一种涡流探头的制作方法

文档序号:10368669阅读:1533来源:国知局
一种涡流探头的制作方法
【技术领域】
[0001 ]本实用新型涉及涡流探伤技术领域,具体涉及一种涡流探头。
【背景技术】
[0002]涡流探伤是利用电磁感应原理,检测导电构件表面以及表面缺陷的一种探伤方法,其原理是使用激磁线圈使导电构件内产生涡流电,借助探测线圈测定涡流电的变化量,从而获得构件缺陷的有关信息。为了确保所生产的产品的质量,如钢管是否有缺陷,需要对其进行探伤,传统的探伤设备采用人工方式,使得操作不便,探伤效率低,且无法保存数据,无法追溯数据。
【实用新型内容】
[0003]针对上述缺陷或不足,本实用新型提供了一种涡流探头,能够准确的获得缺陷信号,提高检测准确性。
[0004]为达到以上目的,本实用新型的技术方案为:
[0005]包括线圈架,所述线圈架上缠绕有线圈,所述线圈包括激励线圈、检测线圈以及降噪线圈。
[0006]所述线圈架上开设有用于缠绕线圈的线圈槽。
[0007]所述线圈架上开设有6个线圈槽,中心的2个线圈槽中缠绕激励线圈,激励线圈的两侧线圈槽中缠绕检测线圈,检测线圈的两侧线圈槽中缠绕降噪线圈。
[0008]所述线圈架为空心圆柱体,以使得待检测试件穿过线圈架。
[0009]与现有技术比较,本实用新型的有益效果为:
[0010]本实用新型提供了一种涡流探头,通过在线圈架上设置激励线圈、检测线圈以及降噪线圈,其中,所设置的降噪线圈通过两个补偿逆向绕线将非常大的接收信号减小为零,这样可以保证将非常小的信号进行放大,而不使仪器过载;另外,降噪线圈能够将非常高的缺陷信号放大及很低的噪声信号处理结合在一起,在检测灵敏度不变的情况下,可以使探头和工件表面较大的距离。避免了探头机械损伤。
[0011 ]进一步的,本实用新型所设置的六槽线圈对探头提离自动补偿,能够提高了仪器的性能。
【附图说明】
[0012]图1是本实用新型涡流探头的结构示意图。
[0013]其中,I为线圈架,2为激励线圈,3为检测线圈,4为降噪线圈,5为线圈槽。
【具体实施方式】
[0014]下面结合附图对本实用新型做详细描述。
[0015]本实用新型提供了一种涡流探头,包括线圈架1,所述线圈架I上缠绕有线圈,所述线圈包括激励线圈2、检测线圈3以及降噪线圈4,其中,所述线圈架I上开设有若干用于缠绕线圈的线圈槽5。
[0016]具体的,所述线圈架I上开设有6个线圈槽5,其中,中心的2个线圈槽5中缠绕激励线圈2,激励线圈2的两侧线圈槽5中缠绕检测线圈3,检测线圈3的两侧线圈槽5中缠绕降噪线圈4。所述线圈架I为空心圆柱体,以使得待检测试件穿过线圈架I。
[0017]本实用新型的工作过程为:
[0018]穿过式涡流线圈常用有二种:一种是二个槽绕法的差动线圈,另一种是四个槽饶法的激烈和检测线圈,即发射和接收线圈,新型涡流探头采用六个槽,其中,二个槽绕法激烈和二个槽绕法检测线圈、二个槽绕法降噪线圈。
[0019]在进行检测时,将待检测试件通过线圈架I的空腔,使得待检测试件通过线圈中的电磁场,其中,两个补偿逆向绕的降噪线圈4将非常大的接收信号减小为零。这样可以保证将非常小的信号进行放大,而不使仪器过载。降噪线圈能够将非常高的缺陷信号放大及很低的噪声信号处理结合在一起,在检测灵敏度不变的情况下,可以使探头和工件表面较大的距离。避免了探头机械损伤。进一步,六槽线圈对探头提离自动补偿,提高了仪器的性能。
【主权项】
1.一种涡流探头,其特征在于,包括线圈架(I),所述线圈架(I)上缠绕有线圈,所述线圈包括激励线圈(2)、检测线圈(3)以及降噪线圈(4);所述线圈架(I)为空心圆柱体,以使得待检测试件穿过线圈架(I)。2.根据权利要求1所述的涡流探头,其特征在于,所述线圈架(I)上开设有用于缠绕线圈的线圈槽(5)。3.根据权利要求2所述的涡流探头,其特征在于,所述线圈架(I)上开设有6个线圈槽(5),中心的2个线圈槽(5)中缠绕激励线圈(2),激励线圈(2)的两侧线圈槽(5)中缠绕检测线圈(3),检测线圈(3)的两侧线圈槽(5)中缠绕降噪线圈(4)。
【专利摘要】本实用新型公开了一种涡流探头,涉及涡流探伤技术领域,包括线圈架,所述线圈架上缠绕有线圈,所述线圈包括激励线圈、检测线圈以及降噪线圈,所述线圈架上开设有用于缠绕线圈的线圈槽。所设置的降噪线圈通过两个补偿逆向绕线将非常大的接收信号减小为零,这样可以保证将非常小的信号进行放大,而不使仪器过载;另外,降噪线圈能够将非常高的缺陷信号放大及很低的噪声信号处理结合在一起,在检测灵敏度不变的情况下,可以使探头和工件表面较大的距离。避免了探头机械损伤。
【IPC分类】G01N27/90
【公开号】CN205280658
【申请号】CN201520865633
【发明人】徐中山, 刘卫锋
【申请人】南京博克纳自动化系统有限公司
【公开日】2016年6月1日
【申请日】2015年11月2日
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