一种多功能电容成像传感器的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于电容成像领域，涉及一种传感器，特别涉及一种多功能电容成像传感器。
【背景技术】
[0002]电容成像技术是一种新型的无损检测技术，它利用一对电极板中间形成的准静态边缘电场对试块中的缺陷进行检测。电容成像技术是一种非接触式、非侵入式的无损检测方法，这些特征使得电容成像技术克服了常规的涡流检测、电位差法、超声波法的一些局限，并在不同性质的材料中都可以应用。
[0003]电容成像传感器的设计是电容成像技术的关键，合理的设计使得电容成像技术可以用于检测绝缘体表面和内部的缺陷以及导体表面的缺陷。值得指出的是，对于体表面缺陷的检测，甚至在导体试块表面覆盖有相对较厚的绝缘层的情况下也能实现。
[0004]现存的电容成像传感器在只有一个激励电极和一个检测电极的情况下，只能对特定深度的缺陷进行检测，如果要对不同深度的缺陷进行检测，就需要多个电容成像传感器，一方面增加了检测的成本，另一方面也使得电容成像装置比较复杂；现存电容成像传感器的功能比较单一，只能对平面试块进行检测，而不能对管状物进行检测
【发明内容】
[0005]本实用新型旨在解决上述问题，提供了一种多功能电容成像传感器，其采用的技术方案如下:
[0006]—种多功能电容成像传感器，包括连接副1、支架1、连接副I1、支架I1、连接副II1、支架II1、连接副IV、支架IV、连接副V、工作电极板1、工作电极板I1、连接瓣1、连接瓣I1、保护电极、工作电极、绝缘基体和屏蔽电极；连接副I连接着支架I与工作电极板I，连接副II连接着支架I与支架II，连接副III连接着支架II与支架III，连接副IV连接着支架III与支架IV，连接副V连接着支架IV与工作电极板II ;支架1、支架I1、支架III和支架IV的结构是一样的，连接副1、连接副I1、连接副II1、连接副IV和连接副V的结构是一样的，都包括连接瓣I和连接瓣II，工作电极板I和工作电极板11的结构是一样的，都包括保护电极、工作电极、绝缘基体和屏蔽电极，工作电极是正方形的，在工作电极的四周分布着保护电极，屏蔽电极被蚀刻在绝缘基板的下表面。
[0007]本实用新型的有益效果:
[0008]本实用新型的工作电极板I与工作电极板11通过连接副1、支架1、连接副I1、支架I1、连接副II1、支架II1、连接副IV、支架IV和连接副V连接在一起，通过调节这些结构，可以改变工作电极板I与工作电极板II的距离，使工作电极板I与工作电极板II的距离不再是固定的，从而能使传感器实现对不同深度的缺陷进行检测，如图1所示。
[0009]本实用新型的工作电极板I与工作电极板11通过连接副1、支架1、连接副I1、支架I1、连接副II1、支架II1、连接副IV、支架IV和连接副V连接在一起，通过调节这些结构，可以改变工作电极板I与工作电极板II的位置，使得工作电极板I与工作电极板II不再在同一个平面内，改变了传统电容成像传感器的模式，从而能使传感器实现对管状物进行检测，如图2所示。
[0010]本实用新型的支架1、支架I1、支架III和支架IV的结构是一样的，连接副1、连接副I1、连接副II1、连接副IV和连接副V的结构是一样的，工作电极板I和工作电极板II的结构是一样的，使得这种电容成像传感器的通用性比较好，便于大规模生产和应用。
[0011]本实用新型的工作电极是正方形的，在工作电极的四周分布着保护电极，屏蔽电极被蚀刻在绝缘基体的下表面，这种布置能有效地增加探测深度和测量信号的强度。
【附图说明】
[0012]图1:工作电极板距离不固定的电容传感器；
[0013]图2:工作电极板不在同一平面的电容传感器；
[0014]图3:本实用新型的示意图；
[0015]图4:连接副的剖视图；
[0016]图5:支架的结构示意图；
[0017]图6:工作电极板的俯视图；
[0018]图7:工作电极板的半剖视图；
[0019]附图序号说明:1、连接副I 2、支架I 3、连接副II 4、支架II 5、连接副III 6、支架III 7、连接副IV 8、支架IV 9、连接副V 10、工作电极板I 11、工作电极板II 12、连接瓣I 13、连接瓣II 14、保护电极15、工作电极16、绝缘基体17、屏蔽电极。
【具体实施方式】
[0020]下面结合附图和具体实例对本实用新型作进一步说明:
[0021]—种多功能电容成像传感器如图3所示，包括连接副I (I)、支架I (2)、连接副11(3),支架11 (4)、连接副III (5)、支架III (6)、连接副IV (7)、支架IV⑶、连接副V (9)、工作电极板I (10)、工作电极板II(Il)、连接瓣I (12)、连接瓣II (13)、保护电极(14)、工作电极(15)、绝缘基体(16)和屏蔽电极(17);连接副I(I)连接着支架1(2)与工作电极板I (10)，连接副II (3)连接着支架I (2)与支架II (4)，连接副III (5)连接着支架II (4)与支架III (6)，连接副IV(7)连接着支架111(6)与支架IV(8)，连接副V(9)连接着支架IV(8)与工作电极板II (11)。
[0022]连接副I如图4所示，连接副I⑴、连接副II (3)、连接副III (5)、连接副IV(7)和连接副V (9)的结构是一样的，都包括连接瓣I (12)和连接瓣II (13)。
[0023]支架I如图5所示，支架I (2)、支架II (4)、支架III (6)和支架IV⑶的结构是一样的。
[0024]工作电极板I如图6和图7所示，工作电极板I (10)和工作电极板II (11)的结构是一样的，都包括保护电极(14)、工作电极(15)、绝缘基体(16)和屏蔽电极(17)。
[0025]以上所述，仅为本发明的一种实施例，并非刻意用于限定本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种多功能电容成像传感器，其结构包括:连接副I (I)、支架I (2)、连接副II (3)、支架II⑷、连接副III (5)、支架III (6)、连接副IV(7)、支架IV(8)、连接副V(9)、工作电极板I (10)、工作电极板II (11)、连接瓣I (12)、连接瓣II (13)、保护电极(14)、工作电极(15)、绝缘基体(16)和屏蔽电极(17);连接副I(I)把支架1(2)和工作电极板II(Il)连接在一起，连接副II⑶把支架I⑵和支架II⑷连接在一起，连接副III (5)把支架II (4)和支架III (6)连接在一起，连接副IV(7)把支架III (6)和支架IV(8)连接在一起，连接副V(9)把支架IV(8)和工作电极板I (10)连接在一起；支架I (2)、支架II (4)、支架III (6)和支架IV(8)的结构是一样的，连接副I (I)、连接副II (3)、连接副III (5)、连接副IV(7)和连接副V(9)的结构是一样的，它们都是由连接瓣1(12)和连接瓣11(13)构成，工作电极板1(10)和工作电极板II (11)的结构是一样的。2.根据权利要求1所述多功能电容成像传感器，其特征在于:工作电极板I(10)与工作电极板II (11)通过连接副I⑴、支架I⑵、连接副II (3)、支架II (4)、连接副III (5)、支架IIU6)、连接副IV(7)、支架IV(8)和连接副V(9)连接在一起，通过改变这些结构，可以改变工作电极板1(10)与工作电极板II(Il)的距离，也可以改变它们的位置，使它们不在同一平面内。3.根据权利要求1所述多功能电容成像传感器，其特征在于:工作电极(15)是正方形的，在工作电极(15)的四周分布着保护电极(14)，屏蔽电极(17)被蚀刻在绝缘基体(16)的下表面。
【专利摘要】本实用新型涉及一种多功能电容成像传感器，其结构包括连接副I、支架I、连接副II、支架II、连接副III、支架III、连接副IV、支架IV、连接副V、工作电极板I、工作电极板II、连接瓣I、连接瓣II、保护电极、工作电极、绝缘基体和屏蔽电极；工作电极板I与工作电极板II通过连接副I、支架I、连接副II、支架II、连接副III、支架III、连接副IV、支架IV和连接副V连接在一起，通过改变这些结构，可以改变工作电极板I与工作电极板II的距离，从而能使传感器对不同深度的缺陷进行检测，改变这些结构，也可以改变工作电极板I与工作电极板II的位置，使它们不在同一平面内，从而实现对管状物的检测。
【IPC分类】G01N27/24
【公开号】CN204925012
【申请号】CN201520685937
【发明人】李振, 陈国明, 殷晓康
【申请人】中国石油大学(华东)
【公开日】2015年12月30日
【申请日】2015年9月7日