一种发光二极管失效分析解剖装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种发光二极管失效分析解剖装置。
【背景技术】
[0002]现有技术中，LED芯片封装企业及LED芯片制造商在做成品失效分析时，一般采用化学溶液如浓硫酸、DY711及丙酮等对LED封装胶体进行加热腐蚀，解剖LED封装成品，取出LED芯片进行后续失效分析，如图1a至图1f所示。所述加热腐蚀法操作流程如下:以直插式LED单灯为例，如图1a所示，先将插式LED单灯10固定；将固定后的直插式LED单灯10插入烧杯20，如图1b所示；在烧杯20中加入化学溶液30，使得LED单灯10顶部胶体101接触化学溶液，如图1c所示；加热化学溶液30，腐蚀LED单灯10顶部接触化学溶液的封装胶体101，如图1d所示:漏出芯片102，如图1e所示，取出芯片102，如图1f所示。然而，所述加热腐蚀解剖LED芯片方法存在以下缺陷:
[0003]—，采用化学溶液腐蚀，对封装成品时间把握要求上比较精准，把握不准溶液将腐蚀LED芯片，导致解剖失败，且仅适合直插式LED单灯封装成品，而不适用于大功率LED、数码管LED和点阵LED等。
[0004]二，化学溶液容易对操作人员造成伤害，要求操作人员解剖过程需做好防护，且化学溶液需妥善处理。
[0005]三，化学溶液容易腐蚀并损伤LED芯片外观、表面PV保护层，芯片PN结导致芯片出现漏电、Vf异常、亮度异常等现象，对后续进一步分析造成严重影响。
【实用新型内容】
[0006]本实用新型的目的在于提供一种发光二极管失效分析解剖装置，以减少损伤LED芯片，提高失效异常分析的准确性，同时提高LED芯片解剖效率。
[0007]为达成上述目的，本实用新型的解决方案为:
[0008]—种发光二极管失效分析解剖装置，包括操作平台、调温加热台及体视显微镜；操作平台设置加热板，该加热板与调温加热台电连接，加热板加热发光二极管表面封装胶体；操作平台置于体视显微镜的视场范围中。
[0009]进一步，还包括砂轮机，砂轮机用于将发光二极管表面封装胶体打磨至接近封装支架Imm处。
[0010]进一步，还包括镊子，镊子用于将加热后发光二极管打磨后的LED芯片上方的封装胶体撬出，在继续加热状态下将封装胶体下压剥开LED芯片，镊子取下LED芯片。
[0011]进一步，操作平台包括底座和加热台，加热台安装在底座上，加热台为隔热材料，加热板设置于加热台中间。
[0012]进一步，在加热板上设置供发光二极管管脚插入的插孔。
[0013]—种发光二极管失效分析解剖方法，包括以下步骤:
[0014]步骤一，将发光二极管外部封装胶体打磨至距封装支架1_处；
[0015]步骤二，将打磨后发光二极管置于操作平台加热板加热，将外部封装胶体加热；
[0016]步骤三，开启调温加热台进行加热，温度设置为250°C，加热时间30S以上；
[0017]步骤四，封装胶体受热松软后，将LED芯片上方打磨区域的封装胶体撬出；
[0018]步骤五，LED芯片包裹在撬下取出的封装胶体中，将撬下的封装胶体放在操作平台上继续加热，温度设置为200°C，时间为15S，沿LED芯片四边的封装胶体向下压，LED芯片从封装胶体中弹出，将LED芯片取下。
[0019]进一步，解剖取出后的LED芯片置于高倍显微镜对进行外观观察，使用数字电源表和LED芯片点测机进行光电参数量测。
[0020]进一步，解剖直插式LED单灯时，操作平台加热板上设置插孔，直插式LED单灯的管脚插入插孔中。
[0021 ] 进一步，解剖大功率LED、数码管LED和点阵LED时，使用砂轮机对其外部封装胶体进行打磨处理后，再直接置于操作平台加热板上。
[0022]进一步，使用砂轮机将发光二极管外部封装胶体打磨至距封装支架1_处。
[0023]进一步，封装胶体受热松软后，使用镊子将LED芯片上方打磨区域的封装胶体撬出；LED芯片包裹在镊子撬下取出的封装胶体中，将撬下的封装胶体放在操作平台上继续加热，温度设置为200°C，时间为15S，镊子沿LED芯片四边的封装胶体向下压，LED芯片从封装胶体中弹出，使用镊子将LED芯片取下。
[0024]采用上述方案后，本实用新型在解剖LED芯片时，解剖操作速度快，全部解剖用时约5分钟；解剖无需使用化学溶液，使用机械和物理解剖方法，解剖成功率较高，可达90%以上；可以适用于不同类型的发光二极管，如直插式LED单灯、大功率LED、数码管LED和点阵LED 等。
【附图说明】
[0025]图1a至图1f为现有技术LED芯片解剖流程图；
[0026]图2为本实用新型解剖装置的结构示意图；
[0027]图3a至图3f为本实用新型LED芯片解剖流程图。
[0028]标号说明
[0029]LED 单灯 10胶体 101
[0030]芯片102烧杯2O
[0031]化学溶液30
[0032]操作平台I加热板11
[0033]底座12加热台13
[0034]插孔14调温加热台2
[0035]体视显微镜3发光二极管4
[0036]胶体41封装支架42
[0037]LED 芯片 43。
【具体实施方式】
[0038]以下结合附图及具体实施例对本实用新型做详细描述。
[0039]参阅图2及图3所示，本实用新型揭示的一种发光二极管失效分析解剖装置，包括砂轮机(图中未示出)、操作平台1、调温加热台2、体视显微镜3及镊子。
[0040]砂轮机用于将发光二极管4表面封装胶体41打磨至接近封装支架(42)Imm处；操作平台I设置加热板11，该加热板11与调温加热台2通过导线电连接，打磨后发光二极管4置于加热板11加热；操作平台I置于体视显微镜3的视场范围中；镊子用于将加热后发光二极管4打磨后的LED芯片43上方的封装胶体41撬出，在继续加热状态下将封装胶体41下压剥开LED芯片43，镊子用于取下LED芯片43。
[0041]如图2所示，操作平台I包括底座12和加热台13，加热台13安装在底座12上，加热台13为隔热材料，加热板11设置于加热台12中间。
[0042]为适于解剖直插式LED单灯，在加热板11上设置供发光二极管4管脚插入的插孔。
[0043]如图3a至图3f所示，本实用新型还公开一种发光二极管失效分析解剖方法，包括以下步骤:
[0044]步骤一，使用砂轮机将发光二极管4外部封装胶体41打磨至距封装支架(42) Imm处，如图3a及图3b所示。
[0045]步骤二，将打磨后发光二极管4置于操作平台I加热板11加热，将外部封装胶体42加热，如图3c所示。解剖直插式LED单灯时，操作平台I加热板11上设置插孔14，直插式LED单灯的管脚插入插孔14中。解剖大功率LED、数码管LED和点阵LED时，直接置于操作平台I加热板11上。
[0046]步骤三，开启调温加热台2进行加热，温度设置为250°C，加热时间30S以上。
[0047]步骤四，封装胶体41受热松软后，使用镊子将LED芯片43上方打磨区域的封装胶体41撬出，如图3d所示。
[0048]步骤五，LED芯片43包裹在镊子撬下取出的封装胶体41中，将撬下的封装胶体41放在操作平台上继续加热，温度设置为200°C，时间为15S，镊子沿LED芯片43四边的封装胶体41向下压，LED芯片43从封装胶体41中弹出，使用镊子将LED芯片43取下，如图3f所示。
[0049]解剖取出后的LED芯片置于高倍显微镜对进行外观观察，使用数字电源表和LED芯片点测机进行光电参数量测。
[0050]本实用新型在解剖LED芯片时，解剖操作速度快，全部解剖用时约5分钟；解剖无需使用化学溶液，使用机械和物理解剖方法，解剖成功率较高，可达90%以上；可以适用于不同类型的发光二极管，如直插式LED单灯、大功率LED、数码管LED和点阵LED等。
[0051]以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并非对本案设计的限制，凡依本案的设计关键所做的等同变化，均落入本案的保护范围。
【主权项】
1.一种发光二极管失效分析解剖装置，其特征在于，包括操作平台、调温加热台及体视显微镜；操作平台设置加热板，该加热板与调温加热台电连接，加热板加热发光二极管表面封装胶体；操作平台置于体视显微镜的视场范围中。2.如权利要求1所述的一种发光二极管失效分析解剖装置，其特征在于，还包括砂轮机，砂轮机用于将发光二极管表面封装胶体打磨至接近封装支架1_处。3.如权利要求1所述的一种发光二极管失效分析解剖装置，其特征在于，还包括镊子，镊子用于将加热后发光二极管打磨后的LED芯片上方的封装胶体撬出，在继续加热状态下将封装胶体下压剥开LED芯片，镊子取下LED芯片。4.如权利要求1所述的一种发光二极管失效分析解剖装置，其特征在于，操作平台包括底座和加热台，加热台安装在底座上，加热台为隔热材料，加热板设置于加热台中间。5.如权利要求1所述的一种发光二极管失效分析解剖装置，其特征在于，在加热板上设置供LED芯片管脚插入的插孔。
【专利摘要】本实用新型公开一种发光二极管失效分析解剖装置，包括操作平台、调温加热台及体视显微镜；操作平台设置加热板，该加热板与调温加热台电连接，加热板加热发光二极管表面封装胶体；操作平台置于体视显微镜的视场范围中。本实用新型可以减少损伤LED芯片，提高失效异常分析的准确性，同时提高LED芯片解剖效率。
【IPC分类】H01L33/00, H01L21/66, G01R31/26
【公开号】CN204882806
【申请号】CN201520562302
【发明人】赵东阳, 林荣锋, 王新华
【申请人】厦门乾照光电股份有限公司
【公开日】2015年12月16日
【申请日】2015年7月30日