半导体设备运行状态监测装置的制作方法

文档序号:26740655发布日期:2021-09-22 22:49阅读:39来源:国知局
半导体设备运行状态监测装置的制作方法

1.本实用新型涉及机械技术领域,具体为半导体设备运行状态监测装置。


背景技术:

2.半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用,如二极管就是采用半导体制作的器件。无论从科技或是经济发展的角度来看,半导体的重要性都是非常巨大的。大部分的电子产品,如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关联。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等,硅是各种半导体材料应用中最具有影响力,新型半导体材料在工业方面的应用越来越多。新型半导体材料表现为其结构稳定,拥有卓越的电学特性,而且成本低廉,可被用于制造现代电子设备中广泛使用,我国与其他国家相比在这方面还有着很大一部分的差距,通常会表现在对一些基本仪器的制作和加工上,近几年来,国家很多的部门已经针对我国相对于其他国家存在的弱势,这一方面统一的组织了各个方面的群体,对其进行有效的领导,然后共同努力去研制更加高水平的半导体材料。这样才能够在很大程度上适应我国工业化的进步和发展,为我国社会进步提供更强大的动力,可是普通的半导体设备在进行检测时,其运行状态监测不方便,因此我们提出了一种半导体设备运行状态监测装置。


技术实现要素:

3.针对现有技术的不足,本实用新型提供了半导体设备运行状态监测装置,能够方便检测半导体设备的运行状态,并且滚珠和限位滑槽能够使得限位杆的上下运动更加流畅,解决了现有的运行状态监测装置在运行时,其运行状态监测不方便的问题。
4.本实用新型提供如下技术方案:半导体设备运行状态监测装置,包括监测装置壳体,所述监测装置壳体的内腔右侧上下侧开有缓冲腔,所述缓冲腔的相对侧中部均活动插接有限位杆,所述限位杆的相对端固定连接有挡块,所述限位杆的外侧中部固定连接有限位环,所述限位杆的外侧与缓冲腔的侧壁插接处镶嵌有滚珠,所述滚珠的外侧活动插接在缓冲腔的侧壁限位滑槽,所述限位杆的的相反端均固定连接有第一触头,所述限位杆的外侧后侧活动插接在稳定杆的中部插接孔内部,所述限位杆的外侧在限位环和稳定杆之间的外侧套接有弹簧,所述缓冲腔的内腔相反侧均固定连接有第二触头。
5.优选的,所述限位杆的外侧壁光滑,所述限位杆为绝缘杆。
6.优选的,所述第一触头和相应的第二触头上下相对设置。
7.优选的,所述限位滑槽的内侧壁和滚珠的外侧壁光滑。
8.优选的,所述稳定杆的外侧固定连接在缓冲腔的内侧壁。
9.优选的,所述滚珠至少设有八个,所述滚珠呈环形阵列镶嵌在各个限位杆的外侧。
10.与现有技术对比,本实用新型具备以下有益效果:
11.该半导体设备运行状态监测装置,通过设备的整体结构,挡块之间放置半导体设
备运行装置的转动的扳动开关,在开关正常打开和关闭时,能够方便的挤压相应的挡块,进而使得上部和下部的触头相互接触,从而方便检测半导体设备的运行状态,并且滚珠和限位滑槽能够使得限位杆的上下运动更加流畅。
附图说明
12.图1为本实用新型剖视图;
13.图2为本实用新型m处放大图;
14.图3为本实用新型限位杆剖视图。
15.图中:1、监测装置壳体;2、缓冲腔;3、限位杆;4、挡块;5、限位环;6、第一触头;7、稳定杆;8、弹簧;9、第二触头;10、限位滑槽;11、滚珠。
具体实施方式
16.下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
17.请参阅图1

3,本实用新型公开了半导体设备运行状态监测装置,包括监测装置壳体1,所述监测装置壳体1的内腔右侧上下侧开有缓冲腔2,所述缓冲腔2的相对侧中部均活动插接有限位杆3,所述限位杆3的外侧壁光滑,所述限位杆3为绝缘杆。所述限位杆3的相对端固定连接有挡块4,挡块4之间放置半导体设备运行装置的转动的扳动开关,在开关正常打开时,会挤压想不的挡块4,从而能够挤压限位杆3向上运动,从而使得上部的第一触头6和第二触头9相互接触,进而能够接通上部的检测电路,当开关闭合时,能够挤压下部的挡块4,从而能够挤压下部的限位杆3,进而能够使得下部的第一触头6和第二触头9,进而能够接通下部的检测电路,并且通过弹簧8的结构,能够在挡块4不受力时,能够使得限位杆3回到原来的位置,使得对应的第一触头6和第二触头9相互分离,所述限位杆3的外侧中部固定连接有限位环5,所述限位杆3的外侧与缓冲腔2的侧壁插接处镶嵌有滚珠11,滚珠11和限位滑槽10能够使得限位杆3的上下运动更加流畅,所述滚珠11至少设有八个,所述滚珠11呈环形阵列镶嵌在各个限位杆3的外侧。所述滚珠11的外侧活动插接在缓冲腔2的侧壁限位滑槽10,所述限位滑槽10的内侧壁和滚珠11的外侧壁光滑。所述限位杆3的的相反端均固定连接有第一触头6,所述限位杆3的外侧后侧活动插接在稳定杆7的中部插接孔内部,稳定杆7能够使得限位杆3的上下运动更加稳定,所述稳定杆7的外侧固定连接在缓冲腔2的内侧壁。所述限位杆3的外侧在限位环5和稳定杆7之间的外侧套接有弹簧8,所述缓冲腔2的内腔相反侧均固定连接有第二触头9,第一触头6和第二触头9均采用市场上现有的触头,所述第一触头6和相应的第二触头9上下相对设置。
18.工作时,挡块4之间放置半导体设备运行装置的转动的扳动开关,在开关正常打开时,会挤压想不的挡块4,从而能够挤压限位杆3向上运动,从而使得上部的第一触头6和第二触头9相互接触,进而能够接通上部的检测电路,当开关闭合时,能够挤压下部的挡块4,从而能够挤压下部的限位杆3,进而能够使得下部的第一触头6和第二触头9,进而能够接通下部的检测电路,并且通过弹簧8的结构,能够在挡块4不受力时,能够使得限位杆3回到原
来的位置,使得对应的第一触头6和第二触头9相互分离,所述限位杆3的外侧中部固定连接有限位环5,所述限位杆3的外侧与缓冲腔2的侧壁插接处镶嵌有滚珠11,滚珠11和限位滑槽10能够使得限位杆3的上下运动更加流畅。
19.尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。


技术特征:
1.半导体设备运行状态监测装置,包括监测装置壳体(1),其特征在于:所述监测装置壳体(1)的内腔右侧上下侧开有缓冲腔(2),所述缓冲腔(2)的相对侧中部均活动插接有限位杆(3),所述限位杆(3)的相对端固定连接有挡块(4),所述限位杆(3)的外侧中部固定连接有限位环(5),所述限位杆(3)的外侧与缓冲腔(2)的侧壁插接处镶嵌有滚珠(11),所述滚珠(11)的外侧活动插接在缓冲腔(2)的侧壁限位滑槽(10),所述限位杆(3)的相反端均固定连接有第一触头(6),所述限位杆(3)的外侧后侧活动插接在稳定杆(7)的中部插接孔内部,所述限位杆(3)的外侧在限位环(5)和稳定杆(7)之间的外侧套接有弹簧(8),所述缓冲腔(2)的内腔相反侧均固定连接有第二触头(9)。2.根据权利要求1所述的半导体设备运行状态监测装置,其特征在于:所述限位杆(3)的外侧壁光滑,所述限位杆(3)为绝缘杆。3.根据权利要求1所述的半导体设备运行状态监测装置,其特征在于:所述第一触头(6)和相应的第二触头(9)上下相对设置。4.根据权利要求1所述的半导体设备运行状态监测装置,其特征在于:所述限位滑槽(10)的内侧壁和滚珠(11)的外侧壁光滑。5.根据权利要求1所述的半导体设备运行状态监测装置,其特征在于:所述稳定杆(7)的外侧固定连接在缓冲腔(2)的内侧壁。6.根据权利要求1所述的半导体设备运行状态监测装置,其特征在于:所述滚珠(11)至少设有八个,所述滚珠(11)呈环形阵列镶嵌在各个限位杆(3)的外侧。

技术总结
本实用新型涉及机械技术领域,且公开了半导体设备运行状态监测装置,包括监测装置壳体,所述监测装置壳体的内腔右侧上下侧开有缓冲腔,所述缓冲腔的相对侧中部均活动插接有限位杆,所述限位杆的相对端固定连接有挡块,所述限位杆的外侧中部固定连接有限位环,所述限位杆的外侧与缓冲腔的侧壁插接处镶嵌有滚珠,所述滚珠的外侧活动插接在缓冲腔的侧壁限位滑槽,所述限位杆的的相反端均固定连接有第一触头,所述限位杆的外侧后侧活动插接在稳定杆的中部插接孔内部。该半导体设备运行状态监测装置,通过设备的整体结构,能方便检测半导体设备的运行状态,并且滚珠和限位滑槽能够使得限位杆的上下运动更加流畅。限位杆的上下运动更加流畅。限位杆的上下运动更加流畅。


技术研发人员:王迪杏 蒋伟 王宁 张阳 秦文兵 王金裕 苗全 盛路阳 王伟 顾育琪
受保护的技术使用者:无锡迪渊特科技有限公司
技术研发日:2021.01.22
技术公布日:2021/9/21
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