本技术涉及模具，尤其涉及半导体靶材检测装置。
背景技术：
1、半导体靶材(semiconductor target)是用于制备半导体薄膜的基础材料。在薄膜制备过程中，通常使用物理气相沉积(pvd)或化学气相沉积(cvd)等技术，将半导体靶材置于真空室中，通过激光或电子束等方法对其进行轰击，从而使靶材表面的原子或分子脱离，并在衬底上形成薄膜。
2、半导体靶材通常是高纯度的单晶或多晶材料，例如硅、镓、铜铟镓硒等。靶材的制备要求材料纯度高、晶体结构好、均匀度高等特点，因为这些因素直接影响到薄膜的质量和性能。因此，半导体靶材的制备和表征技术也是半导体工业的重要组成部分之一。在现有技术中，由于产品的局部位置空间过于狭小，导致常规的尺寸检测工具无法进行测量。
3、因此亟需半导体靶材检测装置以解决上述问题。
技术实现思路
1、本实用新型的目的在于提供一种半导体靶材检测装置，能够降低劳动强度，解决普通检测工具无法检测半导体靶材的问题。
2、为达此目的，本实用新型采用了以下方案：
3、半导体靶材检测装置，包括第一检具和第二检具，该第一检具和该第二检具均为柱状体，该第一检具和该第二检具的侧缘底部间隔设置有突出条，该第一检具的直径小于待测产品的直径，该第二检具的直径大于该待测产品的直径。
4、示例性地，该第一检具和该第二检具的顶面均设置有手柄。
5、示例性地，该第一检具为不锈钢检具。
6、示例性地，该第二检具为不锈钢检具。
7、示例性地，该第一检具为经过热处理的检具。
8、示例性地，该第二检具为经过热处理的检具。
9、示例性地，该第一检具的表面为经过抛光处理的表面。
10、示例性地，该第二检具的表面为经过抛光处理的表面。
11、示例性地，该第一检具和该第二检具的该突出条均为均匀间隔分布。
12、示例性地，该第一检具的直径为99.9mm，该第二检具的直径为100.1mm。
13、本实用新型的有益效果为：
14、本实用新型提供的半导体靶材检测装置中，在使用该装置进行半导体靶材检测时，首先使用第二检具进行待测产品内径的检测，如果第二检具不能够插入待测产品，但在第一检具测试中能够放进去，则判定被测产品合格，因此可以有效地检测到被测产品的尺寸是否符合规定标准。通过使用该装置进行半导体靶材检测，能够快速、准确地判断待测产品是否合格，有效地提高了检测准确性和生产效率。
1.半导体靶材检测装置，其特征在于，包括第一检具(100)和第二检具(200)，所述第一检具(100)和所述第二检具(200)均为柱状体，所述第一检具(100)和所述第二检具(200)的侧缘底部间隔设置有突出条(300)，所述第一检具(100)的直径小于待测产品的直径，所述第二检具(200)的直径大于所述待测产品的直径。
2.根据权利要求1所述的半导体靶材检测装置，其特征在于，所述第一检具(100)和所述第二检具(200)的顶面均设置有手柄。
3.根据权利要求1所述的半导体靶材检测装置，其特征在于，所述第一检具(100)为不锈钢检具。
4.根据权利要求1所述的半导体靶材检测装置，其特征在于，所述第二检具(200)为不锈钢检具。
5.根据权利要求1所述的半导体靶材检测装置，其特征在于，所述第一检具(100)为经过热处理的检具。
6.根据权利要求1所述的半导体靶材检测装置，其特征在于，所述第二检具(200)为经过热处理的检具。
7.根据权利要求1所述的半导体靶材检测装置，其特征在于，所述第一检具(100)的表面为经过抛光处理的表面。
8.根据权利要求1所述的半导体靶材检测装置，其特征在于，所述第二检具(200)的表面为经过抛光处理的表面。
9.根据权利要求1-8任一项所述的半导体靶材检测装置，其特征在于，所述第一检具(100)和所述第二检具(200)的所述突出条(300)均为均匀间隔分布。
10.根据权利要求9所述的半导体靶材检测装置，其特征在于，所述第一检具(100)的直径为99.9mm，所述第二检具(200)的直径为100.1mm。