一种全新的led晶粒检测技术的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明为一种检测方法，具体涉及一种全新的LED晶粒检测技术。
【背景技术】
[0002]现阶段使用的LED芯片测试机台在测试芯片的过程中，是先对芯片的抗静电能力进行测试，接着再量测芯片的各种电性，最终把芯片的所有测量数据记录下来；如果芯片的抗静电能力不够，就放弃量测芯片的电性。这种方法的缺点是单颗芯片的测试时间长，效率低。如果要满足大批量生产的话，人员与机台需求量大，造成的机台成本与人员成本极高。
【发明内容】
[0003]本发明克服现有技术存在的不足，旨在提供一种生产成本低，且可大大缩短芯片测量时间的晶粒检测技术。
[0004]为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为:一种全新的LED晶粒检测技术，在机台上加装一根性能测试探针，首先使用ESD单元探针对芯片的抗静电能力进行测量，ESD单元为静电释放单元，将抗静电性能测量后的芯片移动，在芯片移动的过程中，通过伺服驱动器控制芯片的移动，将芯片置于SMU单元探针的正下方，SMU单元为源测量单元，保证SMU单元探针的检测位置与ESD单元探针的检测位置相同，并对芯片的电性进行测量和记录，在SMU单元探针对芯片的电性进行测量时，同时对同一颗芯片的所有数据进行综合记录。缩短了芯片的测量时间，能够大幅度降低生产成本。两次测量的位置均位于芯片的同一位置，不会对芯片的外观造成额外的损害。
[0005]其中，伺服驱动器通过智能系统自动控制，既能保证运行的稳定性，又能保证芯片测量的准确度和精度。
[0006]本发明与现有技术相比具有以下有益效果:本发明的两次量测可以保证探针接触芯片是在同一位置，不会对芯片的外观造成额外的损害，同时缩短了芯片的量测时间，因此能大幅度降低生产成本。另外，本发明的测量方法加快了芯片的光电性测量速度，提高了生产效率与合格率，降低机台成本与人力成本，可实现大批量生产作业。
【具体实施方式】
[0007]先对本发明的技术方案进行进一步阐述。
[0008]一种全新的LED晶粒检测技术，在机台上加装一根性能测试探针，首先使用ESD单元探针对芯片的抗静电能力进行测量，ESD单元为静电释放单元，将抗静电性能测量后的芯片移动，在芯片移动的过程中，通过伺服驱动器控制芯片的移动，将芯片置于SMU单元探针的正下方，SMU单元为源测量单元，保证SMU单元探针的检测位置与ESD单元探针的检测位置相同，并对芯片的电性进行测量和记录，在SMU单元探针对芯片的电性进行测量时，同时对同一颗芯片的所有数据进行综合记录。缩短了芯片的测量时间，能够大幅度降低生产成本。两次测量的位置均位于芯片的同一位置，不会对芯片的外观造成额外的损害。
[0009]其中，伺服驱动器通过智能系统自动控制，既能保证运行的稳定性，又能保证芯片测量的准确度和精度。
[0010]以下结合以硅(Si)基砷化钾晶圆2寸，晶粒为12X 12mil的LED芯片测试为例，在晶圆上大约有28000颗芯片需要进行光电性测试，传统的测试方法测试完毕需要125分钟；而我们使用这种新的测试方法，只需要100分钟就能完成测试，可以节约25分钟，提高了产能，节省了成本。
[0011]本发明可用其他的不违背本发明的精神或主要特征的具体形式来概述。因此，无论从那一点来看，本发明的上述实施方案都只能认为是对本发明的说明而不能限制发明，权利要求书指出了本发明的范围，而上述的说明并未指出本发明的范围，因此，在与本发明的权利要求书相当的含义和范围内的任何变化，都应认为是包括在权利要求书的范围内。
【主权项】
1.一种全新的LED晶粒检测技术，其特征在于，在机台上加装一根性能测试探针，首先使用ESD单元探针对芯片的抗静电能力进行测量，将抗静电性能测量后的芯片移动，在芯片移动的过程中，通过伺服驱动器控制芯片的移动，将芯片置于SMU单元探针的正下方，保证SMU单元探针的检测位置与ESD单元探针的检测位置相同，并对芯片的电性进行测量和记录，在SMU单元探针对芯片的电性进行测量时，同时对同一颗芯片的所有数据进行综合记录。
2.根据权利要求1所述的一种全新的LED晶粒检测技术，其特征在于，所述伺服驱动器通过智能系统自动控制。
【专利摘要】本发明为一种检测方法，旨在提供一种生产成本低，且可大大缩短芯片测量时间的晶粒检测技术；一种全新的LED晶粒检测技术，在机台上加装一根性能测试探针，首先使用ESD单元探针对芯片的抗静电能力进行测量，将抗静电性能测量后的芯片移动，在芯片移动的过程中，通过伺服驱动器控制芯片的移动，将芯片置于SMU单元探针的正下方，保证SMU单元探针的检测位置与ESD单元探针的检测位置相同，并对芯片的电性进行测量和记录，在SMU单元探针对芯片的电性进行测量时，同时对同一颗芯片的所有数据进行综合记录，缩短了芯片的测量时间，能够大幅度降低生产成本，两次测量的位置均位于芯片的同一位置，不会对芯片的外观造成额外的损害。
【IPC分类】G01R31-26
【公开号】CN104808129
【申请号】CN201510147638
【发明人】肖鹏春
【申请人】山西南烨立碁光电有限公司
【公开日】2015年7月29日
【申请日】2015年3月31日