一种单个测试芯片实现多个IP芯片测试的方法与流程

文档序号:11772028阅读:855来源:国知局
一种单个测试芯片实现多个IP芯片测试的方法与流程

本发明涉及半导体集成电路测试领域,且特别涉及一种单个测试芯片实现多个ip芯片测试的方法。



背景技术:

随着集成电路的技术不断地提升,最小的设计尺寸也在不断降低,单位面积芯片上的器件数量也越来越多。因此在集成电路设计开发阶段,设计者经常采用多项目晶圆(multiprojectwafer,简称mpw),就是将多个具有相同工艺的集成电路设计放在同一圆片上流片,流片后,每个设计品种可以得到数十片芯片样品,这一数量对于设计开发阶段的实验、测试已经足够。同时实验费用由所有参加mpw的项目按面积分担流片费用,以降低开发成本和新产品开发风险,降低中小集成电路设计企业在起步时的门槛,降低单次实验流片造成的资源严重浪费。

现有ip评价由于为了节省设计成本,往往会固化mpw中测试芯片的面积与pad坐标以及以此对应的探针卡。但是由于ip种类较多、产品迭代次数较多,因此往往需要在一个测试芯片中放入两个或多个ip,节省流片与评价成本。因此需要找到一种测试方法,利用单个测试芯片实现多个ip测试。



技术实现要素:

本发明提出一种单个测试芯片实现多个ip芯片测试的方法,节省ip芯片评价中流片与评价成本、以及mpw生产中的面积以及探针卡成本。

为了达到上述目的,本发明提出一种单个测试芯片实现多个ip芯片测试的方法,包括下列步骤:

根据mpw中位置固定测试芯片的面积与各个管脚的坐标;

将测试芯片各个管脚连接不同的被测ip芯片;

按照预设的顺序对指定的ip芯片进行测试评价;

当完成一个ip芯片测试评价后,对当前ip芯片连接的管脚进行断开连接;

按照预设的顺序对下一个指定的ip芯片进行测试评价。

进一步的,所述ip芯片和各个管脚之间通过电编程熔丝进行连接。

进一步的,所述管脚断开连接步骤为当完成一个ip芯片测试评价后,对当前ip芯片连接的电编程熔丝进行烧写操作。

进一步的,所述烧写操作为通过esd泄放保护电路,在电源上置低电平,在ip芯片输入通道上设置高电平,对电编程熔丝烧断连接。

进一步的,该方法将需要测试评价的第二个及之后的ip芯片的电源与地之间用电编程熔丝进行连接。

进一步的,对第二个及之后的ip芯片进行测试评价时,当前ip芯片的电源上加高压,电源与地之间的电编程熔丝被烧断,当前ip芯片被激活开始测试评价。

进一步的,按照预设的顺序对指定的ip芯片进行测试评价时,其他ip芯片的电源接0电平。

本发明提出的单个测试芯片实现多个ip芯片测试的方法,对多个ip芯片可以只用一个固定的测试芯片框架,因此只需一个指定的探针卡即可,充分利用了测试芯片中的面积,在一个测试芯片中放入多个被测ip芯片,不同的ip芯片可公用多个io端口,且互相没有干扰。本发明能够节省ip芯片评价中流片与评价成本、以及mpw生产中的面积以及探针卡成本。

附图说明

图1所示为本发明较佳实施例的单个测试芯片实现多个ip芯片测试的方法流程图。

图2所示为本发明较佳实施例的测试芯片结构实现2个ip芯片测试的示意图。

图3所示为本发明较佳实施例的测试通道与ip芯片连接关系示意图。

具体实施方式

以下结合附图给出本发明的具体实施方式,但本发明不限于以下的实施方式。根据下面说明和权利要求书,本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是,附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率,仅用于方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

请参考图1,图1所示为本发明较佳实施例的单个测试芯片实现多个ip芯片测试的方法流程图。本发明提出一种单个测试芯片实现多个ip芯片测试的方法,包括下列步骤:

步骤s100:根据mpw中位置固定测试芯片的面积与各个管脚的坐标;

步骤s200:将测试芯片各个管脚连接不同的被测ip芯片;

步骤s300:按照预设的顺序对指定的ip芯片进行测试评价;

步骤s400:当完成一个ip芯片测试评价后,对当前ip芯片连接的管脚进行断开连接;

步骤s500:按照预设的顺序对下一个指定的ip芯片进行测试评价。

再请参考图2,图2所示为本发明较佳实施例的测试芯片结构实现2个ip芯片测试的示意图。图2显示了了一个测试芯片中放置两个ip芯片,而且不同的ip芯片公用相同的探针pad。

根据本发明较佳实施例,所述ip芯片和各个管脚之间通过电编程熔丝进行连接。efuse与更旧的激光熔断技术相比,电子迁移(em)特性可以用来生成小得多的熔丝结构。em熔丝可以在芯片上编程,不论是在晶圆探测阶段还是在封装中。采用i/o电路的片上电压(通常为2.5v),一个持续200微秒的10毫安直流脉冲就足以编程单根熔丝。

所述管脚断开连接步骤为当完成一个ip芯片测试评价后,对当前ip芯片连接的电编程熔丝进行烧写操作。进一步的,所述烧写操作为通过esd泄放保护电路,在电源上置低电平,在ip芯片输入通道上设置高电平,对电编程熔丝烧断连接。

该方法将需要测试评价的第二个及之后的ip芯片的电源与地之间用电编程熔丝进行连接。对第二个及之后的ip芯片进行测试评价时,当前ip芯片的电源上加高压,电源与地之间的电编程熔丝被烧断,当前ip芯片被激活开始测试评价。按照预设的顺序对指定的ip芯片进行测试评价时,其他ip芯片的电源接0电平。

请参考图3,图3所示为本发明较佳实施例的测试通道与ip芯片连接关系示意图。图3显示了一个测试通道与两个ip芯片公用的连接图,先对ip1进行测试,完成ip1测试后在ip1vdd上加0v,测试通道加高压,ip2vdd和ip2gndopen,第一电编程熔丝100熔断,然后即可对ip2进行测试操作。

综上所述,本发明提出的单个测试芯片实现多个ip芯片测试的方法,对多个ip芯片可以只用一个固定的测试芯片框架,因此只需一个指定的探针卡即可,充分利用了测试芯片中的面积,在一个测试芯片中放入多个被测ip芯片,不同的ip芯片可公用多个io端口,且互相没有干扰。本发明能够节省ip芯片评价中流片与评价成本、以及mpw生产中的面积以及探针卡成本。

虽然本发明已以较佳实施例揭露如上,然其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域中具有通常知识者,在不脱离本发明的精神和范围内,当可作各种的更动与润饰。因此,本发明的保护范围当视权利要求书所界定者为准。



技术特征:

技术总结
本发明提出一种单个测试芯片实现多个IP芯片测试的方法,包括下列步骤:根据MPW中位置固定测试芯片的面积与各个管脚的坐标;将测试芯片各个管脚连接不同的被测IP芯片;按照预设的顺序对指定的IP芯片进行测试评价;当完成一个IP芯片测试评价后,对当前IP芯片连接的管脚进行断开连接;按照预设的顺序对下一个指定的IP芯片进行测试评价。本发明提出一种单个测试芯片实现多个IP芯片测试的方法,节省IP芯片评价中流片与评价成本、以及MPW生产中的面积以及探针卡成本。

技术研发人员:武建宏
受保护的技术使用者:上海华力微电子有限公司
技术研发日:2017.07.31
技术公布日:2017.10.20
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