一种放大式场强检测电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种放大电路，具体是指一种放大式场强检测电路。
【背景技术】
[0002]目前，功率放大电路的运用非常广泛，其主要是根据需求将相关的电压信号、电流信号及其他脉冲信号进行功率放大。然而，传统的功率放大电路在进行功率驱动放大后，不仅其放大信号的衰减幅度较大，而且还会受到外部的电磁干扰，进而使得放大信号性能较为不稳定，严重的制约了其深层次的使用和推广。
【发明内容】
[0003]本发明的目的在于克服目前功率放大电路存在的放大后的信号衰减幅度较大以及放大后信号性能不稳定的缺陷，提供一种放大式场强检测电路。
[0004]本发明的目的通过下述技术方案实现:一种放大式场强检测电路，由功率放大器Pl，与非门ICl，与非门IC2，与非门IC3，集成块Ul，功率放大器P2，负极与功率放大器Pl的正极输入端相连接、正极经光二极管Dl后接地的极性电容Cl，一端与极性电容Cl的正极相连接、另一端经二极管D2后接地的电阻Rl，正极与电阻Rl和二极管D2的连接点相连接、负极接地的极性电容C2，一端与与非门ICl的负极输入端相连接、另一端与功率放大器Pl的正极输入端相连接的电阻R2，串接在功率放大器Pl的负极输入端与输出端之间的电阻R3，一端与与非门ICl的输出端相连接、另一端与与非门IC3的负极输入端相连接的电阻R4，正极与与非门IC2的输出端相连接、负极与与非门IC3的负极输入端相连接的电容C3，以及一端与极性电容C2的正极相连接、另一端与与非门IC2的负极输入端相连接的电阻R5，正极经电阻Rll后与集成块Ul的DD脚相连接、负极顺次经电阻R12、电阻R15、二极管D4、电阻R13后与集成块Ul的COMP脚相连接的极性电容C6，N极经电阻RlO后与功率放大器P2的负极相连接、P极顺次经电阻R9、极性电容C5、电阻R8、电阻R6、电阻R7、电容C4后与功率放大器P2的正极相连接的二极管D3，基极经电阻R17后与集成块Ul的SW脚相连接、其发射极顺次经电阻R14、电阻R16、电阻R19后与功率放大器P2的输出端相连接、其集电极接地的三极管Ql，一端与电阻R14与电阻R16的连接点相连接、另一端与集成块Ul的COMP脚相连接的电阻R18组成；所述集成块Ul的SENSE脚与电容C5与电阻R9的连接点相连接、其PffM脚与电容C6的正极相连接、其ADJ脚与电容C6的负极相连接、其IN脚与电阻R6与电阻R8连接点相连接、其GND脚接地。
[0005]所述电阻R12与电阻R15的连接点接地；所述电阻14与电阻R16的连接点作为输出端；所述与非门ICl的正极输入端与功率放大器Pl的负极输入端相连接，其输出端与与非门IC2的正极输入端相连接；所述与非门IC3的正极输入端与功率放大器Pl的输出端相连接，其输出端则与电阻R6和电阻R8的连接点相连接。
[0006]为确保使用效果，所述集成块Ul优先采用SD42524集成电路来实现。
[0007]本发明较现有技术相比，具有以下优点及有益效果:
[0008](I)本发明整体结构较为简单，其制作和使用非常方便。同时，本发明还能有效的降低电路自身和外界的射频干扰。
[0009](2)本发明能确保经其放大后的信号不会发生较大的衰减，从而能确保放大信号的质量和性能。
【附图说明】
[0010]图1为本发明的整体结构示意图。
【具体实施方式】
[0011]下面结合实施例对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式不限于此。
[0012]实施例
[0013]如图1所示，本发明由功率放大器P1，与非门ICl，与非门IC2，与非门IC3，集成块Ul，功率放大器P2，极性电容Cl，极性电容C2，电容C3，电容C4，极性电容C5，极性电容C6，光二极管Dl，二极管D2，二极管D3，二极管D4，电阻R1，电阻R2，电阻R3，电阻R4，电阻R5，电阻R6，电阻R7，电阻R8，电阻R9，电阻R10，电阻R11，电阻R12，电阻R13，电阻R14，电阻R15，电阻R16，电阻R17，电阻R18，电阻R19，以及三极管Ql组成。
[0014]连接时，极性电容Cl的负极与功率放大器Pl的正极输入端相连接，其正极则与光二极管Dl的N极相连接，而光二极管Dl的P极则接地。电阻Rl的一端与极性电容Cl的正极相连接，其另一端经二极管D2后接地。
[0015]所述极性电容C2的正极与电阻Rl和二极管D2的连接点相连接，其负极接地；电阻R2的一端与与非门ICl的负极输入端相连接，其另一端与功率放大器P的正极输入端相连接；电阻R3则串接在功率放大器P的负极输入端与输出端之间。
[0016]电阻R4的一端与与非门ICl的输出端相连接，其另一端与与非门IC3的负极输入端相连接；同时，电容C3的正极与与非门IC2的输出端相连接，其负极也与与非门IC3的负极输入端相连接。所述电阻R5的一端与极性电容C2的正极相连接，其另一端与与非门IC2的负极输入端相连接。
[0017]所述与非门ICl的正极输入端与功率放大器Pl的负极输入端相连接，其输出端与与非门IC2的正极输入端相连接；与非门IC3的正极输入端与功率放大器Pl的输出端相连接。
[0018]同时，极性电容C6的正极经电阻Rll后与集成块Ul的DD脚相连接、负极顺次经电阻R12、电阻R15、二极管D4、电阻R13后与集成块Ul的COMP脚相连接。二极管D3的N极经电阻RlO后与功率放大器P2的负极相连接，其P极则顺次经电阻R9、极性电容C5、电阻R8、电阻R6、电阻R7、电容C4后与功率放大器P2的正极相连接。
[0019]三极管Ql的基极经电阻R17后与集成块Ul的SW脚相连接、其发射极顺次经电阻R14、电阻R16、电阻R19后与功率放大器P2的输出端相连接、其集电极接地。电阻R18的一端与电阻R14与电阻R16的连接点相连接、另一端与集成块Ul的COMP脚相连接。
[0020]所述集成块Ul的SENSE脚与电容C5与电阻R9的连接点相连接、其PffM脚与电容C6的正极相连接、其ADJ脚与电容C6的负极相连接、其IN脚与电阻R6与电阻R8连接点相连接、以及其GND脚接地；所述电阻R12与电阻R15的连接点接地；所述电阻14与电阻R16的连接点作为输出端；
[0021]为确保本发明的使用效果，该集成块Ul优先采用SD42524集成电路来实现，其具有过电流保护、超温保护等功能。该SD42524集成电路的输入电压范围为6?36V，工作电流范围为1.5?2mA，最大输出电流为1A。
[0022]为确保使用效果，该极性电容Cl、极性电容C2、电容极性电容C5，极性电容C6的量均为10 μ F，而电容C3、电容C4、的电容量则为5 μ F。同时，电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻Rll的阻值均为20Κ Ω，而电阻R4、电阻R12、电阻R13、电阻R14、电阻R15的阻值为15ΚΩ，电阻R5的阻值为25ΚΩ，电阻R16、电阻R17、电阻R18、电阻R19的阻值为30ΚΩ。
[0023]如上所述，便可以很好的实现本发明。
【主权项】
1.一种放大式场强检测电路，其特征在于，由功率放大器P1，与非门IC1，与非门IC2，与非门IC3，集成块Ul，功率放大器P2，负极与功率放大器Pl的正极输入端相连接、正极经光二极管Dl后接地的极性电容Cl，一端与极性电容Cl的正极相连接、另一端经二极管D2后接地的电阻R1，正极与电阻Rl和二极管D2的连接点相连接、负极接地的极性电容C2，一端与与非门ICl的负极输入端相连接、另一端与功率放大器Pl的正极输入端相连接的电阻R2，串接在功率放大器Pl的负极输入端与输出端之间的电阻R3，一端与与非门ICl的输出端相连接、另一端与与非门IC3的负极输入端相连接的电阻R4，正极与与非门IC2的输出端相连接、负极与与非门IC3的负极输入端相连接的电容C3，以及一端与极性电容C2的正极相连接、另一端与与非门IC2的负极输入端相连接的电阻R5，正极经电阻Rll后与集成块Ul的DD脚相连接、负极顺次经电阻R12、电阻R15、二极管D4、电阻R13后与集成块Ul的COMP脚相连接的极性电容C6，N极经电阻RlO后与功率放大器P2的负极相连接、P极顺次经电阻R9、极性电容C5、电阻R8、电阻R6、电阻R7、电容C4后与功率放大器P2的正极相连接的二极管D3，基极经电阻R17后与集成块Ul的SW脚相连接、其发射极顺次经电阻R14、电阻R16、电阻R19后与功率放大器P2的输出端相连接、其集电极接地的三极管Ql，一端与电阻RH与电阻R16的连接点相连接、另一端与集成块Ul的COMP脚相连接的电阻R18组成；所述集成块Ul的SENSE脚与电容C5与电阻R9的连接点相连接、其PffM脚与电容C6的正极相连接、其ADJ脚与电容C6的负极相连接、其IN脚与电阻R6与电阻R8连接点相连接、其GND脚接地；所述电阻R12与电阻R15的连接点接地；所述电阻14与电阻R16的连接点作为输出端；所述与非门ICl的正极输入端与功率放大器Pl的负极输入端相连接，其输出端与与非门IC2的正极输入端相连接；所述与非门IC3的正极输入端与功率放大器Pl的输出端相连接，其输出端则与电阻R6和电阻R8的连接点相连接。2.根据权利要求1所述的一种放大式场强检测电路，其特征在于，所述集成块Ul为SD42524集成电路。
【专利摘要】本发明公开了一种放大式场强检测电路，其特征在于，由功率放大器P1，与非门IC1，与非门IC2，与非门IC3，集成块U1，功率放大器P2，负极与功率放大器P的正极输入端相连接、正极经光二极管D1后接地的极性电容C1，一端与极性电容C1的正极相连接、另一端经二极管D2后接地的电阻R1，正极与电阻R1和二极管D2的连接点相连接、负极接地的极性电容C2等组成。本发明整体结构较为简单，其制作和使用非常方便。同时，本发明还能有效的降低电路自身和外界的射频干扰。
【IPC分类】G01R29/08
【公开号】CN105182088
【申请号】CN201510316261
【发明人】雷明方
【申请人】成都颉盛科技有限公司
【公开日】2015年12月23日
【申请日】2015年6月11日
【公告号】CN104467706A