的对接处，所述半导体包裹于所述中间接头外表面，所述辅助绝缘层包裹于所述半导体外表面，所述主绝缘层包裹于所述辅助绝缘层外表面，所述接地屏蔽层包裹于所述主绝缘层的外表面，在所述中间接头与所述辅助绝缘层之间设有空隙。实施本实用新型，可实施本实用新型，通过设置在所述中间接头与所述辅助绝缘层之间的空隙，产生局部放电，生成局部放电信号。
【专利说明】电信号的生成装置
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电力【技术领域】，特别是涉及一种电信号的生成装置。
【背景技术】
[0002]目前在输电线路中，均需保证信号生成装置和传输线路在无缺陷的情况下进行电信号的产生和传输，以维持用电设备的正常运行。
[0003]但是，在实际的应用过程中，信号生成装置和传输线路的缺陷，会导致用电设备无法正常运行，造成巨大的工程损失。
实用新型内容
[0004]基于此，有必要针对上述在输电线路中信号生成装置和传输线路的缺陷，会导致用电设备无法正常运行的问题，提供一种电信号的生成装置。
[0005]一种电信号的生成装置，包括接地屏蔽层、主绝缘层、辅助绝缘层、半导体、用于与信号源连接的第一主导体和第二主导体以及用于连接所述第一主导体和所述第二主导体的中间接头，所述中间接头包裹于所述第一主导体与所述第二主导体的对接处，所述半导体包裹于所述中间接头外表面，所述辅助绝缘层包裹于所述半导体外表面，所述主绝缘层包裹于所述辅助绝缘层外表面，所述接地屏蔽层包裹于所述主绝缘层的外表面，在所述中间接头与所述辅助绝缘层之间设有空隙。
[0006]上述电信号的生成装置，通过设置在所述中间接头与所述辅助绝缘层之间的空隙，产生局部放电，生成局部放电信号，该种局部放电信号通过后续的特征分析与诊断研究，有助于检测该种设备缺陷、及时发现用电设备问题，有利于降低工程损失。
【专利附图】
【附图说明】
[0007]图1是本实用新型电信号的生成装置的纵向剖面图；
[0008]图2是本实用新型电信号的生成装置的横向断面图。
【具体实施方式】
[0009]请参阅图1和图2，图1和图2分别是本实用新型电信号的生成装置的纵向剖面图和横向断面图。
[0010]本实用新型的所述电力设备的诊断系统包括接地屏蔽层700、主绝缘层600、辅助绝缘层500、半导体400、用于与信号源连接的第一主导体210和第二主导体220以及用于连接第一主导体210和第二主导体220的中间接头300，中间接头300包裹于第一主导体210与第二主导体220的对接处，半导体400包裹于中间接头300外表面，辅助绝缘层500包裹于半导体400外表面，主绝缘层600包裹于辅助绝缘层500外表面，接地屏蔽层700包裹于主绝缘层600的外表面，在中间接头300与辅助绝缘层500之间设有空隙100。
[0011]本实用新型所述电信号的生成装置，通过设置在所述中间接头与所述辅助绝缘层之间的空隙，产生局部放电，生成局部放电信号，该种局部放电信号通过后续的特征分析与诊断研究，有助于检测该种设备缺陷、及时发现用电设备问题，有利于降低工程损失。
[0012]其中，对于中间接头300，可焊接于第一主导体210与第二主导体220的对接处的外表面。也可螺纹连接于第一主导体210与第二主导体220的对接处。
[0013]优选地，中间接头300为金属连接件，可采用不锈钢等导电金属材料。
[0014]对于第一主导体210和第二主导体220，优选地为铜导体或铝导体等金属导体。第一主导体210和第二主导体200的形状优选为圆柱状，接地屏蔽层700、主绝缘层600、辅助绝缘层500、半导体400、中间接头300的纵向长度可依次减小，接地屏蔽层700的纵向长度等于第一主导体210和第二主导体的总长度。
[0015]在一个实施例中，接地屏蔽层700、主绝缘层600、辅助绝缘层500、半导体400、中间接头300的纵向长度可相等。
[0016]对于半导体400,优选地可米用半导电材料。
[0017]对于空隙100，优选地为半导体400与中间接头300间的空间，还可为半导体400与辅助绝缘层500间的空间。空隙100的形成是主要由于半导体400或辅助绝缘层500绕包不紧密导致。
[0018]在一个实施例中，空隙100优选地位于中间接头300 —端的弯角处(如图1所示)，也可以位于中间接头300与辅助绝缘层500之间任意其他空间处。空隙100的个数可以为两个以上。
[0019]本实用新型电信号的生成装置的具体使用过程中，通过外部试验平台，将接地屏蔽层700接地，将高电压施加于第一主导体210上，在空隙100处，由于电场集中、承受电压高，能够产生局部放电信号，该局部放电信号可通过外部检测仪器进行检测分析。
[0020]以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【权利要求】
1.一种电信号的生成装置，其特征在于，包括接地屏蔽层、主绝缘层、辅助绝缘层、半导体、用于与信号源连接的第一主导体和第二主导体以及用于连接所述第一主导体和所述第二主导体的中间接头，所述中间接头包裹于所述第一主导体与所述第二主导体的对接处，所述半导体包裹于所述中间接头外表面，所述辅助绝缘层包裹于所述半导体外表面，所述主绝缘层包裹于所述辅助绝缘层外表面，所述接地屏蔽层包裹于所述主绝缘层的外表面，在所述中间接头与所述辅助绝缘层之间设有空隙。
2.根据权利要求1所述的电信号的生成装置，其特征在于，所述中间接头焊接于所述第一主导体与所述第二主导体的对接处的外表面。
3.根据权利要求1所述的电信号的生成装置，其特征在于，所述中间接头螺纹连接于所述第一主导体与所述第二主导体的对接处。
4.根据权利要求1所述的电信号的生成装置，其特征在于，所述第一主导体为铜导体或铝导体。
5.根据权利要求1所述的电信号的生成装置，其特征在于，所述中间接头为金属连接件。
6.根据权利要求1所述的电信号的生成装置，其特征在于，所述空隙为所述半导体与所述中间接头间的空间。
7.根据权利要求1所述的电信号的生成装置，其特征在于，所述空隙为所述半导体与所述辅助绝缘层间的空间。
8.根据权利要求1至7中任意一项所述的电信号的生成装置，其特征在于，所述空隙位于所述中间接头一端的弯角处。
【文档编号】G01R31/12GK203561658SQ201320653390
【公开日】2014年4月23日 申请日期:2013年10月22日 优先权日:2013年10月22日
【发明者】苏海博, 王劲, 顾乐, 黄慧红, 陈俊 申请人:广州供电局有限公司