复合屏蔽型压电膜传感器的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种压电膜传感器，特别涉及一种复合屏蔽型压电膜传感器。
【背景技术】
[0002]作为一种动态应变传感器，压电膜传感器因其独一无二的特性，在人体动态特征检测、声学拾音、接触式传感器、体育测力等领域有着众多的应用。柔性压电薄膜作为压电膜的一种，因其可随意弯曲，可大面积成膜，与人体密度匹配良好等优点，在越来越多的领域都有着不可替代的应用。
[0003]但是，单个压电膜传感器输出信号有限，当采集微小信号的时候，由于其活性不够，导致信噪比较低，因而输出波形有很大的杂波，不能真实还原原始信号的波形。
[0004]并且，提高单个压电膜灵敏度的方法有限，不可能无限提高其活性。其灵敏度与压电陶瓷或其他压电材料仍有较大的差距
【发明内容】
[0005]本发明的提供的一种复合屏蔽型压电膜传感器，以克服上述现有技术的缺陷。
[0006]本发明的提供的一种复合屏蔽型压电膜传感器，包括依次设置的上绝缘层、上金属层、至少一层复合电极层、下压电膜层、下金属层和下绝缘层;每一层复合电极层包括压电膜层和信号层。
[0007]本发明的提供的一种复合屏蔽型压电膜传感器，还可以具有这样的特征:上绝缘层和/或下绝缘层的材质为塑料。
[0008]本发明的提供的一种复合屏蔽型压电膜传感器，还可以具有这样的特征:塑料为PET 或 PP 或 PVC 或 PE。
[0009]本发明的提供的一种复合屏蔽型压电膜传感器，还可以具有这样的特征:上金属层和/或下金属层的材质为铝或铜或银。
[0010]本发明的提供的一种复合屏蔽型压电膜传感器，还可以具有这样的特征:信号层的材质为铝或铜或银。
[0011]本发明的提供的一种复合屏蔽型压电膜传感器，还可以具有这样的特征:上绝缘层和/或下绝缘层的厚度为30至60微米。
[0012]本发明的提供的一种复合屏蔽型压电膜传感器，还可以具有这样的特征:信号层被蚀刻成波浪的形状，形成信号导通的电路通道。
[0013]本发明的提供的一种复合屏蔽型压电膜传感器，还可以具有这样的特征:上金属层和下金属层具有与电路通道相对应的位置具有分隔线。
[0014]本发明的提供的一种复合屏蔽型压电膜传感器，还可以具有这样的特征:分割线的宽度为0.1至0.5毫米。
[0015]发明的有益效果
[0016]本发明提供的复合屏蔽型压电膜传感器，中间有多层压电膜及金属层组成的复合结构组成，根据需要可以形成了N个组列，具有两个信号输出的压电膜。该结构共有N+1层压电膜具有输出能力，相比单层压电膜的结构信号输出能力大了 N+1倍。
【附图说明】
[0017]图1是实施例一中复合屏蔽型压电膜传感器的结构图。
[0018]图2是实施例一中复合屏蔽型压电膜传感器的分层图。
[0019]图3是实施例二中复合屏蔽型压电膜传感器的结构图。
[0020]图4是实施例三中复合屏蔽型压电膜传感器的结构图。
【具体实施方式】
[0021]下面结合附图和具体实施例对本发明做进一步的描述。
[0022]实施例一
[0023]图1是复合屏蔽型压电膜传感器的结构图。
[0024]图2是复合屏蔽型压电膜传感器的分层图。
[0025]如图1和图2所示，复合屏蔽型压电膜传感器，从上到下的层依次为上绝缘层1、上金属层2、复合电极层10、下压电膜层5、下金属层6和下绝缘层7。
[0026]上绝缘层I，优选PET材料。作为外层，就有抗机械磨损，保护第二层上金属层2的作用。PET材料也可以选用PP、PVC、PE等塑料材料替代。上绝缘层I厚度为30至60微米。
[0027]上金属层2，优选铝膜。作为屏蔽用的地层，和第六层的下金属层6全屏蔽结构。铝膜也可以采用铜膜替代或银浆替代。
[0028]复合电极层10包括压电膜层3和信号层4。
[0029]压电膜层3，信号输出的第一层压电膜。
[0030]信号层4，同样采用铝膜，输出信号的电极。信号层4被蚀刻成波浪的形状，形成信号导通的电路通道4-1。铝膜也可以采用铜膜替代或银浆替代。另外，信号层还有留空区域4-2，可以打入端子，方便第四层信号层4信号电极的信号引出而不至于和地导通。
[0031]下压电膜层5，信号输出的第二层压电膜。
[0032]下金属层6，优选铝膜。作为屏蔽用的地层，和第二层的上金属层2构成全屏蔽结构。铝膜也可以采用铜膜替代或银浆替代。下金属层6具有与电路通道4-1相对应的位置具有分隔线6-1。分割线6-1的宽度为0.1至0.5毫米，优选0.3毫米，可以将所制成形状的压电膜分开。
[0033]下绝缘层7，优选PET材料。作为外层，就有抗机械磨损，保护第六层下金属层6的作用。PET材料也可以选用PP、PVC、PE等塑料材料替代。下绝缘层7厚度为30至60微米。
[0034]实施例二
[0035]图3是实施例二中复合屏蔽型压电膜传感器的结构图。
[0036]如图3所示，复合屏蔽型压电膜传感器，从上到下的层依次为上绝缘层1、上金属层
2、五层复合电极层10、下压电膜层5、下金属层6和下绝缘层7。
[0037]每层复合电极层10包含包括压电膜层3和信号层4。
[0038]本实施例中，复合屏蔽型压电膜传感器每层的结构、材质和作用与实施例一相同，不再详细描述。
[0039]实施例三
[0040]图4是实施例二中复合屏蔽型压电膜传感器的结构图。
[0041]如图2所示，复合屏蔽型压电膜传感器，从上到下的层依次为上绝缘层1、上金属层
2、N层复合电极层10、下压电膜层5、下金属层6和下绝缘层7。
[0042]每层复合电极层10包含包括压电膜层3和信号层4。
[0043]本实施例中，复合屏蔽型压电膜传感器每层的结构、材质和作用与实施例一相同，不再详细描述。
[0044]本发明提供的复合屏蔽型压电膜传感器中间有多层压电膜及金属层组成的复合结构组成，根据需要可以形成了N个组列，具有两个信号输出的压电膜。该结构共有N+1层压电膜具有输出能力，相比单层压电膜的结构信号输出能力大了 N+1倍。
【主权项】
1.一种多层自屏蔽型压电薄膜传感器，其特征在于:包括依次设置的上绝缘层、上金属层、至少一层复合电极层、下压电膜层、下金属层和下绝缘层； 每一层复合电极层包括压电膜层和信号层。2.如权利要求1所述的多层自屏蔽型压电薄膜传感器，其特征在于:上绝缘层和/或下绝缘层的材质为塑料。3.如权利要求2所述的多层自屏蔽型压电薄膜传感器，其特征在于:塑料为PET或PP或PVC或PE。4.如权利要求1所述的多层自屏蔽型压电薄膜传感器，其特征在于:上金属层和/或下金属层的材质为铝或铜或银。5.如权利要求1所述的多层自屏蔽型压电薄膜传感器，其特征在于:信号层的材质为铝或铜或银。6.如权利要求1所述的多层自屏蔽型压电薄膜传感器，其特征在于:上绝缘层和/或下绝缘层的厚度为30至60微米。7.如权利要求1所述的多层自屏蔽型压电薄膜传感器，其特征在于:信号层被蚀刻成波浪的形状，形成信号导通的电路通道。8.如权利要求7所述的多层自屏蔽型压电薄膜传感器，其特征在于:上金属层和/或下金属层具有与电路通道相对应的位置具有分隔线。9.如权利要求8所述的多层自屏蔽型压电薄膜传感器，其特征在于:分割线的宽度为.0.1至0.5毫米
【专利摘要】本发明的提供的一种复合屏蔽型压电膜传感器，包括依次设置的上绝缘层、上金属层、至少一层复合电极层、下压电膜层、下金属层和下绝缘层；每一层复合电极层包括压电膜层和信号层。其优点在于具有多层压电膜及金属层组成的复合结构组成，根据需要可以形成了N个组列，具有两个信号输出的压电膜。该结构共有N+1层压电膜具有输出能力，相比单层压电膜的结构信号输出能力大了N+1倍。
【IPC分类】H01L41/083, G01D5/12
【公开号】CN105588585
【申请号】CN201510934785
【发明人】孟召龙
【申请人】感至源电子科技（上海）有限公司
【公开日】2016年5月18日
【申请日】2015年12月15日