晶体管综合参数测试仪的制作方法

文档序号:6132290阅读:778来源:国知局
专利名称:晶体管综合参数测试仪的制作方法
技术领域
本实用新型属于晶体管参数的测量仪表类。
目前,检测晶体管参数的图示仪及各类综合参数测试仪,价格昂贵,不便普及;而最简单的办法之一的万用表,只能在hFE档测量,粗略测量某些参数,而且测量精度较低;办法之二的晶体管综合参数测试仪,例如,70年代生产的HQIA型测试仪,像击穿电压的测试采用交流法,通过示波器观察其反向伏安特性配合峰值电压表指示来测量,手续繁锁;80年代生产的TD-2型多用测试仪,只用一个波段开关表示测量范围,测量参数少,不能测三端稳压器。
本实用新型目的在于开发一种成本低,测量方便,便于大众普及的晶体管综合参数测试仪。
本实用新型目的是这样实现的一种晶体管综合参数测试仪,其特征在于在其面板上增加了直接标出晶体管各种参数和标出三端稳压器各种参数的5刀11掷位波段开关K1,并且开关K1的各刀及各掷位点分别连接着表示所测各种参数的配合使用的其他选择开关和被测晶体管及三端稳压器的管脚插座;所述其他开关有电压、电流量程k2,正反向特性选择k3,双极晶体管类型选择K4,二、三极管类型选择K5,电流范围选择k6、k7,击穿电压BV定义电流选择k8,饱和电压定义电流选择K9,BV选择K10,放大倍数倍率开关K11。
结合图例,进一步说明本实用新型内容

图1本实用新型立体外形图图2本实用新型电原理图图3图2整理后的对应图图中标识符如下K1晶体管参数选择,5刀11掷位波段开关K2电压、电流量程,6刀11掷位波段开关K3二极管正反向特性选择,琴键开关K4双极晶体管类型选择,双3刀2位拨动开关K5二、三极管类型选择,双3刀2位拨动开关
K6电流范围选择,5刀2位拨动开关K7电流范围选择,2位乒乓开关K8击穿电压BV定义电流选择,2刀3位拨动开关K9饱和电压定义电流选择,2刀4位拨动开关K10BV选择,按钮开关K11放大倍数倍率开关,按钮开关图1是本实新型立体外形图。该仪器长宽高尺寸约为28×19×12Cm,重量为7市斤。可测量二极管、双极三极管、三端稳压器的各种参数,参数有放大特性(hFE、VBE)、晶体管极限参数(BVEBO、BVCBO、BVCEO)、晶体管直流特性(截止状态)(lCEO、lCBO、lEBO、lCER)及晶体管开关特性(饱和状态)(VCES、VBES)。在面板标出的测量数据如下位于面板最右侧是晶体管参数选择开关K1,参数有hFE、VBE、BVEBO、BVCBO、BVCEO、lCEO、lCBO、lEBO、lCER、VCES、VBES各档。在BVCBO档时,还表示三端稳压器测量。
位于面板中间是电流、电压量程选择开关K2,电流测量范围有2.5、10、25、100、250、1000、2000、5000mA;电压测量范围为两种含义,当K1指向BV击穿电压时,表示测量电压范围有2000v、250v、50v;当K1指向直流电流1时,表示测量电压范围有0,500v、100v。
位于面板最左侧微安表头,表示各类参数具体数值。BV击穿电压,μA反向漏电,VCES,VBES为CE结及BE结的饱和电压,hFE为放大倍数。
位于波段开关K1、K2之间是被测二极管、三极管选择的拨动开关K5,左拨为二极管或78(三端正稳压器),右拨为三极管或79(三端负稳压器)。k5选择三极管还是79(或78),这由K3的“稳”字键控制。
位于面板最上面一行的方形琴健开关K3,由左至右分别表示“稳”是稳压器,“lR”反向偏置电流,“VF”正向偏置电压,“VB”击穿电压。当按下稳压器“稳”字键时,表示被测管是三端正稳压器78或三端负稳压器79,当不按下其他键时,均表示K1指示档的内容。
位于面板最上面一行的园形按钮开关是K10或K11(分别位于琴键开关K3两侧)。左侧表示的是击穿电压BV,右侧表示的是放大倍数hFE的倍率。当按下BV时,K1指向击穿电压;当按下放大倍数hFE×5时,K1指向hFE,此时,从表头A读出的放大倍数hFE超出量程100后需要再乘以5。
位于面板最下面一行有拨动开关K6、K4、K8、K9和乒乓开关K7。分述如下
位于表头A下面的是电流范围选择K6,它们分别有5μA、50μA和5mA三档。当右拨时为50μA和5mA选择,靠乒乓开关K7控制;右拨K7,表示K6选择5mA。
位于表头A下面的是另一个表示双极晶体管类型及78、79选择开关K4。左拨表示NPN管或78(三端正稳压器),右拨表示PNP管或79(三端负稳压器)。并由“稳”字键和K5控制,取上符号79、79还是取下符号NPN、PNP。
位于波段开关K2下面表示击穿电压BV定义电流选择的拨动开关K8,分别有0.2、1、5mA三档。
位于波段开关K1下面表示饱和电压定义电流选择的拨动开关K9,分别有0.01,0.25,1,2.5A四档。
被测管的管脚插孔位置位于拨动开关K8和K9之间。上面是二极管插孔,下面是三极管插孔。
面板操作,例如当测三极管的lEBO时,三极管插入被测管插孔位置,开关K1拨到lEBO档,开关K2拨到5μA档,K5右拨,表头A指示就是lEBO读数。
整机电路原理在图2或图3中叙述。
图2是本实用新型各开关之间连线的电原理图。图3是图2整理后的对应图。各开关符号,功能、名称如下开关符号功能 名称K1晶体管参数选择 5刀11掷位波段开关K2电压、电流量程 6刀11掷位波段开关K3二极管正反向特性选择琴键开关K4双极晶体管类型选择 双3刀2位拨动开关K5二、三极管类型选择 双3刀2位拨动开关K6电流范围选择5刀2位拨动开关K7电流范围选择2位乒乓开关K8击穿电压BV定义电流选择 2刀3位拨动开关K9饱和电压定义电流选择2刀4位拨动开关K10BV选择 按钮开关K11放大倍数倍率开关按钮开关在图3中最左面是电源部分,最下面的图是使220v市电经整流和电压变换变为6v直流电压,从下倒数第二图是高频振荡电路,其输出经下倒数第三图变压和整流分别输出2000v,250v,50v。最上面图是使220v变成14v直流电压,其电路与最下面的图基本相同,桥式整流后,用稳压管稳压至14v。
图3中间部分是本实用新型核心开关K1、K2及其连线图;最右面的分别是开关K3~K10连线图,在K1-1之左是按钮开关K11(hFE倍率开关)。
图3中右下角表示表头A,虚线方框表示被测晶体管。在它们上面是输出放大器。
已有技术与本实用新型比较
本实用新型优点1.直观,方便,体积缩小,成本降低。
2.测量晶体管参数多能测量三端稳压器电压是维修家电设备的有利工具实施例1.测三极管3DD50各种参数
实施例2测三端稳压器电压型号 K1K3K4K5A(v)7806 BVCBO(稳)稳左拨左拨 67815 BVCBO(稳)稳左拨左拨 157915 BVCBO(稳)稳右拨右拨-1权利要求1.一种晶体管综合参数测试仪,其特征在于在其面板上增加了直接标出晶体管各种参数和标出三端稳压器各种参数的5刀11掷位波段开关K1,并且开关K1的各刀及各掷位点分别连接着表示所测各种参数的配合使用的其他选择开关和被测晶体管及三端稳压器的管脚插座;所述其他开关有电压、电流量程k2,正反向特性选择k3,双极晶体管类型选择k4,二、三极管类型选择k5,电流范围选择k6、k7,击穿电压BV定义电流选择k8,饱和电压定义电流选择K9,BV选择K10,放大倍数倍率开关K11。
专利摘要晶体管综合测试仪属于晶体管参数的测量仪表。其目的在于开一种成本低,测量方便,便于大众普及的晶体管综合参数测仪。该仪器用直接标出晶体管各种参数和标出三端稳压器参数的5D11掷位波段开关K1,及配合其他选择开关,测出晶体管和三端稳压器的各种参数和电压。该仪器优点是直观、方便、体积缩小,成本降低,是维修家电设备的有利工具。
文档编号G01R31/26GK2303306SQ9621249
公开日1999年1月6日 申请日期1996年6月11日 优先权日1996年6月11日
发明者崔本柱 申请人:崔本柱
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