用于纳米颗粒的光谱椭偏拟合方法
【专利摘要】本发明提供一种用于纳米颗粒的光谱椭偏拟合方法，利用光谱椭偏仪，采用有效介质近似层和四步拟合方法，包括：在衬底上形成纳米颗粒材料层，得到第一模型，对纳米颗粒材料层进行直接拟合，得到初步实验结果；在纳米颗粒材料层上形成纳米颗粒材料与空气的混合层，使得到的第二模型符合实际纳米颗粒特征；去除纳米颗粒材料层，更改纳米颗粒材料与空气的混合层的厚度与比例参数，得到第三模型，使混合层包含从顶层到底层比例一致的纳米颗粒材料与空气，并对更改后的混合层进行拟合；将更改后的混合层改进为有效介质近似层进行拟合，获得纳米颗粒的光学性质信息。本方法能满足数学上的拟合度以及物理上的形貌特征，更准确的获取纳米颗粒光学性质信息。
【专利说明】
用于纳米颗粒的光谱椭偏拟合方法
技术领域
[0001] 本发明涉及光电子学和纳米科学技术领域，尤其涉及一种用于纳米颗粒的光谱椭 偏拟合方法。
【背景技术】
[0002] 纳米颗粒由于具有独特的尺寸效应，其物理性质如光学、电学、热学和磁学等相对 于体相材料会发生明显的变化，目前已经在太阳能电池、光电催化、光电子器件、生物传感 器、信息存储、成像和生物医学等领域得到了广泛的应用。
[0003] 纳米颗粒的特殊物理性质与其大小、形状和颗粒间距等因素密切相关，因此在实 验中准确地测量纳米颗粒的表面形貌和光学性质十分重要。纳米颗粒的表面形貌通常可以 使用扫描电子显微镜SEM和原子力显微镜AFM检测，而光学性质(包括薄膜厚度、折射率、消 光系数和介电常数等参数)的测试，使用的仪器主要是光谱椭偏仪。光谱椭偏仪是一种利用 光的偏振特性获取待测样品信息的通用光学测量仪器，其基本原理是通过起偏器将特殊的 椭圆偏振光投射到待测样品表面，通过测量待测样品的反射光(或透射光），以获得偏振光 在反射(或透射)前后的偏振态变化(包括振幅比和相位差），从而提取出待测样品的信息。 在对表面连续且平整的材料薄膜的椭偏拟合中，采用直接的单个材料层拟合的方式，便能 得到高度准确的拟合结果，获取的光学物理参量即为所制备薄膜材料的光学性质。但当材 料为彼此离散的纳米颗粒时，由于颗粒间空气成分的存在，即颗粒-空气-衬底彼此间的折 射、反射和散射等带来的综合影响使得纳米颗粒的光学性质已经偏离连续的薄膜材料，此 时直接拟合的方式不仅数学上很难实现完美的拟合，即最小均方差MSE偏高，而且物理上也 不符合离散纳米颗粒的真实情况，这样导致最终得到的实验结果的可信度大幅降低。因此 为获取纳米颗粒更为准确的光学信息，同时满足数学上的拟合度以及物理上的形貌特征， 需要对拟合的模型和参数的设置进行改进，这对于目前光谱椭偏仪的测试来说是一个重大 的挑战和亟待解决的问题。
【发明内容】
[0004] 为解决上述的技术问题，本发明提供一种用于纳米颗粒的光谱椭偏拟合方法，满 足了数学上的拟合度以及物理上的形貌特征，能够更准确的获取纳米颗粒的光学性质信 息。
[0005] 第一方面，本发明提供一种用于纳米颗粒的光谱椭偏拟合方法，利用光谱椭偏仪， 采用有效介质近似层和四步拟合的方法，具体包括：
[0006] 在衬底上形成纳米颗粒材料层，得到第一模型，并对所述纳米颗粒材料层进行直 接拟合，得到初步实验结果；
[0007] 在所述纳米颗粒材料层上形成纳米颗粒材料与空气的混合层，使得到的第二模型 符合实际纳米颗粒特征；
[0008] 去除第二模型中的纳米颗粒材料层，更改纳米颗粒材料与空气的混合层的厚度与 比例参数，得到第三模型，使所述混合层包含从顶层到底层比例一致的纳米颗粒材料与空 气，并对更改后的混合层进行拟合；
[0009] 将更改后的混合层改进为有效介质近似层进行拟合，获得纳米颗粒的光学性质信 息。
[0010] 可选地，所述纳米颗粒材料层由纳米颗粒材料构成，所述纳米颗粒材料包括但不 限于:金属材料、半导体材料和绝缘体材料中的一种或多种。
[00?1 ] 可选地，所述金属材料包括但不限于：金Au、银Ag、钼Pt、铜Cu、·?Α1、镍Ni、fjiv、锌 211、铬0、钨1、钛11或者铁?6。
[0012] 可选地，所述半导体材料包括但不限于:娃Si、锗Ge、硼B、磷P、铟In、锑Sb、砷化镓 GaAs、二氧化钛Ti〇2、二硫化钼M0S2、氧化铜CuO、氧化亚铜Cu2〇、氧化亚铁FeO、氧化铁Fe2〇3、 氧化锌ZnO、硫化锌ZnS、碲化锌ZnTe或者钛酸锶SrTi0 3。
[0013] 可选地，所述绝缘体材料包括但不限于：二氧化硅Si02、氧化铝Al2〇3、氮化铝A1N、 氮化硅Si 3N4、氮化硼BN、碳化硅SiC、碳酸盐、硅酸盐、钛酸盐、铌酸盐或锗酸盐。
[0014] 可选地，所述纳米颗粒材料中纳米颗粒的厚度为0.1~500nm。
[0015] 可选地，所述纳米颗粒材料中纳米颗粒的形状包括但不限于:球形、三角形、矩形、 正方形、菱形、五边形、六边形或多边形；纳米颗粒与纳米颗粒之间围成的形状包括但不限 于:周期性的球形纳米颗粒阵列、周期性的方形纳米颗粒阵列、周期性的多边形纳米颗粒阵 列、周期性的球形纳米孔隙阵列、周期性的方形纳米孔隙阵列、周期性的多边形纳米孔隙阵 列、杂散的球形纳米颗粒、杂散的方形纳米颗粒，杂散的链形纳米颗粒或杂散的多边形纳米 颗粒。
[0016] 可选地，所述纳米颗粒材料的制备方法包括但不限于：电子束蒸发、热蒸发、磁控 溅射、离子束溅射、离子镀、原子束沉积、激光脉冲沉积、化学气相沉积、分子束外延、溶胶-凝胶法、金属有机物分解法、液相-固相法、氧化法、离子注入法或扩散法。
[0017] 可选地，所述衬底的材料包括但不限于:硅、二氧化硅、氮化硅、碳化硅、砷化镓、氮 化镓、氧化锌、载玻片、FT0导电玻璃或ΙΤ0导电玻璃。
[0018] 由上述技术方案可知，本发明的用于纳米颗粒的光谱椭偏拟合方法，综合现有椭 偏拟合手段，采用有效介质近似层和四步拟合的方法，对不同类型、不同尺寸大小的纳米颗 粒进行相应拟合，满足了数学上的拟合度以及物理上的形貌特征（即可以根据拟合的趋势 直观地看到纳米颗粒在形核和长大的过程中横向和纵向的尺寸分布），能够更准确的获取 纳米颗粒的光学性质信息，有助于从理论上更为准确的分析以及实验上更为精确的测试和 制备，本方法对纳米光电器件、太阳能电池和光电催化等领域的应用起到重要的技术指导。
【附图说明】
[0019] 图1为本发明一实施例提供的一种用于纳米颗粒的光谱椭偏拟合方法的流程示意 图；
[0020] 图2为图1所示用于纳米颗粒的光谱椭偏拟合方法中的椭偏拟合模型图；
[0021 ]图3为纳米颗粒材料为金颗粒时的椭偏拟合模型图；
[0022]图4为纳米颗粒材料为标称2.5nm厚金颗粒的原子力显微镜AFM形貌图；
[0023]图5为纳米颗粒材料为标称2.5nm厚金颗粒时的混合层的分布图；
[0024]图6为纳米颗粒材料为标称2.5nm厚金颗粒时通过本发明实施例四步拟合的方法 得到的折射率和消光系数图。
【具体实施方式】
[0025]为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例 中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅 仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明的实施例，本领域普通技术人 员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他的实施例，都属于本发明保护的范围。
[0026] 图1示出了本发明一实施例提供的用于纳米颗粒的光谱椭偏拟合方法的流程示意 图，如图1所示，本实施例的用于纳米颗粒的光谱椭偏拟合方法，利用光谱椭偏仪，采用有效 介质近似层(Bruggerman EMA)和四步拟合的方法，具体包括下述步骤101-104:
[0027] 101、在衬底上形成纳米颗粒材料层，得到第一模型，并对所述纳米颗粒材料层进 行直接拟合，得到初步实验结果。
[0028] 102、在所述纳米颗粒材料层上形成纳米颗粒材料与空气的混合层，使得到的第二 模型符合实际纳米颗粒特征。
[0029] 103、去除第二模型中的纳米颗粒材料层，更改纳米颗粒材料与空气的混合层的厚 度与比例参数，得到第三模型，使所述混合层包含从顶层到底层比例一致的纳米颗粒材料 与空气，并对更改后的混合层进行拟合。
[0030] 104、将更改后的混合层改进为有效介质近似层进行拟合，获得纳米颗粒的光学性 质信息。
[0031] 在具体应用中，所述纳米颗粒材料层由纳米颗粒材料构成，所述纳米颗粒材料可 以包括但不限于:金属材料、半导体材料和绝缘体材料中的一种或多种。
[0032] 进一步地，所述金属材料可以包括但不限于：金Au、银Ag、钼Pt、铜Cu、_SAl、镍Ni、 钒V、锌Zn、铬Cr、钨W、钛Ti或者铁Fe等。
[0033] 进一步地，所述半导体材料可以包括但不限于:硅Si、锗Ge、硼B、磷P、铟In、锑Sb、 砷化镓GaAs、二氧化钛Ti〇2、二硫化钼M0S2、氧化铜CuO、氧化亚铜C112O、氧化亚铁FeO、氧化铁 Fe2〇 3、氧化锌ZnO、硫化锌ZnS、碲化锌ZnTe或者钛酸锶SrTi03等。
[0034] 进一步地，所述绝缘体材料可以包括但不限于：二氧化硅Si02、氧化铝Al2〇3、氮化 铝A1N、氮化硅Si3N4、氮化硼BN、碳化硅SiC、碳酸盐、硅酸盐、钛酸盐、铌酸盐或锗酸盐等。 [00 35]在具体应用中，所述纳米颗粒材料中纳米颗粒的厚度为0.1~500nm，具体可优先 选择1~40nm。
[0036] 在具体应用中，所述纳米颗粒材料中纳米颗粒的形状可以包括但不限于:球形、三 角形、矩形、正方形、菱形、五边形、六边形或多边形等；纳米颗粒与纳米颗粒之间围成的形 状可以包括但不限于:周期性的球形纳米颗粒阵列、周期性的方形纳米颗粒阵列、周期性的 多边形纳米颗粒阵列、周期性的球形纳米孔隙阵列、周期性的方形纳米孔隙阵列、周期性的 多边形纳米孔隙阵列、杂散的球形纳米颗粒、杂散的方形纳米颗粒，杂散的链形纳米颗粒或 杂散的多边形纳米颗粒等。
[0037] 在具体应用中，所述纳米颗粒材料的制备方法包括但不限于：电子束蒸发、热蒸 发、磁控溅射、离子束溅射、离子镀、原子束沉积、激光脉冲沉积、化学气相沉积、分子束外 延、溶胶-凝胶法、金属有机物分解法、液相-固相法、氧化法、离子注入法或扩散法，具体可 优先选择电子束蒸发、热蒸发、磁控溅射、原子束沉积、激光脉冲沉积和化学气相沉积等。
[0038] 上述步骤101-104的执行过程可参见图2,图2为图1所示用于纳米颗粒的光谱椭偏 拟合方法中的椭偏拟合模型图。
[0039] 可理解的是，为精确测量纳米颗粒的尺寸、膜厚和光学性质等，本实施例使用的测 试仪器为光谱椭偏仪。对于纳米颗粒的椭偏拟合，所使用的方法包括但不限于:直接拟合、 间接拟合和优先选择间接拟合等。其中，直接拟合可以包括但不限于减少模型数量、简化模 型结构、减少拟合参数和简化参数设置等；间接拟合可以包括但不限于增加模型数量、改进 模型结构、增加拟合参数和改进参数设置等，其添加的薄膜层的类型包括但不限于有效介 质近似层、单轴各项异性层、双轴各向异性层、均勾生长层、核生长层和外延生长层等，优先 选择有效介质近似层、均匀生长层和核生长层等；同时材料的色散公式的拟合模型包括、但 不仅限于固定nk模型、Cauchy模型、Pali k模型、Tauc-Lorentz模型、Drude-Lorentz模型、 Leng-Lorentz模型、Fi 1 e-Lay er模型、Brende 1 模型、Se 1 lme i er模型等，优先选择 Cauchy模 型、Pal ik模型、Tauc-Lorentz 模型、Drude-Lorentz 模型和 Leng-Lorentz 模型等。
[0040] 应说明的是，本实施例的有效介质近似层理论可表示为：
[0042] 其中，f表示样品的孔隙率，^和^^分别表示材料和空气的介电常数，表示两 种混合介质的有效介电常数。通过拟合后的结果，可以得出纳米颗粒从顶层到底层两种混 合介质的相对分布，同时还可以根据指数型拟合因子的大小判断纳米颗粒的尺寸。由此可 知，使用Bruggerman EMA拟合方式可以准确地判定材料-空气混合层的比例分布及颗粒的 形貌特征，这比直接添加混合层而不进行模型和参数改进，更符合纳米材料的真实物理结 构。
[0043] 在此基础上，为提高拟合度，得到更为精确的拟合结果，本实施例采用四步拟合的 方法，而不是单一地添加有效介质近似层，其目的在于使整个拟合过程逐渐由简单变复杂， 降低拟合难度，同时也能减小直接一步拟合中带来的偶然误差。
[0044] 利用上述采用的有效介质近似层和四步拟合的方法，本实施例对不同类型不同尺 寸大小的纳米颗粒进行了相应拟合。由拟合结果可知，对同一类型同一尺寸的纳米颗粒，从 第一步到第四步拟合的过程中，最小均方差均逐渐降低，拟合度逐渐增加，数学上的可信度 更高，说明使用Bruggerman EMA拟合方法的准确性。同时，从扫描电子显微镜(SEM)、透射电 子显微镜（TEM)和原子力显微镜（AFM)等形貌表征中观察到的纳米颗粒的形貌可以与 Bruggerman EMA拟合后的混合介质层比例实现--对应关系，即纳米颗粒从顶层到底层中 空气成分所占的比例以及根据两相之间的分界线得出纳米颗粒尺寸的大小和厚度，这样从 物理上也更加符合实际形貌特征，进一步说明了该方法的准确性。因此，使用B r u g g e r m a η EMA和四步拟合的方法的结果，能同时兼备数学和物理拟合的优势，使最终获得的纳米颗粒 的光学信息更加精确。
[0045] 此外，采用本实施例所述方法还发现:随着纳米颗粒沉积时间和薄膜厚度的增加， 颗粒的尺寸在横向和纵向均有所增加，颗粒间距逐渐减小，即空气成分逐渐降低，该结论从 SEM、TEM和AFM等形貌图以及使用Bruggerman EMA拟合后的结果中均可得出。同时，当纳米 颗粒生长到接近连续薄膜时，颗粒间距变得极小，空气成分显著降低至趋近零，材料自顶而 下空气成分几乎不变，此时可直接采用简单拟合法或其它的拟合方式。
[0046] 采用上述四步拟合的方法得到的拟合结果中，除了关注纳米颗粒的尺寸和厚度等 几何参数外，其光学物理量如折射率η和消光系数k等也是重要的参考数据。从拟合的总趋 势上看，四步分别拟合的η和k差值不大，基本保持相等;具体分析而言，第三步和第四步测 得的η和k均稍大于第一步和第二步的η和k。原因主要是，第三步和第四步拟合中的整个材 料层均添加有空气层，即将材料和空气分开，得到的是单纯材料的光学性质信息;而第一步 和第二步包含无空气成分的材料层，而实际的纳米颗粒间存在明显的缝隙，即必然有空气 成分存在，这样会使第一步和第二步中在直接拟合纳米颗粒材料层时，由于实际样品中部 分空气成分的干扰，从而导致第一、二步拟合的η和k值比第三、四步的偏低。这同时也验证 了采用Bruggerman EMA方法拟合的准确性。
[0047] 本实施例的用于纳米颗粒的光谱椭偏拟合方法，综合现有椭偏拟合手段，采用有 效介质近似层和四步拟合的方法，对不同类型、不同尺寸大小的纳米颗粒进行相应拟合，满 足了数学上的拟合度以及物理上的形貌特征（即可以根据拟合的趋势直观地看到纳米颗粒 在形核和长大的过程中横向和纵向的尺寸分布），能够更准确的获取纳米颗粒的光学性质 信息，有助于从理论上更为准确的分析以及实验上更为精确的测试和制备，本方法对纳米 光电器件、太阳能电池和光电催化等领域的应用起到重要的技术指导。
[0048]下述以纳米颗粒材料为标称2.5nm厚金颗粒、衬底为二氧化娃为例来说明本实施 例所述方法，其中，上述四步拟合的方法的三维和二维的椭偏拟合模型示意图如图3所示， 本实施例是椭偏拟合模型所选择的测试仪器是光谱椭偏仪，对于纳米颗粒的拟合，选择的 拟合方式是有效介质近似层Bruggerman EMA，其色散公式选择的模型是Drude-Lorentz模 型。为得到更为精确地拟合结果，采用上述四步拟合的方法进行拟合，该拟合方式不仅可以 使数学上的拟合度达到更大，即MSE降到最低，而且还可以直观地看到从顶层到底层空气成 分所占的比例，即纳米颗粒的尺寸大小，从而在物理上也更加最为符合颗粒的真实形貌。同 时上述四步拟合的方法比直接使用一步使用Bruggerman EMA拟合的结果更为精确，且能减 小偶然误差。
[0049]图4为纳米颗粒材料为标称2.5nm厚金颗粒的原子力显微镜AFM形貌图，采用的测 试仪器是AFM，在金纳米颗粒逐渐生长的过程中，团簇颗粒的尺寸会逐渐增大，标称厚度为 2.5nm时，所生长的金纳米颗粒的形状均类似于球形，而颗粒的团簇尺寸大小约10nm。
[0050] 表1和图5示出了纳米颗粒材料为标称2.5nm厚金颗粒时通过本实施例所述四步拟 合的方法的拟合结果。
[0051 ]表1标称2.5nm金纳米颗粒的椭偏四步拟合方法拟合数据
[0053]由表1可知，对于标称2.5nm厚度的金纳米颗粒，首次直接拟合的厚度和MSE分别为 3.52nm和0.788;第二次添加空气混合层后，MSE为0.642，拟合度有所改进，且单独金的厚度 为2.73nm、混合层的厚度为1.80nm，其中空气所占比例为0.434，故金的有效厚度为3.5111111; 第三次去掉金层后，MSE为0.589，拟合度进一步增加，混合层的厚度为4.93nm，空气所占比 例为0.236，故金的有效厚度为3.77nm;第四次更改为EMA拟合后，MSE为0.577，拟合度最佳， 从顶层到底层空气的成分分别为0.703和0.319，指数型因子为1.294,厚度为3.58nm，混合 介质层的分布如图3所示。因此从数学上的拟合度及物理上金纳米颗粒真实形貌，第四步使 用的Bruggerman EMA拟合方式更为准确。
[0054]标称2.5nm厚金颗粒采用本实施例四步拟合的方法拟合后的光学结果如图6所示， 从总趋势上看，四步分别拟合的折射率η和消光系数k的值差别不大，基本上保持相等;具体 精确分析来看，第三步和第四步测得的η和k均稍大于第一步和第二步的η和k。主要是由于 第一步和第二步中在直接拟合金属层时，由于实际样品中部分空气成分的干扰，从而导致 第一、二步拟合的η和k值比第三、四步偏低。这进一步说明了采用Bruggerman EMA方法拟合 的准确性。
[0055]综合上述的形貌测试数据和椭偏拟合结果，可知采用有效介质近似层和四步拟合 的方法拟合的结果不仅能够增大拟合度，得到准确的光学性质信息，从而有助于理论分析， 而且根据拟合的趋势还可以直观地看到金纳米颗粒在形核和长大的过程中横向和纵向的 尺寸分布，得到的实验结果更为精确。因此该方法对于金属纳米颗粒的实验制备和理论研 究具有重要的指导作用。
[0056]本领域普通技术人员可以理解:实现上述各方法实施例的全部或部分步骤可以通 过程序指令相关的硬件来完成。前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中。该程 序在执行时，执行包括上述各方法实施例的步骤;而前述的存储介质包括:R〇M、RAM、磁碟或 者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
[0057]最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制;尽 管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解:其依 然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进 行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术 方案的范围。
【主权项】
1. 一种用于纳米颗粒的光谱椭偏拟合方法，其特征在于，利用光谱椭偏仪，采用有效介 质近似层和四步拟合的方法，具体包括： 在衬底上形成纳米颗粒材料层，得到第一模型，并对所述纳米颗粒材料层进行直接拟 合，得到初步实验结果； 在所述纳米颗粒材料层上形成纳米颗粒材料与空气的混合层，使得到的第二模型符合 实际纳米颗粒特征； 去除第二模型中的纳米颗粒材料层，更改纳米颗粒材料与空气的混合层的厚度与比例 参数，得到第三模型，使所述混合层包含从顶层到底层比例一致的纳米颗粒材料与空气，并 对更改后的混合层进行拟合； 将更改后的混合层改进为有效介质近似层进行拟合，获得纳米颗粒的光学性质信息。2. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述纳米颗粒材料层由纳米颗粒材料构 成，所述纳米颗粒材料包括但不限于：金属材料、半导体材料和绝缘体材料中的一种或多 种。3. 根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述金属材料包括但不限于：金Au、银Ag、 铂Pt、铜Cu、铝A1、镍Ni、钒V、锌Zn、铬Cr、钨W、钛Ti或者铁Fe。4. 根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述半导体材料包括但不限于：硅Si、锗 Ge、硼B、磷P、铟In、铺Sb、砷化镓GaAs、二氧化钛Ti〇2、二硫化钼M0S2、氧化铜CuO、氧化亚铜 Cu2〇、氧化亚铁FeO、氧化铁Fe2〇3、氧化锌ZnO、硫化锌ZnS、蹄化锌ZnTe或者钛酸锁SrTi〇3。5. 根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述绝缘体材料包括但不限于：二氧化硅 Si02、氧化铝Al2〇3、氮化铝A1N、氮化硅Si3N4、氮化硼BN、碳化硅SiC、碳酸盐、硅酸盐、钛酸盐、 铌酸盐或锗酸盐。6. 根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述纳米颗粒材料中纳米颗粒的厚度为 0.1~500nm。7. 根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述纳米颗粒材料中纳米颗粒的形状包括 但不限于:球形、三角形、矩形、正方形、菱形、五边形、六边形或多边形；纳米颗粒与纳米颗 粒之间围成的形状包括但不限于：周期性的球形纳米颗粒阵列、周期性的方形纳米颗粒阵 列、周期性的多边形纳米颗粒阵列、周期性的球形纳米孔隙阵列、周期性的方形纳米孔隙阵 列、周期性的多边形纳米孔隙阵列、杂散的球形纳米颗粒、杂散的方形纳米颗粒，杂散的链 形纳米颗粒或杂散的多边形纳米颗粒。8. 根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述纳米颗粒材料的制备方法包括但不限 于：电子束蒸发、热蒸发、磁控溅射、离子束溅射、离子镀、原子束沉积、激光脉冲沉积、化学 气相沉积、分子束外延、溶胶-凝胶法、金属有机物分解法、液相-固相法、氧化法、离子注入 法或扩散法。9. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底的材料包括但不限于:硅、二氧化 硅、氮化硅、碳化硅、砷化镓、氮化镓、氧化锌、载玻片、FT0导电玻璃或IT0导电玻璃。
【文档编号】G01N21/21GK106092861SQ201610363881
【公开日】2016年11月9日
【申请日】2016年5月26日
【发明人】贺涛, 王凯, 褚卫国, 张先锋
【申请人】国家纳米科学中心