技术总结
本发明公开了一种薄膜压力传感器芯片及制造方法，制造方法包括准备弹性体材料；分割弹性体材料；将弹性体退火处理；研磨抛光；在原子薄膜沉积系统中沉积原子级的过渡层、绝缘层、薄膜电阻层、接触层后光刻形成应变电阻和补偿电阻；将光刻好的弹性体材料进行退火处理；切割分离成敏感单元；引出信号线；涂敷保护层，烘干形成薄膜压力传感器芯片。由于弹性体材料采用了大面积整块材料，更容易进行研磨抛光，提高了研磨抛光生产效率。将大块弹性体材料进行镀膜，然后进行一次性光刻，大大提高镀膜与光刻生产效率，降低了产品成本。另外，大块弹性体材料可以是很薄的薄片，通过镀膜光刻后形成的产品，量程范围可以很小，实现小量程压力的测量。
技术研发人员：雷卫武
受保护的技术使用者：北京中航兴盛测控技术有限公司
技术研发日：2017.12.22
技术公布日：2018.06.08