一种半导体检测装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种半导体器件，尤其涉及一种半导体检测装置。
【背景技术】
[0002]霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是霍尔(A.H.Hall，1855—1938)于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应，而半导体的霍尔效应比金属强得多，利用这现象制成的各种霍尔元件，广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数，能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迀移率等重要参数。
[0003]目前，由于现有半导体霍尔元件结构复杂、体积庞大、使用寿命短、响应速度慢、灵敏度低，极大的限制了半导体霍尔元件的应用。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型所要解决的技术问题是提供一种结构简单、体积小、重量轻、寿命长、响应速度快、灵敏度高的霍尔元件。
[0005]本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下:一种半导体检测装置，包括半导体衬底，所述半导体衬底中心设置有绝缘环，所述绝缘环中设置有十字形霍尔元件，所述十字形霍尔元件连接有第一输入端、第二输入端、第一输出端、第二输出端，所述绝缘环两侧分别设置有磁性体安装区，所述磁性体安装区中设置有磁性条。
[0006]所述半导体霍尔元件的霍尔电压随磁场强度的变化而变化，磁场越强，电压越高，磁场越弱，电压越低。霍尔电压值很小，通常只有几个毫伏，但经集成电路中的放大器放大，就能使该电压放大到足以输出较强的信号。所述磁性体安装区中设置的磁性条用于集中磁力线和提高元件灵敏度，它的体积越大，元件的输出灵敏度越高。
[0007]在上述技术方案的基础上，本实用新型还可以做如下改进。
[0008]进一步，所述半导体衬底为单晶硅衬底，所述单晶硅衬底迀移率高有利于半导体霍尔元件响应速度、灵敏度的提高。
[0009]进一步，所述半导体十字形霍尔元件为锑化铟元件，所述锑化铟光谱范围宽，作为磁敏电阻有利于拓宽霍尔元件的响应范围。
[0010]进一步，所述第一输入端、第二输入端为电流输入端，所述第一输出端、第二输出端为电压输出端，所述第一输出端、第二输出端构成外部回路，产生霍尔效应。
[0011]本实用新型的有益效果是:结构简单、体积小、重量轻、寿命长、响应速度快、灵敏度高。
【附图说明】
[0012]图1为本实用新型一种半导体检测装置结构示意图；
[0013]附图中，各标号所代表的部件列表如下:1、半导体衬底，2、十字形霍尔元件，3、绝缘环，4、磁性体安装区，5、磁性条，6、第一输入端，7、第二输入端，8、第一输出端，9、第二输出端。
【具体实施方式】
[0014]以下结合附图对本实用新型的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本实用新型，并非用于限定本实用新型的范围。
[0015]如图1所示，一种半导体检测装置，包括半导体衬底I，所述半导体衬底I中心设置有绝缘环3，所述绝缘环3中设置有十字形霍尔元件2，所述十字形霍尔元件2连接有第一输入端6、第二输入端7、第一输出端8、第二输出端9，所述绝缘环3两侧分别设置有磁性体安装区4，所述磁性体安装区4中设置有磁性条5。
[0016]所述半导体霍尔元件的霍尔电压随磁场强度的变化而变化，磁场越强，电压越高，磁场越弱，电压越低。霍尔电压值很小，通常只有几个毫伏，但经集成电路中的放大器放大，就能使该电压放大到足以输出较强的信号。所述磁性体安装区4中设置的磁性条5用于集中磁力线和提高元件灵敏度，它的体积越大，元件的输出灵敏度越高。
[0017]所述半导体衬底I为单晶硅衬底，所述单晶硅衬底迀移率高有利于半导体霍尔元件响应速度、灵敏度的提高。所述半导体十字形霍尔元件2为锑化铟元件，所述锑化铟光谱范围宽，作为磁敏电阻有利于拓宽霍尔元件的响应范围。所述第一输入端6、第二输入端7为电流输入端，所述第一输出端8、第二输出端9为电压输出端，所述第一输出端8、第二输出端9构成外部回路，产生霍尔效应。
[0018]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种半导体检测装置，其特征在于，包括半导体衬底，所述半导体衬底中心设置有绝缘环，所述绝缘环中设置有十字形霍尔元件，所述十字形霍尔元件连接有第一输入端、第二输入端、第一输出端、第二输出端，所述绝缘环两侧分别设置有磁性体安装区，所述磁性体安装区中设置有磁性条。2.根据权利要求1所述一种半导体检测装置，其特征在于，所述半导体衬底为单晶硅衬底。3.根据权利要求1所述一种半导体检测装置，其特征在于，所述半导体十字形霍尔元件为锑化铟元件。4.根据权利要求1所述一种半导体检测装置，其特征在于，所述第一输入端、第二输入端为电流输入端，所述第一输出端、第二输出端为电压输出端。
【专利摘要】本实用新型涉及一种半导体检测装置，包括半导体衬底，所述半导体衬底中心设置有绝缘环，所述绝缘环中设置有十字形霍尔元件，所述十字形霍尔元件连接有第一输入端、第二输入端、第一输出端、第二输出端，所述绝缘环两侧分别设置有磁性体安装区，所述磁性体安装区中设置有磁性条。本实用新型结构简单、体积小、重量轻、寿命长、响应速度快、灵敏度高。
【IPC分类】G01R33/07
【公开号】CN205333836
【申请号】CN201620020936
【发明人】不公告发明人
【申请人】重庆三零三科技有限公司
【公开日】2016年6月22日
【申请日】2016年1月12日