高压直流交联聚乙烯绝缘去气效果检测方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及去气检测技术领域，特别是涉及一种高压直流交联聚乙烯绝缘去气效果检测方法。
【背景技术】
[0002]高压直流交联聚乙烯绝缘中的副产物，会引起空间电荷特性的劣化，进而会直接导致绝缘内部局部场强产生畸变，从而降低电缆的使用寿命，甚至引起电缆击穿事故。对于空间电荷的消除，主要是依靠电缆生产过程中的去气工序来实现:通过加热电缆绝缘线芯，使副产物逸出。
[0003]现有检测手段停留在检测绝缘中副产物含量上，通过分析天平称重去气前后绝缘质量的变化来检测绝缘中副产物的逸出量，并以副产物逸出量的多少来确定去气工序是否完成。
[0004]但是本发明的发明人发现，绝缘内部副产物逸出量的多少与空间电荷特性并无必然的关系，而空间电荷特性的优劣直接影响着高压直流交联聚乙烯绝缘的品质。因此说，现有的检测方法未能从本质上来绝缘的品质，存在一定的不确定性。
【发明内容】
[0005]本发明所要解决的技术问题是提供一种高压直流交联聚乙烯绝缘去气效果检测方法，能够确定去气工序是否完成，避免了因间接测量副产物逸出量而带来的电缆质量的不确定性和质量隐患。
[0006]本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:提供一种高压直流交联聚乙烯绝缘去气效果检测方法，包括以下步骤:
[0007](I)对去气后的绝缘线芯进行取样；
[0008](2)采用绝缘刨片机沿绝缘线芯轴向进行刨片，直至刨到绝缘线芯的内层；
[0009](3)将刨片后的试样放于空间电荷测试仪中，利用空间电荷测试仪组成的固体介质空间电荷测试系统检测绝缘线芯内部空间电荷特性。
[0010]所述步骤(I)中取样时试样需要离绝缘线芯的端部至少0.2m。
[0011]所述步骤(2)中经过刨片后的试样厚度控制在0.4±0.2mm，宽度不小于50mm。
[0012]有益效果
[0013]由于采用了上述的技术方案，本发明与现有技术相比，具有以下的优点和积极效果:本发明采用空间电荷测试仪对去气后的高压直流交联聚乙烯绝缘进行空间电荷的检测，用以确定去气工序是否完成，避免了因间接测量副产物逸出量而带来的电缆质量的不确定性和质量隐患。
【附图说明】
[0014]图1是本发明中固体介质空间电荷测试系统结构示意图。
【具体实施方式】
[0015]下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。应理解，这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外应理解，在阅读了本发明讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。
[0016]本发明的实施方式涉及一种高压直流交联聚乙烯绝缘去气效果检测方法，包括以下步骤:
[0017](I)对去气后的绝缘线芯进行取样，取样时试样需要离绝缘线芯的端部至少
0.2mο
[0018](2)采用绝缘刨片机沿绝缘线芯轴向进行刨片，直至刨到绝缘线芯的内层，经过刨片后的试样厚度控制在0.4±0.2mm，宽度不小于50mmo
[0019](3)将刨片后的试样放于空间电荷测试仪中，利用空间电荷测试仪组成的固体介质空间电荷测试系统检测绝缘线芯内部空间电荷特性。其中，固体介质空间电荷测试系统如图1所示。
[0020]不难发现，本发明采用空间电荷测试仪对去气后的高压直流交联聚乙烯绝缘进行空间电荷的检测，用以确定去气工序是否完成，避免了因间接测量副产物逸出量而带来的电缆质量的不确定性和质量隐患。
【主权项】
1.一种高压直流交联聚乙烯绝缘去气效果检测方法，其特征在于，包括以下步骤: (1)对去气后的绝缘线芯进行取样； (2)采用绝缘刨片机沿绝缘线芯轴向进行刨片，直至刨到绝缘线芯的内层； (3)将刨片后的试样放于空间电荷测试仪中，利用空间电荷测试仪组成的固体介质空间电荷测试系统检测绝缘线芯内部空间电荷特性。
2.根据权利要求1所述的高压直流交联聚乙烯绝缘去气效果检测方法，其特征在于，所述步骤(I)中取样时试样需要离绝缘线芯的端部至少0.2m。
3.根据权利要求1所述的高压直流交联聚乙烯绝缘去气效果检测方法，其特征在于，所述步骤(2)中经过刨片后的试样厚度控制在0.4±0.2mm，宽度不小于50mm。
【专利摘要】本发明涉及一种高压直流交联聚乙烯绝缘去气效果检测方法，包括以下步骤：对去气后的绝缘线芯进行取样；采用绝缘刨片机沿绝缘线芯轴向进行刨片，直至刨到绝缘线芯的内层；将刨片后的试样放于空间电荷测试仪中，利用空间电荷测试仪组成的固体介质空间电荷测试系统检测绝缘线芯内部空间电荷特性。本发明能够确定去气工序是否完成，避免了因间接测量副产物逸出量而带来的电缆质量的不确定性和质量隐患。
【IPC分类】G01R29-24, G01R31-12
【公开号】CN104698298
【申请号】CN201510081363
【发明人】温尚海
【申请人】宁波球冠电缆股份有限公司
【公开日】2015年6月10日
【申请日】2015年2月15日