平面式耐高压电涡流位移传感器的制造方法

文档序号:8713657阅读:341来源:国知局
平面式耐高压电涡流位移传感器的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及非电量电测技术领域,特别是一种平面式耐高压电涡流位移传感器。
【背景技术】
[0002]传统的电涡流位移传感器采用感应线圈作为探头,线圈中通入高频交流电流产生交变磁场,测量物体在高频磁场作用下产生环状感应电流,即电涡流;电涡流会抵抗磁场作用,且涡流效应的强弱随着测量物体与高频探头间的相对位置的变化而变化;从而引起感应线圈参数的变化,并通过后续处理电路获取相应的位移信号。它具有灵敏度高、非接触测量、频响高等优点;但是,其不足在于其不耐高压而且受外界温度的影响比较大,因此很少用于液压场合。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的在于,提供一种平面式耐高压电涡流位移传感器。本实用新型具有耐高压、抗干扰强、结构紧凑的特点。
[0004]本实用新型的技术方案:平面式耐高压电涡流位移传感器,其特征在于:包括金属壳体和配合金属壳体设置的端盖,金属壳体内中部设有铁芯,铁芯上设有感应线圈,所述金属壳体上方设有感应金属,金属壳体外壁上设有螺纹。
[0005]前述的平面式耐高压电涡流位移传感器中,所述金属壳体包括中心具有圆孔的壳体端面和壳体侧面,圆孔内设有圆柱,所述圆柱和壳体侧面由软磁材料构成,所述的壳体端面由耐高压非导磁材料构成。
[0006]前述的平面式耐高压电涡流位移传感器中,所述圆柱和壳体侧面由导磁的铁构成。
[0007]前述的平面式耐高压电涡流位移传感器中,所述的壳体端面由耐高压不锈钢构成。
[0008]前述的平面式耐高压电涡流位移传感器中,所述的感应线圈为平绕式感应线圈。
[0009]与现有技术相比,本实用新型具有以下优点:
[0010]1、采用金属壳体来承受高压,实现电涡流位移传感器的耐高压功能;
[0011]2、线圈采用平绕式,阻值小,温度漂移小;
[0012]3、结构简单,抗干扰能力强,成本低;
[0013]4、体积小,易于使用。
[0014]因此本实用新型可应用于高压环境中圆柱齿轮流量计中齿轮径向位移测量。
[0015]另外,圆柱和壳体侧面为导磁的铁制成,可以将磁通从壳体内导出;壳体端面部分采用耐高压金属材料不锈钢制成,可以有效的隔离高压环境,保护线圈等外围器件;壳体外部切削有螺纹,可以用螺纹直接安装在被测体附近的设备或者装置中,安装方便快速。本实用新型具有耐高压、抗干扰强、结构紧凑的特点。
【附图说明】
[0016]图1是本实用新型的结构示意图。
[0017]附图中的标记为:1-铁芯,2-金属壳体,3-感应线圈,4-端盖,5-感应金属,6_壳体侧面,7-壳体端面,8-圆柱。
【具体实施方式】
[0018]下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的说明,但并不作为对本实用新型限制的依据。
[0019]实施例。平面式耐高压电涡流位移传感器,构成如图1所示,包括金属壳体2和配合金属壳体2设置的端盖4,金属壳体2内中部设有铁芯1,铁芯I上设有感应线圈3,所述金属壳体2上方设有感应金属5,金属壳体2外壁上设有螺纹。
[0020]较好的是,所述金属壳体2包括中心具有圆孔的壳体端面7和壳体侧面6,圆孔内设有圆柱8,所述圆柱8和壳体侧面6由软磁材料构成,所述的壳体端面7由耐高压非导磁材料构成。
[0021]更好的是,所述圆柱8和壳体侧面6由导磁的铁构成。所述的壳体端面7由耐高压不锈钢构成。
[0022]更好的是,所述的感应线圈3为平绕式感应线圈。
[0023]所述金属壳体2的开口端设有台阶,台阶内设置端盖4,端盖4上设有穿线孔。
[0024]所述的铁芯与圆柱对应设置
[0025]本实用新型的使用原理:感应线圈通入高频交变电流,激发感应磁场。通过导磁材料的导磁作用,在壳体外面存在感应磁场。当被测导体靠近传感器,在磁场作用范围内的导体表层,就产生了电涡流。因此可以通过检测感应线圈的阻抗得到被测导体与传感器的距离。
[0026]感应线圈接入电路中组成全桥电路,全桥电路由交流电流源激励,中间抽头输出电压信号,因此感应线圈的阻抗变化通过全桥测量电路可转化为为电压信号输出。
【主权项】
1.平面式耐高压电涡流位移传感器,其特征在于:包括金属壳体(2)和配合金属壳体(2)设置的端盖(4),金属壳体(2)内中部设有铁芯(1),铁芯(I)上设有感应线圈(3),所述金属壳体(2)上方设有感应金属(5),金属壳体(2)外壁上设有螺纹。
2.根据权利要求1所述的平面式耐高压电涡流位移传感器,其特征在于:所述金属壳体⑵包括中心具有圆孔的壳体端面⑵和壳体侧面(6),圆孔内设有圆柱(8),所述圆柱(8)和壳体侧面(6)由软磁材料构成,所述的壳体端面(7)由耐高压非导磁材料构成。
3.根据权利要求2所述的平面式耐高压电涡流位移传感器,其特征在于:所述圆柱(8)和壳体侧面(6)由导磁的铁构成。
4.根据权利要求2所述的平面式耐高压电涡流位移传感器,其特征在于:所述的壳体端面(7)由耐高压不锈钢构成。
5.根据权利要求1-4任一项所述的平面式耐高压电涡流位移传感器,其特征在于:所述的感应线圈(3)为平绕式感应线圈。
【专利摘要】本实用新型公开了一种平面式耐高压电涡流位移传感器,构成包括金属壳体(2)和配合金属壳体(2)设置的端盖(4),金属壳体(2)内中部设有铁芯(1),铁芯(1)上设有感应线圈(3),所述金属壳体(2)上方设有感应金属(5),金属壳体(2)外壁上设有螺纹。本实用新型具有耐高压、抗干扰强、结构紧凑的特点。
【IPC分类】G01B7-02
【公开号】CN204421829
【申请号】CN201520154469
【发明人】曹枫, 李勇, 任明, 李振哲, 申允德
【申请人】温州大学
【公开日】2015年6月24日
【申请日】2015年3月18日
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